绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作结合了高效率和快速开关的电子开关。作为模块,IGBT 可配置为不对称桥、升压、降压和制动斩波器、全桥、三电平和三相逆变器。有些内置 NTC 热敏电阻用于温度监控。IGBT 模块的区别在于最大功率、集电极电流、集电极-发射极击穿电压和配置。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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IGBT MODULES | ¥5,230.96724 | 2 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,230.96724 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 430 A 最大功率: 1150瓦 供应商设备包装: SP6 | ¥1,106.78755 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,747.51284 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 625 A 最大功率: 2000瓦 供应商设备包装: D4 | ¥2,477.96060 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,477.96060 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 2560 A 最大功率: 5600 W 供应商设备包装: Module | ¥5,237.37865 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,237.37865 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 1400 A 最大功率: 1400000 W 供应商设备包装: Module | ¥7,989.03944 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23,967.11832 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 430 A 最大功率: 1150瓦 供应商设备包装: SP6 | ¥1,106.78755 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,747.51284 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SP1 | ¥4,572.19651 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,572.19651 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT MODULE STACK A-PS3-1 | ¥348,566.76594 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥348,566.76594 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT MODULE 1700V 600A | ¥8,427.83844 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16,855.67688 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 三相逆变器 最大功率: 9980 W 供应商设备包装: Module | ¥3,233.67392 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,233.67392 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 450 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: Module | ¥738.92066 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,477.84132 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SP4 | ¥2,856.26773 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,856.26773 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1700伏 最大功率: 6250 W 供应商设备包装: Module | ¥8,166.87675 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16,333.75351 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 65 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥2,145.83535 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,145.83535 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MODULE IGBT STACK A-MS3-1 | ¥873.08814 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥873.08814 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 600 A 最大功率: 2500瓦 供应商设备包装: Module | ¥8,496.64599 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33,986.58396 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SP1 | ¥70,941.82341 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥70,941.82341 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 225 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: SP4 | ¥1,118.00369 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,826.02581 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 1100 A 最大功率: 14500 W 供应商设备包装: Module | ¥8,655.31620 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,655.31620 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 1000 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: Module | ¥8,590.80369 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34,363.21476 | 添加到BOM 立即询价 |