RF 晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,流经器件的电流由电场控制。该系列中的器件设计用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管,类型包括E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N沟道、P沟道、pHEMT、碳化硅、2个N沟道和4个N沟道。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类别: LDMOS(双) 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 1.4A. 频率: 2.1GHz~2.2GHz 输出端功率: 45W 供应商设备包装: OMP-780-16G-1 | ¥368.80847 | 97 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥368.80847 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: pHEMT FET 额定电压: 15伏 频率: 3.5GHz 输出端功率: 2W 供应商设备包装: NI-360 | ¥574.50596 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥574.50596 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANS RF 60W LDMOS DFM6F | ¥368.80847 | 44 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥368.80847 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 10A. 频率: 2.14GHz 输出端功率: 12W 供应商设备包装: H-36265-2 | ¥1,240.76671 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,240.76671 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: pHEMT FET 额定电压: 15伏 频率: 3.5GHz 输出端功率: 20W 供应商设备包装: NI-360 | ¥606.59577 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥606.59577 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双),共源 额定电压: 135伏 频率: 108MHz 输出端功率: 250瓦 供应商设备包装: 4-HSOPF | ¥372.86449 | 35 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥372.86449 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 10A. 频率: 2.14GHz 输出端功率: 12W 供应商设备包装: H-36265-2 | ¥1,383.64016 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,383.64016 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双),共源 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 1.4A. 频率: 1.805GHz~2.2GHz 输出端功率: 60W 供应商设备包装: SOT-1275-1 | ¥382.71484 | 95 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥382.71484 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双),共源 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 1.4A. 频率: 1.805GHz~2.2GHz 输出端功率: 60W 供应商设备包装: SOT1275-1 | ¥382.71484 | 40 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥382.71484 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 10A. 频率: 2.14GHz 输出端功率: 18W 供应商设备包装: H-36265-2 | ¥354.61238 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥354.61238 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 10A. 频率: 2.14GHz 输出端功率: 18W 供应商设备包装: H-36265-2 | ¥171.57851 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥171.57851 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双) 额定电压: 105伏 额定电流(单位:安培): 1.4A. 频率: 600MHz ~ 960MHz 输出端功率: 500W 供应商设备包装: OMP-780-6F-1 | ¥389.45073 | 44 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥389.45073 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 10A. 频率: 2.14GHz 输出端功率: 18W 供应商设备包装: H-37265-2 | ¥1,800.80223 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,800.80223 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双),共源 额定电压: 135伏 频率: 108MHz 输出端功率: 250瓦 供应商设备包装: 4-HSOP | ¥401.03937 | 73 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥401.03937 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 10A. 频率: 2.14GHz 输出端功率: 18W 供应商设备包装: H-37265-2 | ¥1,726.66390 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,726.66390 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双),共源 额定电压: 135伏 频率: 108MHz 输出端功率: 350瓦 供应商设备包装: 4-HSOPF | ¥401.03937 | 53 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥401.03937 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 频率: 2.5GHz~2.7GHz 输出端功率: 25瓦 供应商设备包装: SOT502B | ¥479.11784 | 100 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥479.11784 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 10A. 频率: 2.14GHz 输出端功率: 50W 供应商设备包装: H-36260-2 | ¥628.65794 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥628.65793 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 10A. 频率: 2.14GHz 输出端功率: 50W 供应商设备包装: H-36260-2 | ¥533.01081 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥533.01081 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 10A. 频率: 2.14GHz 输出端功率: 50W 供应商设备包装: H-37260-2 | ¥875.29262 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥875.29262 | 添加到BOM 立即询价 |