分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 39A (Tc) 最大功耗: 37.9W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥50.41058 | 1677 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.41058 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥29.40617 | 697 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.40617 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 180W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥16.73110 | 800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.04287 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 200W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥29.40617 | 590 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.40617 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.88315 | 166620 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,193.87441 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 290W(Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥50.55544 | 1799 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.55544 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安 (Tc) 最大功耗: 25W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥29.40617 | 300 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.40617 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.88315 | 36000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,208.93964 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥29.40617 | 232 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.05688 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥50.77273 | 88000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.22735 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥36.75048 | 2 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥36.75048 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 240W(Tc) 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥50.99002 | 18795 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.57069 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥1.88315 | 12000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,208.93964 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 34W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-31 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥30.63167 | 4 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥30.63167 | 立即购买 加入购物车 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥16.80353 | 499 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,184.45864 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 400W (Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥51.42459 | 300 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.42459 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 85W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥1.88315 | 9896 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,173.15972 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 310W (Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥29.98561 | 597 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,188.94924 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安(Ta) 供应商设备包装: SC-75-3,USM | ¥1.88315 | 1618 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,208.93964 | 添加到BOM 立即询价 | ||
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 500 V | ¥50.62787 | 994 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.62787 | 添加到BOM 立即询价 |