存储器是一种在集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件有多种格式:CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM(非易失性或易失性)。这些器件的内存大小范围为 64 b 至 6 Tb,接口包括 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 16Kb (2K x 8, 1K x 16) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 3兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥4.34574 | 3494 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.34574 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (6x8) | ¥20.67761 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51,694.02500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
CACHE SRAM, 256KX32, 4NS PQFP100 | ¥113.27896 | 2097 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,265.57912 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-WFBGA (6x4) | ¥17.11989 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥42,799.72750 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (256 x 16) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 2兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥2.82473 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,061.82750 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 2.5伏~6伏 时钟频率: 10兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥1.01401 | 196000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,250.07931 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥16.65748 | 12 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥16.65748 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥31.36019 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10,003.90157 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (6x8) | ¥20.67761 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51,694.02500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
ZBT SRAM, 512KX18, 9NS PQFP100 | ¥113.27896 | 1461 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,265.57912 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (512 Bytes x 8192 pages) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥26.58144 | 2007 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.58144 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥23.36618 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23,366.17500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP II | ¥10.64706 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,139.23574 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 172-FBGA (15x15) | ¥569.79894 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,279.19577 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥1.95558 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,149.18572 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 10兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥4.34574 | 2090 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.34574 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥41.10245 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥13,111.68187 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6) | ¥20.67761 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51,694.02500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
CACHE SRAM 256KX32 10NS PQFP100 | ¥113.56867 | 3763 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,271.37344 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 1.7伏~2.2伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-PDIP | ¥19.01261 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,422.27034 | 添加到BOM 立即询价 |