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什么是单整流二极管:

单整流二极管系列中的产品用于仅允许电流沿一个方向流动，并且每个器件封装仅实现此功能的一个实例。用于其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）在其自己的产品系列中单独列出，每个器件封装包含多个二极管的产品也是如此。

二极管种类:
  • 标准
  • 超级屏障
  • 肖特基
  • SiGe（硅锗）
  • 雪崩光电
  • 场效应整流二极管
  • 碳化硅肖特基
  • 标准，反向极性
  • 肖特基，反向极性
更多
最大直流反向电压 (Vr):
  • 325伏
  • 1600伏
  • 220伏
  • 50 V
  • 530 V
  • 6000 V
  • 40伏
  • 14000伏
  • 150伏
  • 2200伏
  • 4500伏
  • 2伏
  • 1750伏
  • 10000伏
  • 1100伏
  • 100伏
  • 16000伏
  • 5 V
  • 65 V
  • 25伏
  • 80 V
  • 2500伏
  • 175伏
  • 450伏
  • 3伏
  • 1.5伏
  • 400伏
  • 1650伏
  • 1800伏
  • 800 V
  • 440伏
  • 165伏
  • 3300伏
  • 880 V
  • 125伏
  • 180伏
  • 30伏
  • 2400伏
  • 140伏
  • 650 V
  • 1000伏
  • 4伏
  • 4800 V
  • 600 V
  • 8000 V
  • 24000伏
  • 1300伏
  • 60 V
  • 15伏
  • 8 V
  • 250伏
  • 3000伏
  • 5000 V
  • 1.7伏
  • 1200伏
  • 430伏
  • 200伏
  • 3500伏
  • 16伏
  • 75 V
  • 20伏
  • 2600伏
  • 32伏
  • 170伏
  • 130伏
  • 90 V
  • 15000伏
  • 1500伏
  • 29伏
  • 10千伏
  • 520 V
  • 225伏
  • 45伏
  • 660 V
  • 240伏
  • 3200伏
  • 2000伏
  • 1400伏
  • 1.1伏
  • 55 V
  • 10伏
  • 2800伏
  • 70 V
  • 900 V
  • 120伏
  • 750 V
  • 350伏
  • 4000伏
  • 300伏
  • 990伏
  • 1700伏
  • 85 V
  • 500 V
  • 35伏
  • 6 V
  • 1.2伏
  • 23伏
  • 700 V
  • 12000伏
  • 1伏
更多
整流平均值 (Io):
  • 2.4A (DC)
  • 10A
  • 50A
  • 8A (DC)
  • 15毫安（直流）
  • 8A
  • 250毫安（直流）
  • 109A (DC)
  • 800毫安
  • 31A (DC)
  • 94A (DC)
  • 19A (DC)
  • 750毫安 (DC)
  • 29A (DC)
  • 300毫安 (DC)
  • 1.1A
  • 5.5A
  • 35A
  • 150A
  • 75A
  • 9A
  • 2A (DC)
  • 56A (DC)
  • 100A (DC)
  • 1A
  • 400毫安
  • 225毫安（直流）
  • 300A
  • 1.2A
  • 5A (DC)
  • 30毫安
  • 7.2A (DC)
  • 12A
  • 300毫安
  • 330毫安 (DC)
  • 40A
  • 80A
  • 3A (DC)
  • 1.4A (DC)
  • 150毫安（直流）
  • 2A
  • 150毫安
  • 500毫安 (DC)
  • 27A (DC)
  • 14A (DC)
  • 25A
  • 1.5A (DC)
  • 215毫安（直流）
  • 100A
  • 3A
  • 3.6A
  • 350毫安
  • 100毫安
  • 33毫安
  • 75毫安
  • 1A (DC)
  • 15A (DC)
  • 35A (DC)
  • 30A
  • 70A
  • 24.5A (DC)
  • 4A
  • 12A (DC)
  • 4A (DC)
  • 15A
  • 700毫安
  • 1.5A
  • 100毫安（直流）
  • 5A
  • 120毫安（直流）
  • 70毫安
  • 215毫安
  • 30A (DC)
  • 350毫安 (DC)
  • 50A (DC)
  • 120毫安
  • 500毫安
  • 4.5A
  • 1.6A
  • 20毫安（直流）
  • 20A
  • 10A (DC)
  • 60A
  • 6A
  • 25.5A (DC)
  • 30毫安 (DC)
  • 200毫安
  • 57A (DC)
  • 85A
  • 125毫安
  • 120A
  • 200毫安（直流）
  • 7A
  • 70毫安 (DC)
  • 250毫安
  • 900毫安
  • 40A (DC)
  • 500A
  • 2.5A
  • 50毫安
更多
工作结温:
  • -40摄氏度~175摄氏度
  • -40摄氏度~100摄氏度
  • 200摄氏度（最高）
  • -55摄氏度~100摄氏度
  • 180摄氏度（最高）
  • -30摄氏度~160摄氏度
  • 150摄氏度
  • -40摄氏度~190摄氏度
  • 0摄氏度~140摄氏度
  • 160摄氏度（最高）
  • -65摄氏度~195摄氏度
  • -40摄氏度~180摄氏度
  • -65摄氏度~200摄氏度
  • -60摄氏度~150摄氏度
  • -20摄氏度~80摄氏度
  • -55摄氏度~250摄氏度
  • -60摄氏度~175摄氏度
  • -30摄氏度~85摄氏度
  • 125摄氏度（最高）
  • -50摄氏度~200摄氏度
  • -55摄氏度~180摄氏度
  • -25摄氏度~85摄氏度
  • -65摄氏度~170摄氏度
  • -40摄氏度~160摄氏度
  • 75摄氏度 (Max)
  • -50摄氏度~150摄氏度
  • -65摄氏度~100摄氏度
  • -65摄氏度~85摄氏度
  • -20摄氏度~125摄氏度
  • -65摄氏度~125摄氏度
  • -50摄氏度~175摄氏度
  • -40摄氏度~200摄氏度
  • -65摄氏度~180摄氏度
  • -40摄氏度~125摄氏度
  • -40摄氏度~150摄氏度
  • 175摄氏度（最高）
  • -55摄氏度~125摄氏度
  • -25摄氏度~150摄氏度
  • -45摄氏度~175摄氏度
  • 175摄氏度
  • -65摄氏度~190摄氏度
  • -55摄氏度~160摄氏度
  • -40摄氏度~140摄氏度
  • 150摄氏度（最高）
  • -65摄氏度~160摄氏度
  • -60摄氏度~200摄氏度
  • 120摄氏度（最高）
  • -60摄氏度~125摄氏度
  • -65摄氏度~175摄氏度
  • 140摄氏度（最高）
  • -40摄氏度~120摄氏度
  • -55摄氏度~200摄氏度
  • -40摄氏度～135摄氏度
  • -20摄氏度~150摄氏度
  • -65摄氏度~150摄氏度
  • -65摄氏度～155摄氏度
  • -50摄氏度~100摄氏度
  • -45摄氏度~150摄氏度
  • -60摄氏度~180摄氏度
  • -50摄氏度~125摄氏度
  • -65摄氏度~90摄氏度
  • -40摄氏度~70摄氏度
  • -55摄氏度~150摄氏度
  • 125摄氏度
  • 100摄氏度（最高）
  • -25摄氏度~180摄氏度
  • -55摄氏度~175摄氏度
  • -55摄氏度～155摄氏度
更多
制造厂商:
  • 宝英电源 (Powerex)
  • 鲁光 (LGE)
  • 恩智浦 (NXP)
  • 托克马斯 (Tokmas)
  • 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
  • 正芯半导体 (RealChip)
  • 中央半导体 (Central)
  • 合科泰 (Hottech)
  • 赛米奇公司 (SemiQ)
  • 永裕泰 (YONGYUTAI)
  • 钜兴 (JUXING)
  • 瑞隆源 (RUILON)
  • EIC半导体公司 (EIC)
  • 哈利斯 (HARRIS)
  • 安世半导体 (Nexperia)
  • 欧米特 (Ohmite)
  • 治润 (ZRE)
  • 东芝 (Toshiba)
  • 扬杰 (YANGJIE)
  • 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 伯恩半导体 (BORN)
  • 力特 (Littelfuse)
  • 美国电源集成公司 (Power Integrations)
  • 齐洛格 (Zilog)
  • 科信 (KEXIN)
  • 桑德斯 (SMC)
  • 佑风微 (YFW)
  • 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 德昌 (TC)
  • 固锝 (GOOD-ARK)
  • 威恩半导体有限公司 (WeEn)
  • 德州仪器 (Texas)
  • Multicomp (Multicomp)
  • 固态公司 (Solid State )
  • 杰盛微 (JSMSEMI)
  • 模拟器件公司 (Analog)
  • 蓝箭 (BLUE ROCKET)
  • 安世 (Nexperia)
  • 维攀微 (WPMtek)
  • 萨科微 (Slkor)
  • 浪涌元件公司 (SURGE)
  • 管库 (TubeDepot)
  • 东沃 (DOWO)
  • 基因半导体公司 (GeneSiC)
  • 晶瓷 (KYOCERA AVX)
  • 富信 (FOSAN)
  • 森美特 (SUNMATE)
  • 森萨塔科技快达 (Sensata-Crydom)
  • 乐山无线电 (LRC)
  • 微型商业组件 (Micro)
  • 苏里奥 (Souriau-Sunbank)
  • 英飞凌 (Infineon)
  • 扬州扬杰 (Yangzhou Yangjie)
  • 台冠电子 (TDD)
  • 安盛美 (onsemi)
  • 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 江苏佑风微 (YFSEMI)
  • 威世二极管 (Vishay General)
  • 马康 (MACOM)
  • 平伟 (PINGWEI)
  • 松下电子元件 (Panasonic)
  • 菲尼克斯电气 (Phoenix)
  • 强茂 (Panjit)
  • 微芯 (Microchip)
  • 瑞特隆 (Rectron)
  • 志得 (ZHIDE)
  • 美国柏恩 (Bourns)
  • 欧普泰克 (TT)
  • 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 特瑞仕 (Torex)
  • 时科 (SHIKUES)
  • NTE电子 (NTE)
  • 罗姆 (Rohm)
  • 美国美高森美公司 (Microsemi)
  • 无锡铭芯微 (MICRO)
  • DComponents (DComponents)
  • 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 宝力芯 (PSI)
  • KUU电子科技 (KUU)
  • 富芯森美 (FUXINSEMI)
  • 桑德斯微电子器件（南京）有限公司 (SMC Diode)
  • 三垦电气株式会社 (Sanken)
  • 先科电子 (Semtech)
  • 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor)
  • 慧芯 (HUXN)
  • 美高森美 (Microsemi)
  • 瑞能 (WeEn)
  • 旭昌辉 (XCH)
  • 江苏长电/长晶 (CJ)
  • 海德 (High Diode)
  • 台湾典琦科技股份有限公司 (Comchip)
  • 美森科 (MSKSEMI)
  • 雷卯电子 (Leiditech)
  • 台舟 (TECH PUBLIC)
  • 瑞萨电子 (Renesas)
  • 深圳辰达行电子有限公司 (MDD)
  • 德欧泰克半导体 (Diotec)
  • 广东友台半导体 (UMW)
  • 固得沃克 (GOODWORK)
  • 佳尔科工业电子 (Galco)
更多
供应商设备包装:
  • DO-35（DO-204AH）
  • DO-34
  • SOD-123W
  • DO-35
  • PG-TO220-2-1
  • TO-247AC Modified
  • DO-214BA（GF1）
  • SOD-123
  • TO-263-2
  • SOD-923
  • SOD-523
  • X1-DFN1006-2
  • 0603/SOD-523F
  • DO-41
  • 0603C/SOD-523F
  • B, Axial
  • 2-DSN（1x0.6），（0402）
  • SMA
  • SMA（DO-214AC）
  • SMC
  • SMB
  • DO-201AD
  • SOT-23-3
  • DO-220AA（SMP）
  • SOD-128/CFP5
  • SOD-123F
  • DO-219AB（SMF）
  • SOD-123H
  • DO-214AC（SMA）
  • SOD-57
  • SOT23-3 (TO-236)
  • X2-DFN1006-2
  • P600
  • DO-15
  • 2-X3-DFN0603
  • DO-213AB
  • DO-214AA，HSMB
  • 0201 (0603 Metric)
  • Axial
  • Mini-SMA/SOD-123
  • TO-220-2
  • DO-4
  • TO-277A (SMPC)
  • DO-5
  • DFN1006D-2
  • PG-SC79-2
  • DO-204AL（DO-41）
  • TSMD5
  • TO-247-2
  • 1206/SOD-123
  • DO-213AA（GL34）
  • SOD-80
  • PMDS
  • DFN2020D-3
  • PMDU
  • SMD0603
  • TO-263AB
  • DO-214AB（HSMC）
  • B, SQ-MELF
  • TO-220-2L
  • TO-220ACP
  • SOD-323
  • SOD-323HE
  • PowerDI5.
  • SMC（DO-214AB）
  • 2-X3DFN（0.6x0.3）（0201）
  • DO-247
  • SMB（DO-214AA）
  • DO-214AB（SMC）
  • SOD-80 MiniMELF
  • CLP1608-2L
  • 2114/DO-214AA
  • Powermite
  • DO-214AA（SMB）
  • TO-236AB
  • SOD-123FL
  • 0805 (2012 Metric)
  • DO-203AB（DO-5）
  • D-5D
  • D-5B
  • 3-HUSON（2x2）
  • D-5A
  • LLDS；MiniMelf
  • TO-220AC
  • CST2
  • TO-247AD
  • PG-SOT23
  • PG-SOD323-2
  • CFP15
  • SOT-23-3 (TO-236)
  • DFN1006-2
  • DO-204AC（DO-15）
  • X3-DFN0603-2
  • TO-252-2
  • TO-252-3
  • SC-59
  • DO-203AA（DO-4）
  • SOT-323
  • PowIRtab
  • SOD-323F
更多
反向恢复时长 (trr):
  • 34 ns
  • 260纳秒
  • 17纳秒
  • 8.4 ns
  • 2.5s
  • 7.5 s
  • 1.8s
  • 780 ns
  • 2.4纳秒
  • 170纳秒
  • 9 ns
  • 5.6 ns
  • 20纳秒
  • 20.8纳秒
  • 1.6纳秒
  • 2纳秒
  • 31 ns
  • 4.35 ns
  • 25纳秒
  • 52 ns
  • 6.4 ns
  • 93纳秒
  • 5.9 ns
  • 120纳秒
  • 4.s
  • 4.7纳秒
  • 16纳秒
  • 78 ns
  • 35纳秒
  • 12纳秒
  • 55 ns
  • 400 ns
  • 1.2s
  • 3.1 ns
  • 42 ns
  • 6.15 ns
  • 90 ns
  • 200纳秒
  • 1.42纳秒
  • 75 ns
  • 1纳秒
  • 33 ns
  • 250纳秒
  • 24纳秒
  • 50 ns
  • 3.5s
  • 70 ns
  • 900 ps
  • 140纳秒
  • 64 ns
  • 3.s
  • 19纳秒
  • 15纳秒
  • 5 ns
  • 220纳秒
  • 3.8纳秒
  • 115纳秒
  • 600 ns
  • 325 ns
  • 195纳秒
  • 73 ns
  • 22纳秒
  • 1.8纳秒
  • 4纳秒
  • 27纳秒
  • 23纳秒
  • 1.5s
  • 95纳秒
  • 900 ns
  • 8 ns
  • 2.s
  • 49 ns
  • 30纳秒
  • 13.7纳秒
  • 920纳秒
  • 0纳秒
  • 6.7 ns
  • 80 ns
  • 300纳秒
  • 100 ps
  • 3.5纳秒
  • 1.37纳秒
  • 150纳秒
  • 782 ns
  • 40纳秒
  • 154纳秒
  • 65 ns
  • 11.1纳秒
  • 21纳秒
  • 3纳秒
  • 60 ns
  • 85 ns
  • 100纳秒
  • 45纳秒
  • 37 ns
  • 20s
  • 6 ns
  • 1.s
  • 10纳秒
  • 500 ns
更多
类别
射频评估和开发套件、电路板RFID 评估和开发套件、电路板
当前"单整流二极管"共 27664 条相关库存
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
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品牌型号
描述
价格
库存
交期
数量
操作
LMBD6100LT1G
LMBD6100LT1G
LMBD6100LT1G 乐山无线电 (LRC)
二极管配置：1对共阴极 功率：300mW 直流反向耐压(Vr)：70V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1.1V 反向恢复时间(trr)：4ns

¥0.11799

4400

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.11799

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LBAV21T1G
LBAV21T1G
LBAV21T1G 乐山无线电 (LRC)
二极管配置：独立式 功率：250mW 直流反向耐压(Vr)：250V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1.25V 反向恢复时间(trr)：50ns

¥0.10937

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.10937

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L1SS355T1G
L1SS355T1G
L1SS355T1G 乐山无线电 (LRC)
二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V 反向恢复时间(trr)：4ns

¥0.06012

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.06012

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BAS16WS
BAS16WS
BAS16WS 扬杰 (YANGJIE)
二极管配置：独立式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：1V@50mA 反向恢复时间(trr)：4ns

¥0.15138

50

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.15138

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LBAS21LT1G
LBAS21LT1G
LBAS21LT1G 乐山无线电 (LRC)
二极管配置：独立式 功率：300mW 直流反向耐压(Vr)：250V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：1V 反向恢复时间(trr)：50ns

¥0.12240

5950

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12240

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1SS272(TE85L,F)
1SS272(TE85L,F)
1SS272(TE85L,F) 东芝 (Toshiba)
二极管配置：2对串联式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：920mV@100mA 反向恢复时间(trr)：1.6ns

¥1.16119

6330

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.16119

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PSBD1DF20V3H
PSBD1DF20V3H
PSBD1DF20V3H 芯导 (Prisemi)
直流反向耐压(Vr)：20V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：550mV@1A

¥0.36268

5150

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.36268

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L1SS400GT1G
L1SS400GT1G
L1SS400GT1G 乐山无线电 (LRC)
二极管配置：独立式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V 反向恢复时间(trr)：4ns

¥0.12748

12000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12748

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PSBD1DF40V1H
PSBD1DF40V1H
PSBD1DF40V1H 芯导 (Prisemi)
直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：550mV@1A

¥0.17373

4220

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17373

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1SS352
1SS352
1SS352 时科 (SHIKUES)
二极管配置：独立式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向恢复时间(trr)：4ns

¥0.12912

5500

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12912

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BAV99BRW
BAV99BRW
BAV99BRW 永裕泰 (YONGYUTAI)
直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：300mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向恢复时间(trr)：4ns

¥0.36364

2930

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1SS187(LF,T)
1SS187(LF,T)
1SS187(LF,T) 东芝 (Toshiba)
二极管配置：独立式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：920mV@100mA 反向恢复时间(trr)：1.6ns

¥0.39401

500

2-3 工作日

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BAS516WT
BAS516WT
BAS516WT 慧芯 (HUXN)
二极管配置：独立式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向恢复时间(trr)：4ns

¥0.07983

5700

2-3 工作日

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1SS300,LF(T
1SS300,LF(T
1SS300,LF(T 东芝 (Toshiba)
二极管配置：1对串联式 功率：100mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：920mV@100mA 反向恢复时间(trr)：1.6ns

¥0.11951

100

2-3 工作日

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LBAS20HT1G
LBAS20HT1G
LBAS20HT1G 乐山无线电 (LRC)
二极管配置：独立式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1V 反向恢复时间(trr)：50ns

¥0.20892

5860

2-3 工作日

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1N4148WS-HAF
1N4148WS-HAF
1N4148WS-HAF
暂无

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4400

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KDS226-RTK/P
KDS226-RTK/P
KDS226-RTK/P
二极管配置：1对串联式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：900mV@100mA 反向恢复时间(trr)：1.6ns

¥0.23145

4090

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1N4148W(T4)
1N4148W(T4)
1N4148W(T4)
暂无

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5000

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1SS355_R1_00001
1SS355_R1_00001
1SS355_R1_00001
二极管配置：独立式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向恢复时间(trr)：4ns

¥0.14175

5120

2-3 工作日

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LL4448_R1_10001
LL4448_R1_10001
LL4448_R1_10001
二极管配置：独立式 功率：500mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1V@100mA 反向恢复时间(trr)：4ns

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5450

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