预偏置双极晶体管具有内部电阻,旨在不施加输入信号的情况下将器件维持在偏置或工作点附近。晶体管偏置使晶体管能够更有效地工作并产生稳定、不失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元件的数量,从而降低了项目成本。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 310 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥2.67987 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.67987 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB | ¥0.31796 | 473 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.31796 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416 | ¥0.45601 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,736.07800 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-323 | ¥0.68206 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.68206 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 700 mA 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 1 W 特征频率: 55 MHz 供应商设备包装: MiniP3-F1 | ¥2.02801 | 1425 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.02801 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: DFN1006B-3 | ¥0.25582 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,558.19000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥0.26302 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.26302 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F(SOT-416FL) | ¥1.44858 | 2792 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SSSMini3-F2-B | ¥3.11445 | 8906 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.11445 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3 | ¥0.38083 | 10000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,808.32000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416 | ¥0.45601 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,736.07800 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70 | ¥2.89716 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.89716 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-323 | ¥0.33375 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,001.25900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) | ¥0.34766 | 30004 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.34766 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥0.61275 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.61275 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: DFN1006B-3 | ¥0.25582 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,558.19000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥2.31773 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.31773 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥1.44858 | 2742 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SSSMini3-F2-B | ¥3.11445 | 8496 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.11445 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883 | ¥0.15717 | 996 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15717 | 立即购买 加入购物车 |