新铸造系统宣称IC价格减半，缩短交付周期

英国公司Search for the Next（SFN）最近宣布，其基础设施时间机器（ITM）可用于使用下一代CMOS制造设备制造芯片。

 

SFN的基础设施时间机器。图片由Search for the Next提供

 

SFN声称其正在申请专利的Bizen晶圆工艺使他们能够使用现有的1μm、180 nm、28 nm和3 nm硅几何形状的光刻制造设施来生产分别相当于180 nm、35 nm、5 nm和亚nm芯片的芯片。每个工艺相应地标记为ITM180、ITM35、ITM5和ITMSubnm。

“基础设施时间机器”这个名字的灵感来源于这样一种想法，即这一过程将“使摩尔的时钟倒退10年”。

 

芯片供应链的快速通道

SFN之前曾于2019年与总部位于苏格兰的半导体制造商Semefab合作。在宣布这一合作时，SFN声称其流程可以将交付周期从几个月缩短到几周。

SFN利用了英国的现有设施，使公司具有竞争优势，因为它不需要投资新的复杂芯片制造厂。即使在这些传统设施中，SFN也声称生产的硅具有与最先进的CMOS相当的性能。此外，Bizen工艺不依赖氖气，因为氖气对供应链问题很敏感。

面对一个主要由台积电和三星等公司主导的市场，Bizen晶圆工艺是一个有趣的提议，这两家公司在下一代芯片制造方面都处于领先地位。

 

Zpolar、Zpolar隧道逻辑和量子力学

基于Zpolar隧道逻辑的SFN的Zpolar晶体管使Bizen晶圆工艺成为可能。Zpolar这个名字的灵感来源于齐纳和双极的结合。Zpolar晶体管使用支持量子隧道终端的量子力学。此外，晶体管代替集电极、漏极、发射极或源极，而是包括两个阳极，阳极1和阳极2，这两个阳极都具有相同的正向和反向特性。

 

Z极晶体管。图片由Search for the Next提供

 

在端子处使用量子隧穿消除了对其他电路的需要，例如电阻器，这有助于减少Zpolar晶体管的总占地面积。

晶体管的另一个优点是由于齐纳力学而报道的抗辐照性。晶体管也没有易受闩锁影响的逻辑结构。根据SFN的讨论论坛，不止一种Zpolar晶体管配置正在开发中，其中包括一种具有多个终端隧道的配置。

首席执行官David Summerland被列为与晶体管和电源适配器发明有关的多项专利的发明人。据推测，SFN题为“包括晶体管和二极管的电路和器件”的专利出版物与Zpolar晶体管有关，并描述了使电流能够在充分掺杂的二极管中流动的量子隧道效应。

 

正在进行早期采用

关于访问Zpolar的更多细节没有明确提供，尽管Bizen似乎在回应公司网站上的问题。SFN敦促那些对早期采用感兴趣的人联系SFN的流程开发工具包，其中包括早期Cadence模型。全面上市的确切日期尚未公布。