分立半导体产品包括单个晶体管、二极管和晶闸管,以及由单个封装内的两个、三个、四个或其他少量类似器件组成的小型阵列。最常见且广为人知的是MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它们通常用于构建具有相当大电压或电流应力的电路,或用于实现非常基本的电路功能。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 6 A 电压: 600 V 隔离电压: 2000伏 参数配置: 三相 包装/外壳: 24 PowerDIP模块(1.028“,26.10毫米) | ¥39.98081 | 2525 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,198.94444 | 添加到BOM 立即询价 | ||
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 30 A 电压: 600 V 隔离电压: 2000伏 参数配置: 三相 包装/外壳: 24 PowerDIP模块(1.028“,26.10毫米) | ¥138.77396 | 354 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥138.77396 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IC POWER MOD SPM 250V 4A SPM23BD | ¥83.43821 | 389 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥83.43821 | 添加到BOM 立即询价 | ||
标称齐纳电压 (Vz): 43伏 最大功率: 1 W 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-41 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥5.08452 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.08452 | 添加到BOM 立即询价 | ||
构造: 桥,三相-SCR/二极管 断态电压: 1.6千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 240 A 可控硅数量 / 二极管数量: 3个SCR,3个二极管 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~130摄氏度(TJ) | ¥1,289.30863 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,289.30863 | 添加到BOM 立即询价 | ||
构造: 单个的 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 1250 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AA,A-PUK 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 | ¥1,105.26654 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,263.19848 | 添加到BOM 立即询价 | ||
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 15A 电压: 600 V 隔离电压: 2000伏 参数配置: 三相逆变器 包装/外壳: 26-PowerDIP Module (1.043", 26.50毫米) | ¥88.58067 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥88.58067 | 添加到BOM 立即询价 | ||
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 15A 电压: 600 V 隔离电压: 2000伏 参数配置: 三相逆变器 包装/外壳: 26-PowerDIP Module (1.043", 26.50毫米) | ¥88.58067 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥88.58067 | 添加到BOM 立即询价 | ||
THYRISTOR SOT23 T&R 3K | ¥0.27161 | 63000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.27161 | 立即购买 加入购物车 | ||
构造: 串联-所有SCR 断态电压: 1.6千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 190 A 可控硅数量 / 二极管数量: 2个SCR 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~130摄氏度 | ¥239.52270 | 120 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥239.52270 | 添加到BOM 立即询价 | ||
构造: 单个的 断态电压: 2.2千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 1500 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 模块 工作温度: 125摄氏度(TJ) | ¥4,427.58477 | 2 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,427.58477 | 添加到BOM 立即询价 | ||
BCR3FM-12RB - 600V 3A TRIAC | ¥6.37332 | 200635 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,166.92778 | 添加到BOM 立即询价 | ||
BCR16CM-12LA - MEDIUM POWER TRIA | ¥10.92215 | 4938 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,162.58530 | 添加到BOM 立即询价 | ||
构造: 串联-所有SCR 断态电压: 1.2千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 285 A 可控硅数量 / 二极管数量: 2个SCR 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~130摄氏度 | ¥820.69300 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,462.07900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 8 NPN Darlington 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 供应商设备包装: 18-PDIP 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度(TA) | ¥6.15647 | 40963 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANS 2PNP 12V 4A 8DFN | ¥5.93918 | 5600 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.93918 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 | ¥1.81073 | 347 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.81073 | 添加到BOM 立即询价 | ||
BLF404 - UHF POWER VDMOS TRANSIS | ¥218.44586 | 12071 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,966.01278 | 添加到BOM 立即询价 | ||
ON5040 - RF POWER TRANSISTOR (AM | ¥580.01143 | 130 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,740.03430 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MX0912B251Y - NPN SILICON RF POW | ¥1,807.82784 | 782 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,807.82784 | 添加到BOM 立即询价 |