三星将其V-NAND技术用于游戏NVMe SSD

在日常消费者喜欢的计算应用程序中，游戏是最受欢迎的也是计算密集型的应用程序之一。因此，新闻中出现的许多计算进步都集中在游戏上，GPU和内存技术等产品的创新正在推动性能的提高。

本周，三星继续了这一趋势，发布了一系列针对游戏和创意应用程序进行优化的NVMe固态硬盘（SSD）。

 

990 PRO是一款基于PCIe 4.0的NVMe SSD，专为游戏而优化。图片由三星提供

 

在本文中，我们将了解三星新固态硬盘的一些底层技术以及细节。

 

V-NAND使用垂直尺寸

对于大多数SSD技术，选择的存储器架构是NAND闪存，它的物理尺寸很小，并且提供极快的写入速度。然而，历史上的闪存解决方案被设计为以二维结构存储数据，其中NAND闪存芯片被水平排列，彼此相邻，并在宽度或长度上按比例缩小。芯片被缩放并放置在平坦的表面上。

这种趋势持续了几十年，直到最近2D架构已经开始达到一些显著的限制，这些限制阻碍了进一步的扩展。具体地，随着NAND单元之间的距离减小，晶体管上的电流泄漏也增加。由于这个原因，NAND闪存制造商在传统的扩展方面受到限制，无法在不牺牲性能的情况下降低到远低于13纳米。

 

2D平面NAND与3D V-NAND。图片由三星提供

 

为了解决这个问题，三星发明了所谓的垂直NAND（V-NAND）闪存。与传统的2D NAND架构不同，V-NAND是一种三维架构，其中NAND层垂直堆叠在彼此之上，并以逐层的方式连接。尽管如今许多其他公司以不同的名称（例如3D NAND）使用这项技术，但三星声称自己是该领域的发明者和先驱。

现在，三星正在准备大规模生产其第八代V-NAND，该产品具有200多层堆叠的NAND单元，在密度、效率和性能方面都有了显著提高。

 

三星基于V-NAND的990 Pro固态硬盘

利用其V-NAND技术，本周发布了基于PCIe 4.0的新系列NVMe固态硬盘。这款名为990 PRO SSD的新产品系列据说是专门为游戏和创意应用而设计的，并为此提供了令人印象深刻的规格。

990 PRO系列基于三星最新的V-NAND技术，并与新的专有内存控制器紧密结合，据说可以提供尽可能高的PCIe速度，在理论最大值8000 MB/s的基础上实现7450 MB/s的顺序读取速度。

与此同时，990 PRO固态硬盘声称其随机性能比上一代产品提高了55%。为了量化这一点，三星告诉，990 PRO的随机读取速度高达1400K IOPS（每秒I/O操作数），随机写入速度高达1550K IOPS。

 

990 PRO系列配备了智能散热解决方案。图片由三星提供

 

总的来说，该系列的最大容量为4 TB，同时配有4GB的LPDDR4 DRAM，2TB型号的售价为309美元。据三星称，在990 PRO的游戏相关测试中，他们发现地图加载时间比SATA SSD快4倍，比硬盘驱动器解决方案快28倍。同时，该设备声称每瓦性能比上一代提高了50%，性能达到1319 MB/W。