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什么是存储器:

存储器是一种在集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件有多种格式：CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM（非易失性或易失性）。这些器件的内存大小范围为 64 b 至 6 Tb，接口包括 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。

存储格式:
PROM
FLASH, RAM
FLASH
SRAM
NVSRAM
EEPROM
CBRAM
EERAM
PCM (PRAM)
EPROM
PSRAM
FRAM
DRAM
RAM
更多
存储类型:
Non-Volatile
Volatile
电源电压:
1.6伏~5.5伏
1.5伏~3.6伏
1.7伏~3伏
2.4伏~2.6伏
3.14伏~3.63伏
0.95伏
2.3伏~3.6伏
1.283V～1.45V
1.7伏～1.95伏
4.94V ~ 5.46V
2.8伏~4.5伏
2.65伏~5.5伏
2.7伏~5.5伏
1.8伏~3.6伏
1.06伏~1.17伏，1.7伏~1.95伏
1.283V～1.45V、1.425V～1.575V
1.7伏~2.2伏
1.425伏~ 1.575伏
2.7伏~3.3伏
2伏~5.5伏
4V ~ 6.5V
1.65伏~2.2伏
4.5伏~6.5伏
1.65伏~4.4伏
1.26伏~ 1.34伏
1.7伏~3.6伏
2.375伏~2.625伏
1V
1.7伏~2伏，2.3伏~2.7伏
2.3V ~ 3V
2.5伏~3.6伏
1.75伏～1.95伏
3.135V~3.6V
2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
1.65伏~2.1伏
1.65V~2V
1.7伏~5.5伏
1.65伏~3.6伏
1.6伏~3.6伏
2.4伏~3.6伏
2.5伏~6伏
1.4伏~1.6伏
1.8伏~5.5伏
1.71V~3.63V
2.6伏~3.3伏
2.35伏~3.6伏
4.5伏~6伏
1.65伏～1.95伏
3.135V ~ 3.63V
2.5伏~2.7伏
1.65伏~2.75伏
1.7V~1.9V、2.4V~2.6V、2.7V~3.3V
2.5V ~ 6.0V
2.85伏~5.25伏
3V～5.5V
1.2伏～1.35伏
1.7伏~1.9伏
2.5伏~5.5伏
3.15伏~3.6伏
3.135V~3.465V
2V~3.6V
2.7V~3.6V、4.5V~5.5V
4.5V～12.5V
2.7V ~ 3.65V
1.7伏～1.98伏
1.14伏～1.26伏
1.275V～1.455V
1.65V~3V
2.8V ~ 5.25V
1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏
2.7伏~4.5伏
2.2伏~3.6伏
3V～5.25V
1.65伏~2.25伏
5V
3.15伏~3.45伏
1.42V~1.58V，1.7V~1.9V
1.4伏~1.65伏
4.75伏~5.5伏
3V~3.6V，4.5V~5.5V
1.71V～1.89V
2.9伏~5.5伏
3.3伏
2.3伏~2.7伏
2.8伏~3.6伏
2.8伏~6伏
4.5伏~5.5伏
2.2伏~5.5伏
1.25伏~ 1.35伏
2.1伏~3.6伏
2.2V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
1.14伏～1.95伏
4.75伏~5.25伏
1.7伏~2伏
3V~3.6V
2.375伏~3.465伏
1.8伏~6伏
2.2V ~ 3.7V
2.65伏~3.6伏
2.7伏~3.6伏
更多
时钟频率:
45兆赫
375兆赫
333兆赫
450兆赫
1.33 GHz
800 kHz
250兆赫
4兆赫
85 MHz
6.5 MHz
401 kHz
50 MHz
30兆赫
360兆赫
133兆赫
34兆赫
75 MHz
15兆赫
5 MHz
3.4兆赫
1.5千兆赫
2千赫
266兆赫
87 MHz
56 MHz
400千赫
1.25兆赫
40兆赫
633 MHz
100兆赫
625 MHz
7 GHz
104兆赫
25兆赫
108兆赫
90 MHz
3兆赫
80 MHz
67 MHz
1.066千兆赫
550 MHz
54 MHz
2.133 GHz
10兆赫
33兆赫
125千赫
14兆赫
250千赫
8 MHz
183 MHz
300兆赫
225兆赫
533 MHz
267兆赫
52 MHz
65 MHz
166兆赫
120兆赫
143兆赫
20兆赫
350兆赫
86 MHz
1 GHz
312兆赫
28兆赫
1.6千兆赫
233兆赫
2兆赫
150兆赫
13兆赫
800 MHz
714 MHz
1.333千兆赫
933兆赫
1.067 GHz
167兆赫
278 MHz
125兆赫
357 MHz
500 MHz
900 kHz
675 MHz
667 MHz
1兆赫
366 MHz
1.25千兆赫
400兆赫
12兆赫
100千赫
16兆赫
113兆赫
1.2千兆赫
117兆赫
66 MHz
8 GHz
200兆赫
70 MHz
83 MHz
600 MHz
2.1兆赫
更多
存储容量:
16Kb (4K x 4)
256Gb (32G x 8)
16Mb (2M x 8, 1M x 16)
8Mb (512K x 18)
288Mb (16M x 18)
18Mb (512K x 36)
1Kb (128 x 8, 64 x 16)
4Kb (256 x 16)
2Mb (64K x 32)
4.5Mb (128K x 36)
1Mb (256K x 4)
16Kb (2K x 8, 1K x 16)
256Mb (16M x 16)
8Kb (512 x 16)
4Kb (512 x 8, 256 x 16)
32KB（32K x 8）
8Gb (512M x 16)
8Mb (256K x 32)
64Kb (64K x 1)
1Mb (64K x 16)
2Gb (128M x 16)
64Mb (8M x 8)
16Kb (1K x 16, 2K x 8)
8Gb
256KB
128Kb (16K x 8)
8Gb (1G x 8)
32Mb (8M x 4)
32Kb (4K x 8)
4Kb (512 x 8)
16Kb (2K x 8)
8Mb (512K x 16)
512Kb (64K x 8)
8Kb (1K x 8)
256Kb (32K x 8)
8Mb (1M x 8)
16Mb (2M x 8)
8Kb (256 x 8 x 4)
144Mb (4M x 36)
1Kb (256 x 4)
512Mb (16M x 32)
4Kb (256 x 8 x 2)
2Gb (256M x 8)
4Gb (128M x 32)
32Mb (2M x 16)
64Mb (4M x 16)
1Kb (128 x 8)
32Mb (4M x 8)
2Gb (64M x 32)
2Kb (128 x 16)
128Mb (2M x 16)
18Mb (512K x 32)
1Mb (128K x 8)
64Kb (8K x 8)
9Mb（256K x 36）
256Mb (32M x 8)
256Mb (8M x 32)
72Mb (4M x 18)
576Kb (16K x 36)
144Mb (8M x 18)
64Gb (8G x 8)
16Kb (1K x 16)
4Mb (1M x 4)
4Gb (512M x 8)
1Kb (64 x 16)
4Mb (2M x 2)
512Mb (64M x 8)
16Mb (1M x 16)
4Mb (512K x 8, 256K x 16)
2Mb (128K x 16)
8Mb (1M x 8, 512K x 16)
288Kb (32K x 9)
36Mb (1M x 36)
256Kb (64K x 4)
256b (16 x 16)
4Mb (256K x 16)
4.5Mb (256K x 18)
72Mb (2M x 36)
8Mb (256 Bytes x 4096 pages)
9Mb（512K x 18）
32Mb (4M x 8, 2M x 16)
1.152Mb（64K x 18）
576Mb (8M x 72)
512Mb (32M x 16)
4Gb (256M x 16)
2Mb (256K x 8)
4Gb (1G x 4)
64Kb (4K x 16)
2Kb (256 x 8)
2Kb (256 x 8, 128 x 16)
1Mb (64K x 18)
4Mb (512K x 8)
18Mb (1M x 18)
32Mb (256 Bytes x 16384 pages)
1Gb（128M x 8）
128Mb (4M x 32)
64Mb (2M x 32)
1Gb (64M x 16)
128Mb (16M x 8)
128Mb (8M x 16)
更多
制造厂商:
高通半导体 (GENITOP)
柯夏 (Kioxia)
英飞凌 (Infineon)
澜智 (Zetta)
加贺电子 (Kaga FEI)
联盟内存 (Alliance Memory )
夏普株式 (Sharp)
恩智浦 (NXP)
美国诺沃顿技术 (Nuvoton)
晶存 (Rayson)
意法半导体 (STMicroelectronics)
安盛美 (onsemi)
慧荣科技 (Silicon Motion )
艾普凌科有限公司 (ABLIC)
阿德斯托 (Adesto)
Insignis (Insignis)
松下电子元件 (Panasonic)
维京 (Viking)
铠侠 (KIOXIA)
钰创 (Etron)
弗莱克森私人有限公司 (Flexxon Pte )
安世半导体 (Nexperia)
德国重离子研究中心 (GSI)
戴泺格 (Dialog)
东芝 (Toshiba)
华冠 (HGSEMI)
微芯 (Microchip)
ATP (ATP)
华邦电子 (Winbond)
江波龙 (FORESEE)
旺宏 (Macronix)
英锐芯 (IDCHIP)
首鼎半导体 (SHOUDING)
芯天下 (XTX)
美国微芯 (MICROCHIP)
费利蒙 (Fremont Micro)
米客方德 (MK)
罗姆 (Rohm)
镁光 (Micron)
美国芯成 (ISSI)
迪浦 (PUOLOP)
瑞士比特 (Swissbit)
博雅 (BOYAMICRO)
德州仪器 (Texas)
IDT公司 (IDT)
霍尼韦尔航天 (Honeywell)
海力士 (HYNIX)
兆易创新 (GigaDevice)
埃弗斯宾半导体 (Everspin)
普冉 (PUYA)
芯成 (ISSI)
杰盛微 (JSMSEMI)
视差 (Parallax)
模拟器件公司 (Analog)
三星半导体 (Samsung)
复旦微 (FM)
闪迪 (SANDISK)
富士通 (FUJITSU)
虹晶科技 (Socle)
辉芒微 (FMD)
金士顿 (Kingston)
罗切斯特电子 (Rochester)
航顺 (HK)
旭化成微器件 (Asahi Kasei)
东芯半导体 (Dosilicon)
瑞萨电子 (Renesas)
上海贝岭 (BL)
英特尔 (Intel RealSense)
日清纺微器件公司 (Nisshinbo Micro)
乐山无线电 (LRC)
更多
供应商设备包装:
8-TSSOP-B
32-PDIP
8-SO
32-TSOP II
44-SOJ
36-SOJ
86-TSOP II
SC-70-5
28-TSOP I
78-FBGA (8x10.5)
28-SOJ
32-LCC (11.43x13.97)
8-USON (4x4)
24-CSPBGA (6x8)
84-TWBGA (8x12.5)
SOT-23-6
54-TSOP II
32-PLCC（11.43x13.97）
8-DFN (5x6)
54-TFBGA (8x8)
60-TFBGA (8x13)
8-TSSOP
60-FBGA (8x10)
200-VFBGA (10x14.5)
56-TSOP
44-TSOP II
60-VFBGA (8x9)
64-FBGA (9x9)
24-BGA (8x6)
8-DFN (4x4.5)
8-UDFN (2x3)
8-MSOP
100-TQFP（14x20）
60-VFBGA (8x9.5)
16-SOP
48-FBGA (6x7)
28-PDIP
96-FBGA（9x13）
36-VFBGA（6x8）
8-WSON (6x8)
8-SOP
8-USON (2x3)
8-DIP
48-TFBGA (8x10)
90-TFBGA (8x13)
8-SOP-J
84-FBGA (8x12.5)
63-BGA (9x11)
96-FBGA（7.5x13.5）
8-WSON (6x5)
24-FBGA (6x8)
48-TFBGA (6x8)
64-LFBGA (9x9)
8-DIPK
60-FBGA (8x13)
8-UFDFPN (2x3)
32-TSOP
67-VFBGA (6.5x8)
48-FBGA (10x10)
8-DFN (2x3)
63-VFBGA (10.5x13)
8-UDFN (5x6)
VSON008X2030
8-VFBGA (1.5x2)
28-SOIC
64-LFBGA, CSP (11x13)
96-TWBGA（9x13）
48-TSOP
66-TSOP II
24-CDIP
8-PDIP
8-USON (1.5x1.5)
8-SOIJ
48-TFBGA
16-SOIC
134-TFBGA (10x11.5)
54-FBGA (8x8)
24-BGA (6x8)
8-WSON (5x6)
48-VFBGA (6x8)
90-FBGA (8x13)
32-TSOP I
63-VFBGA (9x11)
8-SOIC
32-SOP
24-VFBGA (6x8)
32-SOJ
32-VSOP
4-WLCSP (0.84x0.86)
32-PLCC（13.97x11.43）
63-TFBGA (9x11)
8-WSON (8x6)
96-FBGA（7.5x13）
28-TSOP
32-SOIC
165-FBGA (13x15)
8-WDFN (5x6)
48-miniBGA (7.2x8.7)
96-VFBGA（7.5x13）
24-EDIP
更多

当前"存储器"共 46738 条相关库存

品牌型号	描述	价格	库存	交期	数量	操作
FT24C04A-USG-B 费利蒙 (Fremont Micro)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏时钟频率: 1兆赫供应商设备包装: 8-SOP	¥1.01401	387	5-7 工作日	- + 合计: ¥1.01401	添加到BOM 立即询价
AT24CM02-SSHD-T 美国微芯 (MICROCHIP)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏时钟频率: 1兆赫供应商设备包装: 8-SOIC	¥49.19473	0	2-3 工作日	- + 合计: ¥49.19473	立即购买加入购物车
7164S55TDB IDT公司 (IDT)	存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏供应商设备包装: 28-CDIP	¥121.53586	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,187.64552	添加到BOM 立即询价
GD25Q127CFIGR 兆易创新 (GigaDevice)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏时钟频率: 104兆赫供应商设备包装: 16-SOP	¥17.77148	6344	2-3 工作日	- + 合计: ¥17.77148	立即购买加入购物车
MT41K128M8DA-107:J 镁光 (Micron)	存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8）电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)	¥3.24742	2224	2-3 工作日	- + 合计: ¥3.24742	立即购买加入购物车
AT24C512C-XHM-T 美国微芯 (MICROCHIP)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 1.7伏~3.6伏时钟频率: 400千赫供应商设备包装: 8-TSSOP	¥18.75187	9098	2-3 工作日	- + 合计: ¥18.75187	立即购买加入购物车
CY7C1061GE30-10ZSXI 英飞凌 (Infineon)	存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏供应商设备包装: 54-TSOP II	¥306.88167	989	5-7 工作日	- + 合计: ¥306.88167	添加到BOM 立即询价
CY7C1362A-225BGC 英飞凌 (Infineon)	存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（512K x 18）电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 225兆赫供应商设备包装: 119-PBGA（14x22）	¥71.48742	297	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,216.11011	添加到BOM 立即询价
CAS25160LI-G-DF 安盛美 (onsemi)	CAS25160 - 16KB SPI SER CMOS EEP	¥3.04202	188900	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,196.33700	添加到BOM 立即询价
R1LV0816ASA-5SI#B0 瑞萨电子 (Renesas)	存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16, 1M x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏供应商设备包装: 48-TSOP I	¥167.16613	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,173.15972	添加到BOM 立即询价
71V25761S200BG IDT公司 (IDT)	存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫供应商设备包装: 119-PBGA（14x22）	¥24.11886	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,194.81599	添加到BOM 立即询价
AS29CF800T-55TIN 联盟内存 (Alliance Memory )	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏供应商设备包装: 48-TSOP I	¥47.94410	93	2-3 工作日	- + 合计: ¥47.94410	立即购买加入购物车
AT24CM02-SSHM-T 美国微芯 (MICROCHIP)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 1.7伏~5.5伏时钟频率: 1兆赫供应商设备包装: 8-SOIC	¥59.27329	0	2-3 工作日	- + 合计: ¥59.27329	立即购买加入购物车
PAL16L8B-4MW	ELECTRICALLY ERASABLE PAL DEVIC	¥307.09896	79	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,456.79168	添加到BOM 立即询价
7164S35DB IDT公司 (IDT)	存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏供应商设备包装: 28-CDIP	¥121.53586	77	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,187.64552	添加到BOM 立即询价
X28C010NM-12	存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏供应商设备包装: 32-CLCC (11.43x13.97)	¥444.20706	127	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,221.03529	添加到BOM 立即询价
M5M5256DVP-70LL#SE 瑞萨电子 (Renesas)	STANDARD SRAM, 32KX8	¥41.86396	3000	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,176.92602	添加到BOM 立即询价
M95128-DRMN8TP/K 意法半导体 (STMicroelectronics)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏时钟频率: 20兆赫供应商设备包装: 8-SO	¥8.26043	13733	2-3 工作日	- + 合计: ¥8.26043	立即购买加入购物车
MT41K64M16TW-107:J 镁光 (Micron)	存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫供应商设备包装: 96-FBGA（8x14）	¥7.58114	0	2-3 工作日	- + 合计: ¥7.58114	立即购买加入购物车
71V2556S166PFG IDT公司 (IDT)	存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）	¥29.76832	332	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,202.85561	添加到BOM 立即询价

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