预偏置双极晶体管具有内部电阻,旨在不施加输入信号的情况下将器件维持在偏置或工作点附近。晶体管偏置使晶体管能够更有效地工作并产生稳定、不失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元件的数量,从而降低了项目成本。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 | ¥1.91213 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.91213 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2 | ¥1.37615 | 2670 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.37615 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥2.96959 | 3002 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.96959 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SMT3;MPAK | ¥1.44087 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44087 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥2.02801 | 6 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.02801 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 供应商设备包装: SSMini3-F3-B | ¥1.25530 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.25530 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥0.38315 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,149.44700 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23 | ¥0.33897 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,558.72000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) | ¥0.06808 | 7305 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.06808 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-59-3 | ¥0.96441 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.96441 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323 | ¥0.83742 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.83742 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥3.04202 | 5215 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.04202 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F1 | ¥2.46259 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46259 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-75,SOT-416 | ¥0.97417 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.97417 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥0.38387 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,070.99200 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥0.99502 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,985.06600 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23 | ¥0.35190 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,360.34334 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 供应商设备包装: SSMini3-F3-B | ¥0.83698 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.83698 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) | ¥1.08644 | 548 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.08644 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SOT-323 | ¥1.37615 | 5888 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.37615 | 添加到BOM 立即询价 |