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什么是存储器:

存储器是一种在集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件有多种格式：CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM（非易失性或易失性）。这些器件的内存大小范围为 64 b 至 6 Tb，接口包括 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。

存储格式:
PROM
FLASH, RAM
FLASH
SRAM
NVSRAM
EEPROM
CBRAM
EERAM
PCM (PRAM)
EPROM
PSRAM
FRAM
DRAM
RAM
更多
存储类型:
Non-Volatile
Volatile
电源电压:
1.6伏~5.5伏
1.5伏~3.6伏
1.7伏~3伏
2.4伏~2.6伏
3.14伏~3.63伏
0.95伏
2.3伏~3.6伏
1.283V～1.45V
1.7伏～1.95伏
4.94V ~ 5.46V
2.8伏~4.5伏
2.65伏~5.5伏
2.7伏~5.5伏
1.8伏~3.6伏
1.06伏~1.17伏，1.7伏~1.95伏
1.283V～1.45V、1.425V～1.575V
1.7伏~2.2伏
1.425伏~ 1.575伏
2.7伏~3.3伏
2伏~5.5伏
4V ~ 6.5V
1.65伏~2.2伏
4.5伏~6.5伏
1.65伏~4.4伏
1.26伏~ 1.34伏
1.7伏~3.6伏
2.375伏~2.625伏
1V
1.7伏~2伏，2.3伏~2.7伏
2.3V ~ 3V
2.5伏~3.6伏
1.75伏～1.95伏
3.135V~3.6V
2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
1.65伏~2.1伏
1.65V~2V
1.7伏~5.5伏
1.65伏~3.6伏
1.6伏~3.6伏
2.4伏~3.6伏
2.5伏~6伏
1.4伏~1.6伏
1.8伏~5.5伏
1.71V~3.63V
2.6伏~3.3伏
2.35伏~3.6伏
4.5伏~6伏
1.65伏～1.95伏
3.135V ~ 3.63V
2.5伏~2.7伏
1.65伏~2.75伏
1.7V~1.9V、2.4V~2.6V、2.7V~3.3V
2.5V ~ 6.0V
2.85伏~5.25伏
3V～5.5V
1.2伏～1.35伏
1.7伏~1.9伏
2.5伏~5.5伏
3.15伏~3.6伏
3.135V~3.465V
2V~3.6V
2.7V~3.6V、4.5V~5.5V
4.5V～12.5V
2.7V ~ 3.65V
1.7伏～1.98伏
1.14伏～1.26伏
1.275V～1.455V
1.65V~3V
2.8V ~ 5.25V
1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏
2.7伏~4.5伏
2.2伏~3.6伏
3V～5.25V
1.65伏~2.25伏
5V
3.15伏~3.45伏
1.42V~1.58V，1.7V~1.9V
1.4伏~1.65伏
4.75伏~5.5伏
3V~3.6V，4.5V~5.5V
1.71V～1.89V
2.9伏~5.5伏
3.3伏
2.3伏~2.7伏
2.8伏~3.6伏
2.8伏~6伏
4.5伏~5.5伏
2.2伏~5.5伏
1.25伏~ 1.35伏
2.1伏~3.6伏
2.2V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
1.14伏～1.95伏
4.75伏~5.25伏
1.7伏~2伏
3V~3.6V
2.375伏~3.465伏
1.8伏~6伏
2.2V ~ 3.7V
2.65伏~3.6伏
2.7伏~3.6伏
更多
时钟频率:
45兆赫
375兆赫
333兆赫
450兆赫
1.33 GHz
800 kHz
250兆赫
4兆赫
85 MHz
6.5 MHz
401 kHz
50 MHz
30兆赫
360兆赫
133兆赫
34兆赫
75 MHz
15兆赫
5 MHz
3.4兆赫
1.5千兆赫
2千赫
266兆赫
87 MHz
56 MHz
400千赫
1.25兆赫
40兆赫
633 MHz
100兆赫
625 MHz
7 GHz
104兆赫
25兆赫
108兆赫
90 MHz
3兆赫
80 MHz
67 MHz
1.066千兆赫
550 MHz
54 MHz
2.133 GHz
10兆赫
33兆赫
125千赫
14兆赫
250千赫
8 MHz
183 MHz
300兆赫
225兆赫
533 MHz
267兆赫
52 MHz
65 MHz
166兆赫
120兆赫
143兆赫
20兆赫
350兆赫
86 MHz
1 GHz
312兆赫
28兆赫
1.6千兆赫
233兆赫
2兆赫
150兆赫
13兆赫
800 MHz
714 MHz
1.333千兆赫
933兆赫
1.067 GHz
167兆赫
278 MHz
125兆赫
357 MHz
500 MHz
900 kHz
675 MHz
667 MHz
1兆赫
366 MHz
1.25千兆赫
400兆赫
12兆赫
100千赫
16兆赫
113兆赫
1.2千兆赫
117兆赫
66 MHz
8 GHz
200兆赫
70 MHz
83 MHz
600 MHz
2.1兆赫
更多
存储容量:
16Kb (4K x 4)
256Gb (32G x 8)
16Mb (2M x 8, 1M x 16)
8Mb (512K x 18)
288Mb (16M x 18)
18Mb (512K x 36)
1Kb (128 x 8, 64 x 16)
4Kb (256 x 16)
2Mb (64K x 32)
4.5Mb (128K x 36)
1Mb (256K x 4)
16Kb (2K x 8, 1K x 16)
256Mb (16M x 16)
8Kb (512 x 16)
4Kb (512 x 8, 256 x 16)
32KB（32K x 8）
8Gb (512M x 16)
8Mb (256K x 32)
64Kb (64K x 1)
1Mb (64K x 16)
2Gb (128M x 16)
64Mb (8M x 8)
16Kb (1K x 16, 2K x 8)
8Gb
256KB
128Kb (16K x 8)
8Gb (1G x 8)
32Mb (8M x 4)
32Kb (4K x 8)
4Kb (512 x 8)
16Kb (2K x 8)
8Mb (512K x 16)
512Kb (64K x 8)
8Kb (1K x 8)
256Kb (32K x 8)
8Mb (1M x 8)
16Mb (2M x 8)
8Kb (256 x 8 x 4)
144Mb (4M x 36)
1Kb (256 x 4)
512Mb (16M x 32)
4Kb (256 x 8 x 2)
2Gb (256M x 8)
4Gb (128M x 32)
32Mb (2M x 16)
64Mb (4M x 16)
1Kb (128 x 8)
32Mb (4M x 8)
2Gb (64M x 32)
2Kb (128 x 16)
128Mb (2M x 16)
18Mb (512K x 32)
1Mb (128K x 8)
64Kb (8K x 8)
9Mb（256K x 36）
256Mb (32M x 8)
256Mb (8M x 32)
72Mb (4M x 18)
576Kb (16K x 36)
144Mb (8M x 18)
64Gb (8G x 8)
16Kb (1K x 16)
4Mb (1M x 4)
4Gb (512M x 8)
1Kb (64 x 16)
4Mb (2M x 2)
512Mb (64M x 8)
16Mb (1M x 16)
4Mb (512K x 8, 256K x 16)
2Mb (128K x 16)
8Mb (1M x 8, 512K x 16)
288Kb (32K x 9)
36Mb (1M x 36)
256Kb (64K x 4)
256b (16 x 16)
4Mb (256K x 16)
4.5Mb (256K x 18)
72Mb (2M x 36)
8Mb (256 Bytes x 4096 pages)
9Mb（512K x 18）
32Mb (4M x 8, 2M x 16)
1.152Mb（64K x 18）
576Mb (8M x 72)
512Mb (32M x 16)
4Gb (256M x 16)
2Mb (256K x 8)
4Gb (1G x 4)
64Kb (4K x 16)
2Kb (256 x 8)
2Kb (256 x 8, 128 x 16)
1Mb (64K x 18)
4Mb (512K x 8)
18Mb (1M x 18)
32Mb (256 Bytes x 16384 pages)
1Gb（128M x 8）
128Mb (4M x 32)
64Mb (2M x 32)
1Gb (64M x 16)
128Mb (16M x 8)
128Mb (8M x 16)
更多
制造厂商:
高通半导体 (GENITOP)
柯夏 (Kioxia)
英飞凌 (Infineon)
澜智 (Zetta)
加贺电子 (Kaga FEI)
联盟内存 (Alliance Memory )
夏普株式 (Sharp)
恩智浦 (NXP)
美国诺沃顿技术 (Nuvoton)
晶存 (Rayson)
意法半导体 (STMicroelectronics)
安盛美 (onsemi)
慧荣科技 (Silicon Motion )
艾普凌科有限公司 (ABLIC)
阿德斯托 (Adesto)
Insignis (Insignis)
松下电子元件 (Panasonic)
维京 (Viking)
铠侠 (KIOXIA)
钰创 (Etron)
弗莱克森私人有限公司 (Flexxon Pte )
安世半导体 (Nexperia)
德国重离子研究中心 (GSI)
戴泺格 (Dialog)
东芝 (Toshiba)
华冠 (HGSEMI)
微芯 (Microchip)
ATP (ATP)
华邦电子 (Winbond)
江波龙 (FORESEE)
旺宏 (Macronix)
英锐芯 (IDCHIP)
首鼎半导体 (SHOUDING)
芯天下 (XTX)
美国微芯 (MICROCHIP)
费利蒙 (Fremont Micro)
米客方德 (MK)
罗姆 (Rohm)
镁光 (Micron)
美国芯成 (ISSI)
迪浦 (PUOLOP)
瑞士比特 (Swissbit)
博雅 (BOYAMICRO)
德州仪器 (Texas)
IDT公司 (IDT)
霍尼韦尔航天 (Honeywell)
海力士 (HYNIX)
兆易创新 (GigaDevice)
埃弗斯宾半导体 (Everspin)
普冉 (PUYA)
芯成 (ISSI)
杰盛微 (JSMSEMI)
视差 (Parallax)
模拟器件公司 (Analog)
三星半导体 (Samsung)
复旦微 (FM)
闪迪 (SANDISK)
富士通 (FUJITSU)
虹晶科技 (Socle)
辉芒微 (FMD)
金士顿 (Kingston)
罗切斯特电子 (Rochester)
航顺 (HK)
旭化成微器件 (Asahi Kasei)
东芯半导体 (Dosilicon)
瑞萨电子 (Renesas)
上海贝岭 (BL)
英特尔 (Intel RealSense)
日清纺微器件公司 (Nisshinbo Micro)
乐山无线电 (LRC)
更多
供应商设备包装:
8-TSSOP-B
32-PDIP
8-SO
32-TSOP II
44-SOJ
36-SOJ
86-TSOP II
SC-70-5
28-TSOP I
78-FBGA (8x10.5)
28-SOJ
32-LCC (11.43x13.97)
8-USON (4x4)
24-CSPBGA (6x8)
84-TWBGA (8x12.5)
SOT-23-6
54-TSOP II
32-PLCC（11.43x13.97）
8-DFN (5x6)
54-TFBGA (8x8)
60-TFBGA (8x13)
8-TSSOP
60-FBGA (8x10)
200-VFBGA (10x14.5)
56-TSOP
44-TSOP II
60-VFBGA (8x9)
64-FBGA (9x9)
24-BGA (8x6)
8-DFN (4x4.5)
8-UDFN (2x3)
8-MSOP
100-TQFP（14x20）
60-VFBGA (8x9.5)
16-SOP
48-FBGA (6x7)
28-PDIP
96-FBGA（9x13）
36-VFBGA（6x8）
8-WSON (6x8)
8-SOP
8-USON (2x3)
8-DIP
48-TFBGA (8x10)
90-TFBGA (8x13)
8-SOP-J
84-FBGA (8x12.5)
63-BGA (9x11)
96-FBGA（7.5x13.5）
8-WSON (6x5)
24-FBGA (6x8)
48-TFBGA (6x8)
64-LFBGA (9x9)
8-DIPK
60-FBGA (8x13)
8-UFDFPN (2x3)
32-TSOP
67-VFBGA (6.5x8)
48-FBGA (10x10)
8-DFN (2x3)
63-VFBGA (10.5x13)
8-UDFN (5x6)
VSON008X2030
8-VFBGA (1.5x2)
28-SOIC
64-LFBGA, CSP (11x13)
96-TWBGA（9x13）
48-TSOP
66-TSOP II
24-CDIP
8-PDIP
8-USON (1.5x1.5)
8-SOIJ
48-TFBGA
16-SOIC
134-TFBGA (10x11.5)
54-FBGA (8x8)
24-BGA (6x8)
8-WSON (5x6)
48-VFBGA (6x8)
90-FBGA (8x13)
32-TSOP I
63-VFBGA (9x11)
8-SOIC
32-SOP
24-VFBGA (6x8)
32-SOJ
32-VSOP
4-WLCSP (0.84x0.86)
32-PLCC（13.97x11.43）
63-TFBGA (9x11)
8-WSON (8x6)
96-FBGA（7.5x13）
28-TSOP
32-SOIC
165-FBGA (13x15)
8-WDFN (5x6)
48-miniBGA (7.2x8.7)
96-VFBGA（7.5x13）
24-EDIP
更多

当前"存储器"共 46738 条相关库存

品牌型号	描述	价格	库存	交期	数量	操作
MB85R1001ANC-GE1 富士通 (FUJITSU)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-TSOP	¥58.77758	1532	2-3 工作日	- + 合计: ¥58.77758	立即购买加入购物车
S29GL01GS11FHIV23 英飞凌 (Infineon)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)	¥72.46522	3200	5-7 工作日	- + 合计: ¥115,944.34400	添加到BOM 立即询价
IS43DR16640B-25DBLI 美国芯成 (ISSI)	存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏时钟频率: 400兆赫供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)	¥42.15340	152	2-3 工作日	- + 合计: ¥42.15340	立即购买加入购物车
25AA640T-I/SN 微芯 (Microchip)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏时钟频率: 1兆赫供应商设备包装: 8-SOIC	¥6.08404	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥6.08404	添加到BOM 立即询价
GD25LQ64ESIGR 兆易创新 (GigaDevice)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.65V~2V 时钟频率: 133兆赫供应商设备包装: 8-SOP	¥6.02827	13005	2-3 工作日	- + 合计: ¥6.02827	立即购买加入购物车
GD25Q64ESIGR 兆易创新 (GigaDevice)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏时钟频率: 133兆赫供应商设备包装: 8-SOP	¥4.11035	11077	2-3 工作日	- + 合计: ¥4.11035	立即购买加入购物车
GD25Q64ETIGR 兆易创新 (GigaDevice)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏时钟频率: 133兆赫供应商设备包装: 8-SOP	¥8.90877	1148	5-7 工作日	- + 合计: ¥8.90877	添加到BOM 立即询价
AS4C256M16D4-83BIN 联盟内存 (Alliance Memory )	存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.26伏时钟频率: 1.2千兆赫供应商设备包装: 96-FBGA（7.5x13.5）	¥90.17411	4908	5-7 工作日	- + 合计: ¥90.17411	添加到BOM 立即询价
W25Q32JWZPIQ 华邦电子 (Winbond)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏时钟频率: 133兆赫供应商设备包装: 8-WSON (6x5)	¥7.17047	5180	5-7 工作日	- + 合计: ¥7.17047	添加到BOM 立即询价
IS42S16320F-7TL 美国芯成 (ISSI)	存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫供应商设备包装: 54-TSOP II	¥116.99117	3809	2-3 工作日	- + 合计: ¥116.99117	立即购买加入购物车
MX25U1635EM1I-10G 旺宏 (Macronix)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65V~2V 时钟频率: 104兆赫供应商设备包装: 8-SOP	¥7.55290	1579	2-3 工作日	- + 合计: ¥7.55290	立即购买加入购物车
AS4C32M16SB-7TINTR 联盟内存 (Alliance Memory )	存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫供应商设备包装: 54-TSOP II	¥113.41796	259	2-3 工作日	- + 合计: ¥113.41796	立即购买加入购物车
GD25LQ64CSIGR 兆易创新 (GigaDevice)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.65V~2V 时钟频率: 120兆赫供应商设备包装: 8-SOP	¥9.49906	19281	2-3 工作日	- + 合计: ¥9.49906	立即购买加入购物车
MT48LC64M8A2P-75:C 联盟内存 (Alliance Memory )	存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫供应商设备包装: 54-TSOP II	¥82.44662	0	2-3 工作日	- + 合计: ¥82.44662	立即购买加入购物车
GD25Q64CWIGR 兆易创新 (GigaDevice)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏时钟频率: 120兆赫供应商设备包装: 8-WSON (5x6)	¥12.13693	59407	2-3 工作日	- + 合计: ¥12.13693	立即购买加入购物车
AS4C128M16D2A-25BIN 联盟内存 (Alliance Memory )	存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏时钟频率: 400兆赫供应商设备包装: 84-FBGA (10.5x13.5)	¥122.11979	663	2-3 工作日	- + 合计: ¥122.11979	立即购买加入购物车
SST25VF040B-50-4C-SAF-T 微芯 (Microchip)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏时钟频率: 50 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC	¥7.82233	9900	5-7 工作日	- + 合计: ¥7.82233	添加到BOM 立即询价
FM1808B-SG 英飞凌 (Infineon)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏供应商设备包装: 28-SOIC	¥114.70011	1341	2-3 工作日	- + 合计: ¥114.70011	立即购买加入购物车
MX25U3232FZNI02 旺宏 (Macronix)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.65V~2V 时钟频率: 133兆赫供应商设备包装: 8-WSON (6x5)	¥7.89476	2737	5-7 工作日	- + 合计: ¥7.89476	添加到BOM 立即询价
GD25Q64CSJGR 兆易创新 (GigaDevice)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏时钟频率: 120兆赫供应商设备包装: 8-SOP	¥11.75595	1786	2-3 工作日	- + 合计: ¥11.75595	立即购买加入购物车

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