存储器是一种在集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件有多种格式:CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM(非易失性或易失性)。这些器件的内存大小范围为 64 b 至 6 Tb,接口包括 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP | ¥88.18478 | 157 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥88.18478 | 立即购买 加入购物车 | ||
MCF5249 V2CORE 96KSRAM | ¥207.65394 | 252 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,284.19337 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Kb (128 x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥2.46259 | 2342 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46259 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥105.52905 | 89 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,216.11011 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥8.54662 | 16634 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,811.88386 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP | ¥47.87557 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.87557 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (256 x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥0.35273 | 23389 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.35273 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I | ¥14.05123 | 5060 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.94003 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13) | ¥193.16814 | 11990 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,931.68143 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥105.52905 | 63 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,216.11011 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP | ¥194.13052 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥194.13052 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Kb (128 x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥2.77449 | 49421 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.77449 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I | ¥14.19608 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,186.19694 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13) | ¥198.02089 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,980.20886 | 添加到BOM 立即询价 | ||
STANDARD SRAM, 16KX1 | ¥85.82837 | 142 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,231.53749 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MEMORY CIRCUIT, MOS | ¥106.03606 | 29 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,226.75718 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (512K x 32) 电源电压: 1.65伏~2.75伏 时钟频率: 56 MHz 供应商设备包装: 80-FBGA (13x11) | ¥8.76391 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.21334 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP | ¥109.19316 | 1871 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥109.19316 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (256 x 8) 电源电压: 1.7伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: TSOT-23-5 | ¥0.99952 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.99952 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 2.7伏~4.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥3.98360 | 53990 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.05928 | 添加到BOM 立即询价 |