场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 62V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,225.78840 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,225.78840 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.4A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.94014 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.94014 | 添加到BOM 立即询价 | ||
DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET | ¥12.02321 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.02321 | 添加到BOM 立即询价 | ||
DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M | ¥7.31533 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.31533 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.67891 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.67891 | 添加到BOM 立即询价 |