存储器是一种在集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件有多种格式:CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM(非易失性或易失性)。这些器件的内存大小范围为 64 b 至 6 Tb,接口包括 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 1.7伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: TSOT-23-5 | ¥62.10063 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥62.10063 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 84-FPACK | ¥78.31024 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥78.31024 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥133.61702 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥133.61702 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-sTSOP I | ¥462.66197 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥462.66197 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥54.97361 | 359 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥714.65694 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IC EMI REDUCTION PREMIS SSCG | ¥61.78194 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,853.45811 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IC EEPROM 1MBIT SPI 8SOIC | ¥16.80353 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,184.45864 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 84-FPACK | ¥73.50095 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥73.50095 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥48.45500 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.45500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11) | ¥25.42258 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.42258 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥501.96194 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥501.96194 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15) | ¥323.17820 | 104 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥323.17820 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IC EMI REDUCTION PREMIS SSCG | ¥72.67526 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥72.67526 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IC USB PERIPHERAL CTLR 48QFN | ¥45.68821 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.68821 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 84-FPACK | ¥44.73215 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.73215 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11) | ¥42.51582 | 179 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,828.18039 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-DIP | ¥32.39025 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.39025 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15) | ¥1,035.37256 | 949 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,106.11766 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 2Gb (NAND), 1Gb (LPDDR) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 130-FBGA (8x9) | ¥115.71257 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥115.71257 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IC EMI REDUCTION PREMIS SSCG | ¥120.39148 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥120.39148 | 添加到BOM 立即询价 |