预偏置双极晶体管具有内部电阻,旨在不施加输入信号的情况下将器件维持在偏置或工作点附近。晶体管偏置使晶体管能够更有效地工作并产生稳定、不失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元件的数量,从而降低了项目成本。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 280毫瓦 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3 | ¥0.35469 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,773.42500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.89096 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.89096 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323) | ¥0.28618 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.28618 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F1 | ¥0.72429 | 8607 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.72429 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | ¥1.37615 | 2425 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.37615 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 300兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥1.62096 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,862.88300 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SSSMini3-F2-B | ¥3.33173 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.33173 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323) | ¥0.19657 | 144000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,358.86400 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 160兆赫 供应商设备包装: PG-SOT323-3 | ¥0.21729 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,932.33329 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 280毫瓦 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3 | ¥0.35469 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,773.42500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.59344 | 5277 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.59344 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323) | ¥0.15645 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15645 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F1 | ¥0.72429 | 8421 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.72429 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883 | ¥0.27407 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,740.71000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥0.69097 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,072.91900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SSSMini3-F2-B | ¥3.33173 | 8898 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.33173 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70(SOT323) | ¥0.21729 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,741.12073 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323) | ¥0.19657 | 285000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,358.86400 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 280毫瓦 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3 | ¥0.35469 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,773.42500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-523 | ¥1.44858 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 |