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什么是存储器:

存储器是一种在集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件有多种格式：CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM（非易失性或易失性）。这些器件的内存大小范围为 64 b 至 6 Tb，接口包括 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。

存储格式:
  • PROM
  • FLASH, RAM
  • FLASH
  • SRAM
  • NVSRAM
  • EEPROM
  • CBRAM
  • EERAM
  • PCM (PRAM)
  • EPROM
  • PSRAM
  • FRAM
  • DRAM
  • RAM
更多
存储类型:
  • Non-Volatile
  • Volatile
电源电压:
  • 1.6伏~5.5伏
  • 1.5伏~3.6伏
  • 1.7伏~3伏
  • 2.4伏~2.6伏
  • 3.14伏~3.63伏
  • 0.95伏
  • 2.3伏~3.6伏
  • 1.283V～1.45V
  • 1.7伏～1.95伏
  • 4.94V ~ 5.46V
  • 2.8伏~4.5伏
  • 2.65伏~5.5伏
  • 2.7伏~5.5伏
  • 1.8伏~3.6伏
  • 1.06伏~1.17伏，1.7伏~1.95伏
  • 1.283V～1.45V、1.425V～1.575V
  • 1.7伏~2.2伏
  • 1.425伏~ 1.575伏
  • 2.7伏~3.3伏
  • 2伏~5.5伏
  • 4V ~ 6.5V
  • 1.65伏~2.2伏
  • 4.5伏~6.5伏
  • 1.65伏~4.4伏
  • 1.26伏~ 1.34伏
  • 1.7伏~3.6伏
  • 2.375伏~2.625伏
  • 1V
  • 1.7伏~2伏，2.3伏~2.7伏
  • 2.3V ~ 3V
  • 2.5伏~3.6伏
  • 1.75伏～1.95伏
  • 3.135V~3.6V
  • 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
  • 1.65伏~2.1伏
  • 1.65V~2V
  • 1.7伏~5.5伏
  • 1.65伏~3.6伏
  • 1.6伏~3.6伏
  • 2.4伏~3.6伏
  • 2.5伏~6伏
  • 1.4伏~1.6伏
  • 1.8伏~5.5伏
  • 1.71V~3.63V
  • 2.6伏~3.3伏
  • 2.35伏~3.6伏
  • 4.5伏~6伏
  • 1.65伏～1.95伏
  • 3.135V ~ 3.63V
  • 2.5伏~2.7伏
  • 1.65伏~2.75伏
  • 1.7V~1.9V、2.4V~2.6V、2.7V~3.3V
  • 2.5V ~ 6.0V
  • 2.85伏~5.25伏
  • 3V～5.5V
  • 1.2伏～1.35伏
  • 1.7伏~1.9伏
  • 2.5伏~5.5伏
  • 3.15伏~3.6伏
  • 3.135V~3.465V
  • 2V~3.6V
  • 2.7V~3.6V、4.5V~5.5V
  • 4.5V～12.5V
  • 2.7V ~ 3.65V
  • 1.7伏～1.98伏
  • 1.14伏～1.26伏
  • 1.275V～1.455V
  • 1.65V~3V
  • 2.8V ~ 5.25V
  • 1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏
  • 2.7伏~4.5伏
  • 2.2伏~3.6伏
  • 3V～5.25V
  • 1.65伏~2.25伏
  • 5V
  • 3.15伏~3.45伏
  • 1.42V~1.58V，1.7V~1.9V
  • 1.4伏~1.65伏
  • 4.75伏~5.5伏
  • 3V~3.6V，4.5V~5.5V
  • 1.71V～1.89V
  • 2.9伏~5.5伏
  • 3.3伏
  • 2.3伏~2.7伏
  • 2.8伏~3.6伏
  • 2.8伏~6伏
  • 4.5伏~5.5伏
  • 2.2伏~5.5伏
  • 1.25伏~ 1.35伏
  • 2.1伏~3.6伏
  • 2.2V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
  • 1.14伏～1.95伏
  • 4.75伏~5.25伏
  • 1.7伏~2伏
  • 3V~3.6V
  • 2.375伏~3.465伏
  • 1.8伏~6伏
  • 2.2V ~ 3.7V
  • 2.65伏~3.6伏
  • 2.7伏~3.6伏
更多
时钟频率:
  • 45兆赫
  • 375兆赫
  • 333兆赫
  • 450兆赫
  • 1.33 GHz
  • 800 kHz
  • 250兆赫
  • 4兆赫
  • 85 MHz
  • 6.5 MHz
  • 401 kHz
  • 50 MHz
  • 30兆赫
  • 360兆赫
  • 133兆赫
  • 34兆赫
  • 75 MHz
  • 15兆赫
  • 5 MHz
  • 3.4兆赫
  • 1.5千兆赫
  • 2千赫
  • 266兆赫
  • 87 MHz
  • 56 MHz
  • 400千赫
  • 1.25兆赫
  • 40兆赫
  • 633 MHz
  • 100兆赫
  • 625 MHz
  • 7 GHz
  • 104兆赫
  • 25兆赫
  • 108兆赫
  • 90 MHz
  • 3兆赫
  • 80 MHz
  • 67 MHz
  • 1.066千兆赫
  • 550 MHz
  • 54 MHz
  • 2.133 GHz
  • 10兆赫
  • 33兆赫
  • 125千赫
  • 14兆赫
  • 250千赫
  • 8 MHz
  • 183 MHz
  • 300兆赫
  • 225兆赫
  • 533 MHz
  • 267兆赫
  • 52 MHz
  • 65 MHz
  • 166兆赫
  • 120兆赫
  • 143兆赫
  • 20兆赫
  • 350兆赫
  • 86 MHz
  • 1 GHz
  • 312兆赫
  • 28兆赫
  • 1.6千兆赫
  • 233兆赫
  • 2兆赫
  • 150兆赫
  • 13兆赫
  • 800 MHz
  • 714 MHz
  • 1.333千兆赫
  • 933兆赫
  • 1.067 GHz
  • 167兆赫
  • 278 MHz
  • 125兆赫
  • 357 MHz
  • 500 MHz
  • 900 kHz
  • 675 MHz
  • 667 MHz
  • 1兆赫
  • 366 MHz
  • 1.25千兆赫
  • 400兆赫
  • 12兆赫
  • 100千赫
  • 16兆赫
  • 113兆赫
  • 1.2千兆赫
  • 117兆赫
  • 66 MHz
  • 8 GHz
  • 200兆赫
  • 70 MHz
  • 83 MHz
  • 600 MHz
  • 2.1兆赫
更多
存储容量:
  • 16Kb (4K x 4)
  • 256Gb (32G x 8)
  • 16Mb (2M x 8, 1M x 16)
  • 8Mb (512K x 18)
  • 288Mb (16M x 18)
  • 18Mb (512K x 36)
  • 1Kb (128 x 8, 64 x 16)
  • 4Kb (256 x 16)
  • 2Mb (64K x 32)
  • 4.5Mb (128K x 36)
  • 1Mb (256K x 4)
  • 16Kb (2K x 8, 1K x 16)
  • 256Mb (16M x 16)
  • 8Kb (512 x 16)
  • 4Kb (512 x 8, 256 x 16)
  • 32KB（32K x 8）
  • 8Gb (512M x 16)
  • 8Mb (256K x 32)
  • 64Kb (64K x 1)
  • 1Mb (64K x 16)
  • 2Gb (128M x 16)
  • 64Mb (8M x 8)
  • 16Kb (1K x 16, 2K x 8)
  • 8Gb
  • 256KB
  • 128Kb (16K x 8)
  • 8Gb (1G x 8)
  • 32Mb (8M x 4)
  • 32Kb (4K x 8)
  • 4Kb (512 x 8)
  • 16Kb (2K x 8)
  • 8Mb (512K x 16)
  • 512Kb (64K x 8)
  • 8Kb (1K x 8)
  • 256Kb (32K x 8)
  • 8Mb (1M x 8)
  • 16Mb (2M x 8)
  • 8Kb (256 x 8 x 4)
  • 144Mb (4M x 36)
  • 1Kb (256 x 4)
  • 512Mb (16M x 32)
  • 4Kb (256 x 8 x 2)
  • 2Gb (256M x 8)
  • 4Gb (128M x 32)
  • 32Mb (2M x 16)
  • 64Mb (4M x 16)
  • 1Kb (128 x 8)
  • 32Mb (4M x 8)
  • 2Gb (64M x 32)
  • 2Kb (128 x 16)
  • 128Mb (2M x 16)
  • 18Mb (512K x 32)
  • 1Mb (128K x 8)
  • 64Kb (8K x 8)
  • 9Mb（256K x 36）
  • 256Mb (32M x 8)
  • 256Mb (8M x 32)
  • 72Mb (4M x 18)
  • 576Kb (16K x 36)
  • 144Mb (8M x 18)
  • 64Gb (8G x 8)
  • 16Kb (1K x 16)
  • 4Mb (1M x 4)
  • 4Gb (512M x 8)
  • 1Kb (64 x 16)
  • 4Mb (2M x 2)
  • 512Mb (64M x 8)
  • 16Mb (1M x 16)
  • 4Mb (512K x 8, 256K x 16)
  • 2Mb (128K x 16)
  • 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
  • 288Kb (32K x 9)
  • 36Mb (1M x 36)
  • 256Kb (64K x 4)
  • 256b (16 x 16)
  • 4Mb (256K x 16)
  • 4.5Mb (256K x 18)
  • 72Mb (2M x 36)
  • 8Mb (256 Bytes x 4096 pages)
  • 9Mb（512K x 18）
  • 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 1.152Mb（64K x 18）
  • 576Mb (8M x 72)
  • 512Mb (32M x 16)
  • 4Gb (256M x 16)
  • 2Mb (256K x 8)
  • 4Gb (1G x 4)
  • 64Kb (4K x 16)
  • 2Kb (256 x 8)
  • 2Kb (256 x 8, 128 x 16)
  • 1Mb (64K x 18)
  • 4Mb (512K x 8)
  • 18Mb (1M x 18)
  • 32Mb (256 Bytes x 16384 pages)
  • 1Gb（128M x 8）
  • 128Mb (4M x 32)
  • 64Mb (2M x 32)
  • 1Gb (64M x 16)
  • 128Mb (16M x 8)
  • 128Mb (8M x 16)
更多
制造厂商:
  • 高通半导体 (GENITOP)
  • 柯夏 (Kioxia)
  • 英飞凌 (Infineon)
  • 澜智 (Zetta)
  • 加贺电子 (Kaga FEI)
  • 联盟内存 (Alliance Memory )
  • 夏普株式 (Sharp)
  • 恩智浦 (NXP)
  • 美国诺沃顿技术 (Nuvoton)
  • 晶存 (Rayson)
  • 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 安盛美 (onsemi)
  • 慧荣科技 (Silicon Motion )
  • 艾普凌科有限公司 (ABLIC)
  • 阿德斯托 (Adesto)
  • Insignis (Insignis)
  • 松下电子元件 (Panasonic)
  • 维京 (Viking)
  • 铠侠 (KIOXIA)
  • 钰创 (Etron)
  • 弗莱克森私人有限公司 (Flexxon Pte )
  • 安世半导体 (Nexperia)
  • 德国重离子研究中心 (GSI)
  • 戴泺格 (Dialog)
  • 东芝 (Toshiba)
  • 华冠 (HGSEMI)
  • 微芯 (Microchip)
  • ATP (ATP)
  • 华邦电子 (Winbond)
  • 江波龙 (FORESEE)
  • 旺宏 (Macronix)
  • 英锐芯 (IDCHIP)
  • 首鼎半导体 (SHOUDING)
  • 芯天下 (XTX)
  • 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 费利蒙 (Fremont Micro)
  • 米客方德 (MK)
  • 罗姆 (Rohm)
  • 镁光 (Micron)
  • 美国芯成 (ISSI)
  • 迪浦 (PUOLOP)
  • 瑞士比特 (Swissbit)
  • 博雅 (BOYAMICRO)
  • 德州仪器 (Texas)
  • IDT公司 (IDT)
  • 霍尼韦尔航天 (Honeywell)
  • 海力士 (HYNIX)
  • 兆易创新 (GigaDevice)
  • 埃弗斯宾半导体 (Everspin)
  • 普冉 (PUYA)
  • 芯成 (ISSI)
  • 杰盛微 (JSMSEMI)
  • 视差 (Parallax)
  • 模拟器件公司 (Analog)
  • 三星半导体 (Samsung)
  • 复旦微 (FM)
  • 闪迪 (SANDISK)
  • 富士通 (FUJITSU)
  • 虹晶科技 (Socle)
  • 辉芒微 (FMD)
  • 金士顿 (Kingston)
  • 罗切斯特电子 (Rochester)
  • 航顺 (HK)
  • 旭化成微器件 (Asahi Kasei)
  • 东芯半导体 (Dosilicon)
  • 瑞萨电子 (Renesas)
  • 上海贝岭 (BL)
  • 英特尔 (Intel RealSense)
  • 日清纺微器件公司 (Nisshinbo Micro)
  • 乐山无线电 (LRC)
更多
供应商设备包装:
  • 8-TSSOP-B
  • 32-PDIP
  • 8-SO
  • 32-TSOP II
  • 44-SOJ
  • 36-SOJ
  • 86-TSOP II
  • SC-70-5
  • 28-TSOP I
  • 78-FBGA (8x10.5)
  • 28-SOJ
  • 32-LCC (11.43x13.97)
  • 8-USON (4x4)
  • 24-CSPBGA (6x8)
  • 84-TWBGA (8x12.5)
  • SOT-23-6
  • 54-TSOP II
  • 32-PLCC（11.43x13.97）
  • 8-DFN (5x6)
  • 54-TFBGA (8x8)
  • 60-TFBGA (8x13)
  • 8-TSSOP
  • 60-FBGA (8x10)
  • 200-VFBGA (10x14.5)
  • 56-TSOP
  • 44-TSOP II
  • 60-VFBGA (8x9)
  • 64-FBGA (9x9)
  • 24-BGA (8x6)
  • 8-DFN (4x4.5)
  • 8-UDFN (2x3)
  • 8-MSOP
  • 100-TQFP（14x20）
  • 60-VFBGA (8x9.5)
  • 16-SOP
  • 48-FBGA (6x7)
  • 28-PDIP
  • 96-FBGA（9x13）
  • 36-VFBGA（6x8）
  • 8-WSON (6x8)
  • 8-SOP
  • 8-USON (2x3)
  • 8-DIP
  • 48-TFBGA (8x10)
  • 90-TFBGA (8x13)
  • 8-SOP-J
  • 84-FBGA (8x12.5)
  • 63-BGA (9x11)
  • 96-FBGA（7.5x13.5）
  • 8-WSON (6x5)
  • 24-FBGA (6x8)
  • 48-TFBGA (6x8)
  • 64-LFBGA (9x9)
  • 8-DIPK
  • 60-FBGA (8x13)
  • 8-UFDFPN (2x3)
  • 32-TSOP
  • 67-VFBGA (6.5x8)
  • 48-FBGA (10x10)
  • 8-DFN (2x3)
  • 63-VFBGA (10.5x13)
  • 8-UDFN (5x6)
  • VSON008X2030
  • 8-VFBGA (1.5x2)
  • 28-SOIC
  • 64-LFBGA, CSP (11x13)
  • 96-TWBGA（9x13）
  • 48-TSOP
  • 66-TSOP II
  • 24-CDIP
  • 8-PDIP
  • 8-USON (1.5x1.5)
  • 8-SOIJ
  • 48-TFBGA
  • 16-SOIC
  • 134-TFBGA (10x11.5)
  • 54-FBGA (8x8)
  • 24-BGA (6x8)
  • 8-WSON (5x6)
  • 48-VFBGA (6x8)
  • 90-FBGA (8x13)
  • 32-TSOP I
  • 63-VFBGA (9x11)
  • 8-SOIC
  • 32-SOP
  • 24-VFBGA (6x8)
  • 32-SOJ
  • 32-VSOP
  • 4-WLCSP (0.84x0.86)
  • 32-PLCC（13.97x11.43）
  • 63-TFBGA (9x11)
  • 8-WSON (8x6)
  • 96-FBGA（7.5x13）
  • 28-TSOP
  • 32-SOIC
  • 165-FBGA (13x15)
  • 8-WDFN (5x6)
  • 48-miniBGA (7.2x8.7)
  • 96-VFBGA（7.5x13）
  • 24-EDIP
更多
当前"存储器"共 46738 条相关库存
久芯自营
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描述
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24LC16B-E/MC
24LC16B-E/MC
24LC16B-E/MC 微芯 (Microchip)
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-DFN (2x3)

¥3.91117

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.91117

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71321LA20PFG
71321LA20PFG
71321LA20PFG 瑞萨电子 (Renesas)
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥215.04170

1395

5-7 工作日

- +

合计: ¥215.04170

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93AA66/SN
93AA66/SN
93AA66/SN 美国微芯 (MICROCHIP)
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8, 256 x 16) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 2兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥5.13912

158

2-3 工作日

- +

合计: ¥5.13912

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CAT24C01YGI
CAT24C01YGI
CAT24C01YGI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Kb (128 x 8) 电源电压: 1.7伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥0.86915

7441

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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24AA64F-I/ST
24AA64F-I/ST
24AA64F-I/ST 微芯 (Microchip)
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 1.7伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥3.91117

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.91117

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0436A4ACLAA-4F
0436A4ACLAA-4F
0436A4ACLAA-4F
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-BGA（22x14）

¥308.98211

25346

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,471.85691

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DS1230YP-70+
DS1230YP-70+
DS1230YP-70+ 模拟器件公司 (Analog)
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 34-PowerCap Module

¥214.31741

1959

5-7 工作日

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合计: ¥214.31741

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25AA080B-I/ST
25AA080B-I/ST
25AA080B-I/ST 美国微芯 (MICROCHIP)
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 10兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥5.13912

751

2-3 工作日

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合计: ¥5.13912

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CAT24C02ZGI
CAT24C02ZGI
CAT24C02ZGI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (256 x 8) 电源电压: 1.7伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-MSOP

¥0.86915

5450

5-7 工作日

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合计: ¥2,089.43179

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AS4C128M8D3B-12BIN
AS4C128M8D3B-12BIN
AS4C128M8D3B-12BIN 联盟内存 (Alliance Memory )
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥40.94481

1242

2-3 工作日

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合计: ¥40.94481

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CY14B101LA-SZ45XI
CY14B101LA-SZ45XI
CY14B101LA-SZ45XI 英飞凌 (Infineon)
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOIC

¥133.63814

0

2-3 工作日

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TE28F008BVT90
TE28F008BVT90
TE28F008BVT90 英特尔 (Intel RealSense)
8M-BIT FLASH MEM, PARALLEL

¥57.94320

29835

5-7 工作日

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合计: ¥2,201.84160

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AS6C6416-55BIN
AS6C6416-55BIN
AS6C6416-55BIN 联盟内存 (Alliance Memory )
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (8x10)

¥178.04056

90

2-3 工作日

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合计: ¥178.04056

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25LC128-I/ST
25LC128-I/ST
25LC128-I/ST 微芯 (Microchip)
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 10兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥9.12605

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5-7 工作日

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合计: ¥9.12605

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NM24C65UEM8
NM24C65UEM8
NM24C65UEM8
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 100千赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥4.34574

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥412.84530

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24LC64FT-I/MNY
24LC64FT-I/MNY
24LC64FT-I/MNY 微芯 (Microchip)
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-TDFN (2x3)

¥3.91117

3018

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.91117

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25AA128-I/ST
25AA128-I/ST
25AA128-I/ST 微芯 (Microchip)
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 10兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥9.12605

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.12605

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NM25C040LZEMT8
NM25C040LZEMT8
NM25C040LZEMT8
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 2.7伏~4.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥4.34574

0

5-7 工作日

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合计: ¥869.14800

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24LC64T-I/SM
24LC64T-I/SM
24LC64T-I/SM 美国微芯 (MICROCHIP)
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOIJ

¥3.17385

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2-3 工作日

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合计: ¥3.17385

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04184ARLAC-5N
04184ARLAC-5N
04184ARLAC-5N
4MBIT (256K X 18) SRAM

¥312.89328

841

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合计: ¥2,190.25296

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