2022年三星科技日公布内存技术路线图

自2017年以来，三星每年都会举行“技术日”会议，发布新技术，讨论行业现状，并公布未来计划。在2022年铸造论坛之后举行的2022年技术日上，三星为即将到来的1.4nm工艺节点、存储器路线图制定了计划，并制定了扩大其行业影响力的目标。在这篇文章中，我们将讨论会议的一些主要亮点。

 

三星有望达到1.4纳米

在2022年三星铸造论坛上，该公司宣布计划继续扩大其工艺技术。今年早些时候，三星开始生产其3nm节点，这是业界第一家实现这一壮举的铸造厂。现在，三星已经将目光投向了下一代工艺技术，特别是2nm节点。

 

MOSFET进化到高级节点。图片由三星提供

 

三星计划到2025年达到200万台。要实现这一规模，需要三星的基于栅极全方位（GAA）的晶体管技术。除此之外，该公司预计到2027年达到1.4纳米节点，并计划在同年将其先进节点产量增加三倍。

 

正在进行的大V NAND和DRAM计划

三星还推出了第八代和第九代V-NAND产品以及第五代DRAM产品。

该公司目前为V-NAND提供512 Gb三级电池（TLC）产品，但预计今年晚些时候将发布1 TB的TLC版本。第五代DRAM将是一种10nm（1b）器件，并将于2023年开始大规模生产。即将推出的其他DRAM解决方案包括32 Gb DDR5解决方案、8.5 Gbps LPDDR5X DRAM和36 Gbps GDDR7 DRAM。

 

三星最新DDR5解决方案的渲染图。图片由三星提供

 

三星对其V-NAND有着宏伟的计划，声称到2030年，它将实现1000层的V-NAND。为了实现这一目标，三星正在从目前的TLC架构过渡到四级电池（QLC）架构，提高密度并启用更多层。

三星还将在DRAM研发方面投入更多资源，研究新的架构和材料，如High-K，以帮助将DRAM扩展到10nm以上。该公司打算进一步开发其他DRAM解决方案，如内存处理（PIM）。

 

三星在整个行业开展合作

三星利用2022年科技日为契机，制定了一些行业拓展计划。

三星的系统LSI业务宣布打算成为“完全无晶圆厂解决方案”。这意味着该集团将利用其产品，包括SoC、PMIC和安全解决方案，将其整合到一个单一平台中，供客户使用。通过这种方式，三星可以在没有晶圆厂的情况下为其客户设计定制解决方案。

三星也在通过扩大贸易伙伴关系来扩大其行业影响力。具体而言，该公司将开设一个三星存储器研究中心（SMRC），客户和供应商可以在这里测试各种应用程序和环境中的三星存储器设备。该中心将与包括Red Hat和谷歌在内的合作伙伴合作设计。