预偏置双极晶体管具有内部电阻,旨在不施加输入信号的情况下将器件维持在偏置或工作点附近。晶体管偏置使晶体管能够更有效地工作并产生稳定、不失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元件的数量,从而降低了项目成本。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SOT-323 | ¥0.24083 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥722.47800 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 325毫瓦 特征频率: 210兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3 | ¥0.41154 | 25000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,057.71000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1 | ¥0.59137 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.59137 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANS PNP 50V 10/10K SC-75 | ¥0.28972 | 69210 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | ¥0.50063 | 6000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,501.88700 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥0.34114 | 558 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.34114 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323 | ¥0.70899 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.70899 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2 | ¥0.92409 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.92409 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 70 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F(SOT-416FL) | ¥0.14941 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.14941 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SOT-323 | ¥0.23988 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥719.63400 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 325毫瓦 特征频率: 210兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3 | ¥0.40993 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,049.63000 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1 | ¥1.84567 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.84567 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416 | ¥0.28972 | 54000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANS PREBIASED NPN 150MW SOT523 | ¥2.67987 | 652 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.67987 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥1.52101 | 1785 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini5-F2 | ¥0.95931 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.95931 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F3 | ¥1.01638 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.01638 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F(SOT-416FL) | ¥0.96666 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.96666 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SOT-323 | ¥0.24083 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥722.47800 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 325毫瓦 特征频率: 210兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3 | ¥0.41154 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,057.71000 | 添加到BOM 立即询价 |