存储器是一种在集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件有多种格式:CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM(非易失性或易失性)。这些器件的内存大小范围为 64 b 至 6 Tb,接口包括 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥24.40857 | 12750 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,196.77157 | 添加到BOM 立即询价 | ||
STANDARD SRAM, 2MX36 | ¥170.13572 | 1104 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,211.76437 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC | ¥49.75872 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.75872 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP | ¥144.85800 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,317.72800 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.7伏~3.6伏 时钟频率: 85 MHz 供应商设备包装: 8-UDFN (2x3) | ¥11.51621 | 2730 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.51621 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1) | ¥59.68150 | 82 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,208.21535 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: PROM 存储容量: 1Kb (256 x 8) 电源电压: 4.75伏~5.25伏 供应商设备包装: 20-PLCC | ¥24.40857 | 6329 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,196.77157 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 | ¥41.93639 | 2327 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.69233 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 1.6伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: VSON008X2030 | ¥1.59344 | 87 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.59344 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MEMORY / SRAM | ¥170.28058 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,213.64753 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WLCSP (1.92x3.01) | ¥10.35735 | 20656 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.35735 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32GB 供应商设备包装: 153-BGA (11.5x13) | ¥324.19220 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥324.19220 | 添加到BOM 立即询价 | ||
ELECTRICALLY ERASABLE PAL DEVIC | ¥60.40579 | 94 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.60830 | 添加到BOM 立即询价 | ||
256KX18 SRAM | ¥462.38674 | 3215 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,311.93368 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 1.6伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-TSSOP-BJ | ¥1.66587 | 43 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.66587 | 添加到BOM 立即询价 | ||
QDR SRAM, 1MX18, 0.5NS PBGA165 | ¥171.14973 | 2394 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,224.94645 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP | ¥154.49106 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,317.36586 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥11.80593 | 100 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.80593 | 添加到BOM 立即询价 | ||
STANDARD SRAM, 16X4, 910NS, CMOS | ¥463.11103 | 770 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,315.55513 | 添加到BOM 立即询价 | ||
QDR SRAM, 512KX36, 0.5NS PBGA165 | ¥171.14973 | 170 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,224.94645 | 添加到BOM 立即询价 |