分立双极结型晶体管 (BJT) 通常用于构建音频、无线电和其他应用中的模拟信号放大功能。作为首批批量生产的半导体器件之一,其特性不如其他器件类型适用于涉及高频开关和高电流或高电压操作的应用,但它们仍然是需要模拟信号再现应用的首选,拥有最小的噪声和失真。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 45伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: SOT-323 | ¥0.28103 | 3212 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.28103 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 45伏 最大功率: 310 mW 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) | ¥0.09706 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.91165 | 立即购买 加入购物车 | ||
NPN SILICON TRANSISTOR | ¥1.08644 | 19000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,239.14254 | 添加到BOM 立即询价 | ||
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | ¥16.44138 | 24000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,186.70394 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 2A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 50 W 特征频率: 25兆赫 供应商设备包装: TO-220-3 | ¥1.50390 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,625.81115 | 立即购买 加入购物车 | ||
NPN SILICON TRANSISTOR | ¥2.10044 | 18814 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,165.55467 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 140MHz 供应商设备包装: VMT3 | ¥0.13906 | 900 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.13906 | 立即购买 加入购物车 | ||
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | ¥6.88076 | 73180 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.19934 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 150伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: SMini3-G1 | ¥1.44858 | 2656 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 8 A 集电极击穿电压: 400伏 最大功率: 80 W 供应商设备包装: TO-220-3 | ¥3.11445 | 15094 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.57069 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 4A 集电极击穿电压: 400伏 最大功率: 75 W 供应商设备包装: TO-220 | ¥1.24216 | 430 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.24216 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 2A 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 2 W 供应商设备包装: TO-220-3 | ¥1.44858 | 1061 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,536.94338 | 添加到BOM 立即询价 | ||
PNP SILICON TRANSISTOR | ¥0.43457 | 852000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANS DARLINGTON NPN 0.5A | ¥2.10044 | 15643 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,165.55467 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 330毫瓦 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: PG-SOT23-3 | ¥0.20642 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3,096.34500 | 立即购买 加入购物车 | ||
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON | ¥0.72429 | 59924 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: SST3 | ¥0.19411 | 950 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.19411 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 65 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: SOT-323 | ¥0.51664 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.49908 | 添加到BOM 立即询价 | ||
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON | ¥1.08644 | 18500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,239.14254 | 添加到BOM 立即询价 | ||
PNP POWER TRANSISTOR | ¥16.44138 | 689 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,186.70394 | 添加到BOM 立即询价 |