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什么是存储器:

存储器是一种在集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件有多种格式：CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM（非易失性或易失性）。这些器件的内存大小范围为 64 b 至 6 Tb，接口包括 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。

存储格式:
PROM
FLASH, RAM
FLASH
SRAM
NVSRAM
EEPROM
CBRAM
EERAM
PCM (PRAM)
EPROM
PSRAM
FRAM
DRAM
RAM
更多
存储类型:
Non-Volatile
Volatile
电源电压:
1.6伏~5.5伏
1.5伏~3.6伏
1.7伏~3伏
2.4伏~2.6伏
3.14伏~3.63伏
0.95伏
2.3伏~3.6伏
1.283V～1.45V
1.7伏～1.95伏
4.94V ~ 5.46V
2.8伏~4.5伏
2.65伏~5.5伏
2.7伏~5.5伏
1.8伏~3.6伏
1.06伏~1.17伏，1.7伏~1.95伏
1.283V～1.45V、1.425V～1.575V
1.7伏~2.2伏
1.425伏~ 1.575伏
2.7伏~3.3伏
2伏~5.5伏
4V ~ 6.5V
1.65伏~2.2伏
4.5伏~6.5伏
1.65伏~4.4伏
1.26伏~ 1.34伏
1.7伏~3.6伏
2.375伏~2.625伏
1V
1.7伏~2伏，2.3伏~2.7伏
2.3V ~ 3V
2.5伏~3.6伏
1.75伏～1.95伏
3.135V~3.6V
2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
1.65伏~2.1伏
1.65V~2V
1.7伏~5.5伏
1.65伏~3.6伏
1.6伏~3.6伏
2.4伏~3.6伏
2.5伏~6伏
1.4伏~1.6伏
1.8伏~5.5伏
1.71V~3.63V
2.6伏~3.3伏
2.35伏~3.6伏
4.5伏~6伏
1.65伏～1.95伏
3.135V ~ 3.63V
2.5伏~2.7伏
1.65伏~2.75伏
1.7V~1.9V、2.4V~2.6V、2.7V~3.3V
2.5V ~ 6.0V
2.85伏~5.25伏
3V～5.5V
1.2伏～1.35伏
1.7伏~1.9伏
2.5伏~5.5伏
3.15伏~3.6伏
3.135V~3.465V
2V~3.6V
2.7V~3.6V、4.5V~5.5V
4.5V～12.5V
2.7V ~ 3.65V
1.7伏～1.98伏
1.14伏～1.26伏
1.275V～1.455V
1.65V~3V
2.8V ~ 5.25V
1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏
2.7伏~4.5伏
2.2伏~3.6伏
3V～5.25V
1.65伏~2.25伏
5V
3.15伏~3.45伏
1.42V~1.58V，1.7V~1.9V
1.4伏~1.65伏
4.75伏~5.5伏
3V~3.6V，4.5V~5.5V
1.71V～1.89V
2.9伏~5.5伏
3.3伏
2.3伏~2.7伏
2.8伏~3.6伏
2.8伏~6伏
4.5伏~5.5伏
2.2伏~5.5伏
1.25伏~ 1.35伏
2.1伏~3.6伏
2.2V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
1.14伏～1.95伏
4.75伏~5.25伏
1.7伏~2伏
3V~3.6V
2.375伏~3.465伏
1.8伏~6伏
2.2V ~ 3.7V
2.65伏~3.6伏
2.7伏~3.6伏
更多
时钟频率:
45兆赫
375兆赫
333兆赫
450兆赫
1.33 GHz
800 kHz
250兆赫
4兆赫
85 MHz
6.5 MHz
401 kHz
50 MHz
30兆赫
360兆赫
133兆赫
34兆赫
75 MHz
15兆赫
5 MHz
3.4兆赫
1.5千兆赫
2千赫
266兆赫
87 MHz
56 MHz
400千赫
1.25兆赫
40兆赫
633 MHz
100兆赫
625 MHz
7 GHz
104兆赫
25兆赫
108兆赫
90 MHz
3兆赫
80 MHz
67 MHz
1.066千兆赫
550 MHz
54 MHz
2.133 GHz
10兆赫
33兆赫
125千赫
14兆赫
250千赫
8 MHz
183 MHz
300兆赫
225兆赫
533 MHz
267兆赫
52 MHz
65 MHz
166兆赫
120兆赫
143兆赫
20兆赫
350兆赫
86 MHz
1 GHz
312兆赫
28兆赫
1.6千兆赫
233兆赫
2兆赫
150兆赫
13兆赫
800 MHz
714 MHz
1.333千兆赫
933兆赫
1.067 GHz
167兆赫
278 MHz
125兆赫
357 MHz
500 MHz
900 kHz
675 MHz
667 MHz
1兆赫
366 MHz
1.25千兆赫
400兆赫
12兆赫
100千赫
16兆赫
113兆赫
1.2千兆赫
117兆赫
66 MHz
8 GHz
200兆赫
70 MHz
83 MHz
600 MHz
2.1兆赫
更多
存储容量:
16Kb (4K x 4)
256Gb (32G x 8)
16Mb (2M x 8, 1M x 16)
8Mb (512K x 18)
288Mb (16M x 18)
18Mb (512K x 36)
1Kb (128 x 8, 64 x 16)
4Kb (256 x 16)
2Mb (64K x 32)
4.5Mb (128K x 36)
1Mb (256K x 4)
16Kb (2K x 8, 1K x 16)
256Mb (16M x 16)
8Kb (512 x 16)
4Kb (512 x 8, 256 x 16)
32KB（32K x 8）
8Gb (512M x 16)
8Mb (256K x 32)
64Kb (64K x 1)
1Mb (64K x 16)
2Gb (128M x 16)
64Mb (8M x 8)
16Kb (1K x 16, 2K x 8)
8Gb
256KB
128Kb (16K x 8)
8Gb (1G x 8)
32Mb (8M x 4)
32Kb (4K x 8)
4Kb (512 x 8)
16Kb (2K x 8)
8Mb (512K x 16)
512Kb (64K x 8)
8Kb (1K x 8)
256Kb (32K x 8)
8Mb (1M x 8)
16Mb (2M x 8)
8Kb (256 x 8 x 4)
144Mb (4M x 36)
1Kb (256 x 4)
512Mb (16M x 32)
4Kb (256 x 8 x 2)
2Gb (256M x 8)
4Gb (128M x 32)
32Mb (2M x 16)
64Mb (4M x 16)
1Kb (128 x 8)
32Mb (4M x 8)
2Gb (64M x 32)
2Kb (128 x 16)
128Mb (2M x 16)
18Mb (512K x 32)
1Mb (128K x 8)
64Kb (8K x 8)
9Mb（256K x 36）
256Mb (32M x 8)
256Mb (8M x 32)
72Mb (4M x 18)
576Kb (16K x 36)
144Mb (8M x 18)
64Gb (8G x 8)
16Kb (1K x 16)
4Mb (1M x 4)
4Gb (512M x 8)
1Kb (64 x 16)
4Mb (2M x 2)
512Mb (64M x 8)
16Mb (1M x 16)
4Mb (512K x 8, 256K x 16)
2Mb (128K x 16)
8Mb (1M x 8, 512K x 16)
288Kb (32K x 9)
36Mb (1M x 36)
256Kb (64K x 4)
256b (16 x 16)
4Mb (256K x 16)
4.5Mb (256K x 18)
72Mb (2M x 36)
8Mb (256 Bytes x 4096 pages)
9Mb（512K x 18）
32Mb (4M x 8, 2M x 16)
1.152Mb（64K x 18）
576Mb (8M x 72)
512Mb (32M x 16)
4Gb (256M x 16)
2Mb (256K x 8)
4Gb (1G x 4)
64Kb (4K x 16)
2Kb (256 x 8)
2Kb (256 x 8, 128 x 16)
1Mb (64K x 18)
4Mb (512K x 8)
18Mb (1M x 18)
32Mb (256 Bytes x 16384 pages)
1Gb（128M x 8）
128Mb (4M x 32)
64Mb (2M x 32)
1Gb (64M x 16)
128Mb (16M x 8)
128Mb (8M x 16)
更多
制造厂商:
高通半导体 (GENITOP)
柯夏 (Kioxia)
英飞凌 (Infineon)
澜智 (Zetta)
加贺电子 (Kaga FEI)
联盟内存 (Alliance Memory )
夏普株式 (Sharp)
恩智浦 (NXP)
美国诺沃顿技术 (Nuvoton)
晶存 (Rayson)
意法半导体 (STMicroelectronics)
安盛美 (onsemi)
慧荣科技 (Silicon Motion )
艾普凌科有限公司 (ABLIC)
阿德斯托 (Adesto)
Insignis (Insignis)
松下电子元件 (Panasonic)
维京 (Viking)
铠侠 (KIOXIA)
钰创 (Etron)
弗莱克森私人有限公司 (Flexxon Pte )
安世半导体 (Nexperia)
德国重离子研究中心 (GSI)
戴泺格 (Dialog)
东芝 (Toshiba)
华冠 (HGSEMI)
微芯 (Microchip)
ATP (ATP)
华邦电子 (Winbond)
江波龙 (FORESEE)
旺宏 (Macronix)
英锐芯 (IDCHIP)
首鼎半导体 (SHOUDING)
芯天下 (XTX)
美国微芯 (MICROCHIP)
费利蒙 (Fremont Micro)
米客方德 (MK)
罗姆 (Rohm)
镁光 (Micron)
美国芯成 (ISSI)
迪浦 (PUOLOP)
瑞士比特 (Swissbit)
博雅 (BOYAMICRO)
德州仪器 (Texas)
IDT公司 (IDT)
霍尼韦尔航天 (Honeywell)
海力士 (HYNIX)
兆易创新 (GigaDevice)
埃弗斯宾半导体 (Everspin)
普冉 (PUYA)
芯成 (ISSI)
杰盛微 (JSMSEMI)
视差 (Parallax)
模拟器件公司 (Analog)
三星半导体 (Samsung)
复旦微 (FM)
闪迪 (SANDISK)
富士通 (FUJITSU)
虹晶科技 (Socle)
辉芒微 (FMD)
金士顿 (Kingston)
罗切斯特电子 (Rochester)
航顺 (HK)
旭化成微器件 (Asahi Kasei)
东芯半导体 (Dosilicon)
瑞萨电子 (Renesas)
上海贝岭 (BL)
英特尔 (Intel RealSense)
日清纺微器件公司 (Nisshinbo Micro)
乐山无线电 (LRC)
更多
供应商设备包装:
8-TSSOP-B
32-PDIP
8-SO
32-TSOP II
44-SOJ
36-SOJ
86-TSOP II
SC-70-5
28-TSOP I
78-FBGA (8x10.5)
28-SOJ
32-LCC (11.43x13.97)
8-USON (4x4)
24-CSPBGA (6x8)
84-TWBGA (8x12.5)
SOT-23-6
54-TSOP II
32-PLCC（11.43x13.97）
8-DFN (5x6)
54-TFBGA (8x8)
60-TFBGA (8x13)
8-TSSOP
60-FBGA (8x10)
200-VFBGA (10x14.5)
56-TSOP
44-TSOP II
60-VFBGA (8x9)
64-FBGA (9x9)
24-BGA (8x6)
8-DFN (4x4.5)
8-UDFN (2x3)
8-MSOP
100-TQFP（14x20）
60-VFBGA (8x9.5)
16-SOP
48-FBGA (6x7)
28-PDIP
96-FBGA（9x13）
36-VFBGA（6x8）
8-WSON (6x8)
8-SOP
8-USON (2x3)
8-DIP
48-TFBGA (8x10)
90-TFBGA (8x13)
8-SOP-J
84-FBGA (8x12.5)
63-BGA (9x11)
96-FBGA（7.5x13.5）
8-WSON (6x5)
24-FBGA (6x8)
48-TFBGA (6x8)
64-LFBGA (9x9)
8-DIPK
60-FBGA (8x13)
8-UFDFPN (2x3)
32-TSOP
67-VFBGA (6.5x8)
48-FBGA (10x10)
8-DFN (2x3)
63-VFBGA (10.5x13)
8-UDFN (5x6)
VSON008X2030
8-VFBGA (1.5x2)
28-SOIC
64-LFBGA, CSP (11x13)
96-TWBGA（9x13）
48-TSOP
66-TSOP II
24-CDIP
8-PDIP
8-USON (1.5x1.5)
8-SOIJ
48-TFBGA
16-SOIC
134-TFBGA (10x11.5)
54-FBGA (8x8)
24-BGA (6x8)
8-WSON (5x6)
48-VFBGA (6x8)
90-FBGA (8x13)
32-TSOP I
63-VFBGA (9x11)
8-SOIC
32-SOP
24-VFBGA (6x8)
32-SOJ
32-VSOP
4-WLCSP (0.84x0.86)
32-PLCC（13.97x11.43）
63-TFBGA (9x11)
8-WSON (8x6)
96-FBGA（7.5x13）
28-TSOP
32-SOIC
165-FBGA (13x15)
8-WDFN (5x6)
48-miniBGA (7.2x8.7)
96-VFBGA（7.5x13）
24-EDIP
更多

当前"存储器"共 46738 条相关库存

品牌型号	描述	价格	库存	交期	数量	操作
FM24C17UN	存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏时钟频率: 100千赫供应商设备包装: 8-DIP	¥2.89716	1469	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,201.84160	添加到BOM 立即询价
W25Q128JVEIQ 华邦电子 (Winbond)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏时钟频率: 133兆赫供应商设备包装: 8-WSON (8x6)	¥16.86766	42162	2-3 工作日	- + 合计: ¥16.86766	立即购买加入购物车
CY7C1019DV33-10BVXI 英飞凌 (Infineon)	存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)	¥20.35183	2400	2-3 工作日	- + 合计: ¥20.35183	立即购买加入购物车
S25FS128SDSNFI101 英飞凌 (Infineon)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-WSON (5x6)	¥28.89917	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥28.89917	添加到BOM 立即询价
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F 镁光 (Micron)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb（128M x 8）电源电压: 1.7伏～1.95伏供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)	¥29.40617	1250	5-7 工作日	- + 合计: ¥29.40617	添加到BOM 立即询价
CY62157EV30LL-45BVXIT 英飞凌 (Infineon)	存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)	¥88.87038	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥88.87038	添加到BOM 立即询价
MR25H256AMDF 埃弗斯宾半导体 (Everspin)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏时钟频率: 40兆赫供应商设备包装: 8-DFN (5x6)	¥76.62988	4414	5-7 工作日	- + 合计: ¥76.62988	添加到BOM 立即询价
IS25LP512M-RMLE 美国芯成 (ISSI)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏时钟频率: 133兆赫供应商设备包装: 16-SOIC	¥21.87016	2062	2-3 工作日	- + 合计: ¥21.87016	立即购买加入购物车
MT41K256M8DA-125:K 镁光 (Micron)	存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)	¥73.06203	29971	2-3 工作日	- + 合计: ¥73.06203	立即购买加入购物车
AS4C64M16D3B-12BIN 联盟内存 (Alliance Memory )	存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA（9x13）	¥56.13248	264	5-7 工作日	- + 合计: ¥56.13248	添加到BOM 立即询价
S25FS512SAGMFI011 英飞凌 (Infineon)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏时钟频率: 133兆赫供应商设备包装: 16-SOIC	¥51.60139	1280	2-3 工作日	- + 合计: ¥51.60139	立即购买加入购物车
SST39VF6402B-70-4C-EKE 微芯 (Microchip)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏供应商设备包装: 48-TSOP	¥56.56705	734	5-7 工作日	- + 合计: ¥56.56705	添加到BOM 立即询价
AS4C256M16D3C-12BCN 联盟内存 (Alliance Memory )	存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA（7.5x13.5）	¥80.36575	29444	2-3 工作日	- + 合计: ¥80.36575	立即购买加入购物车
M24256-BFMC6TG 意法半导体 (STMicroelectronics)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 1.7伏~5.5伏时钟频率: 1兆赫供应商设备包装: 8-UFDFPN (2x3)	¥7.62986	26123	2-3 工作日	- + 合计: ¥7.62986	立即购买加入购物车
NM24C03LEM8	存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (256 x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏时钟频率: 100千赫供应商设备包装: 8-SOIC	¥2.96959	62510	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,197.49586	添加到BOM 立即询价
AS4C256M16D3LC-12BCN 联盟内存 (Alliance Memory )	存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA（7.5x13.5）	¥70.73271	5838	2-3 工作日	- + 合计: ¥70.73271	立即购买加入购物车
GD25D80CKIGR 兆易创新 (GigaDevice)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏时钟频率: 100兆赫供应商设备包装: 8-USON (1.5x1.5)	¥3.56206	23196	2-3 工作日	- + 合计: ¥3.56206	立即购买加入购物车
AT25DF321A-MH-T 瑞萨电子 (Renesas)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (256 Bytes x 16384 pages) 电源电压: 2.7伏~3.6伏时钟频率: 100兆赫供应商设备包装: 8-UDFN (5x6)	¥19.48413	112380	2-3 工作日	- + 合计: ¥19.48412	立即购买加入购物车
AS4C256M16D4-83BCN 联盟内存 (Alliance Memory )	存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.26伏时钟频率: 1.2千兆赫供应商设备包装: 96-FBGA（7.5x13.5）	¥59.26278	3307	2-3 工作日	- + 合计: ¥59.26278	立即购买加入购物车
IS62C1024AL-35QLI 美国芯成 (ISSI)	存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏供应商设备包装: 32-SOP	¥8.82258	3737	2-3 工作日	- + 合计: ¥8.82258	立即购买加入购物车

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