RF 晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,流经器件的电流由电场控制。该系列中的器件设计用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管,类型包括E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N沟道、P沟道、pHEMT、碳化硅、2个N沟道和4个N沟道。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 2.8A. 频率: 3.4GHz~3.8GHz 输出端功率: 75W 供应商设备包装: CDFM6 | ¥561.04952 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥561.04952 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 频率: 2.17GHz 输出端功率: 10W 供应商设备包装: NI-360S | ¥534.69985 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥534.69985 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双),共源 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 4.5A. 频率: 1.8GHz~1.99GHz 输出端功率: 170瓦 供应商设备包装: LDMOST | ¥651.68862 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥651.68862 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 频率: 1.99GHz 输出端功率: 50W 供应商设备包装: NI-880H-2L | ¥828.31977 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥828.31977 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 卷边 额定电压: 125伏 频率: 2.62GHz~2.69GHz 输出端功率: 170瓦 供应商设备包装: H-37248C-4 | ¥828.60225 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41,430.11230 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 频率: 2.17GHz 输出端功率: 50W 供应商设备包装: NI-880H-2L | ¥201.94654 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥201.94654 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 频率: 2.16GHz~2.17GHz 输出端功率: 23W 供应商设备包装: NI-780S | ¥366.92531 | 50 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.55188 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双) 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 1.4A. 频率: 1.805GHz~2.17GHz 供应商设备包装: 16-HSOP | ¥768.49632 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥768.49632 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双),共源 额定电压: 105伏 额定电流(单位:安培): 10A. 频率: 755MHz ~ 805MHz 输出端功率: 650W 供应商设备包装: PG-HB2SOF-6-1 | ¥839.59697 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥419,798.48400 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 频率: 1.99GHz 输出端功率: 50W 供应商设备包装: NI-880S | ¥723.81077 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥723.81077 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 金属半导体场效应晶体管 额定电流(单位:安培): 84毫安 频率: 28GHz 输出端功率: 22分贝m 供应商设备包装: Chip | ¥368.30147 | 100 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥368.30147 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双),共源 额定电压: 105伏 额定电流(单位:安培): 10A. 频率: 746MHz ~ 960MHz 输出端功率: 351.5W 供应商设备包装: H-37248-4 | ¥839.61725 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥209,904.31200 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 碳化硅MESFET 额定电压: 120伏 额定电流(单位:安培): 1.8A 频率: 1.95GHz 输出端功率: 12W 供应商设备包装: 440166 | ¥372.78980 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥372.78980 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 频率: 3.4GHz~3.6GHz 输出端功率: 2W 供应商设备包装: NI-400S-2S | ¥379.89011 | 20 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,279.34063 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 5A 频率: 2.3GHz~2.4GHz 输出端功率: 140瓦 供应商设备包装: SOT502B | ¥992.67566 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥992.67566 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双),共源 额定电压: 105伏 额定电流(单位:安培): 10A. 频率: 920MHz~960MHz 输出端功率: 630W 供应商设备包装: PG-HB2SOF-6-1 | ¥840.34009 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥210,085.02250 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 68 V 频率: 1.99GHz 输出端功率: 100W 供应商设备包装: TO-272 WB-4 | ¥380.17982 | 25 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,281.07893 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 碳化硅MESFET 额定电压: 120伏 额定电流(单位:安培): 1.8A 频率: 1.95GHz 输出端功率: 12W 供应商设备包装: 440196 | ¥760.53347 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥760.53347 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 砷化镓场效应晶体管 额定电流(单位:安培): 80毫安 频率: 500MHz ~ 26GHz 供应商设备包装: Chip | ¥382.42512 | 100 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥382.42512 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 碳化硅MESFET 额定电压: 120伏 额定电流(单位:安培): 9A 频率: 1.1GHz 输出端功率: 60W 供应商设备包装: 440193 | ¥489.85181 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥489.85181 | 添加到BOM 立即询价 |