光电晶体管系列中的产品是分立的光敏元件,其行为方式与双极晶体管类似,但使用入射光而不是通过器件端子施加的电流来使器件导电。与光电二极管相比,光电晶体管通常在相同强度的入射光下产生更大的输出电流,但对光强度变化的响应速度较慢。这些差异导致光电晶体管应用起来更简单,但对于高速操作不太有用。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类型:NPN 集射极击穿电-Vceo:30V 集电极电流-Ic:20mA 峰值波长:860nm 集电极暗电流:100nA | ¥0.36436 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.36436 | 立即购买 加入购物车 | ||
集射极击穿电-Vceo:30V 集电极电流-Ic:20mA 峰值波长:940nm 集电极暗电流:100nA | ¥0.36847 | 70 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.36847 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电-Vceo:30V 集电极电流-Ic:20mA 峰值波长:940nm 集电极暗电流:100nA | ¥0.52355 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.52355 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电-Vceo:30V 集电极电流-Ic:40mA 峰值波长:940nm 集电极暗电流:100nA | ¥0.41453 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.41453 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电-Vceo:30V 集电极电流-Ic:20mA 峰值波长:860nm 集电极暗电流:100nA | ¥0.40071 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.40071 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电-Vceo:30V 集电极电流-Ic:20mA 峰值波长:940nm 集电极暗电流:100nA 红外接收三极管(PT) | ¥0.31578 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.31578 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电-Vceo:30V 集电极电流-Ic:20mA 峰值波长:940nm 集电极暗电流:100nA | ¥0.41294 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.41294 | 立即购买 加入购物车 | ||
PHOTOTRANSISTOR, SIDE VIEW TYPE | -- | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.00000 | 添加到BOM 立即询价 |