电力电子及其他领域的一个更大趋势是从标准硅FET向宽带隙替代品的转变。在这些宽带隙材料中，最令人印象深刻的是氮化镓（GaN）。

现在，由于其日益流行，GaN市场似乎终于有了动力。上个月，我们看到该领域的一些大公司发布了大量GaN产品。

在本文中，我们将了解一些最新的GaN新闻，以了解该技术的现状及其发展方向。

 

GaN系统新型晶体管

6月中旬，GaN系统公司宣布为其设备组合推出一款新型GaN晶体管，成为行业头条新闻。这种新器件被称为GS-065-018-2-L，是一种650 V、18 a、78 mΩ的底侧冷却晶体管，旨在提高器件的效率、热管理和功率密度。这款新型晶体管采用8x8毫米PDFN封装，具有1.5纳秒的开启延迟和5纳秒的上升时间等令人印象深刻的规格，有助于支持大于1 MHz的高开关频率。除此之外，该设备提供850 V的最大瞬态VDS，确保了高水平的可靠性和安全性。

 

Package and schematic symbol of the new GaN transistor.

新型GaN晶体管的封装和示意图符号。图像由GaN系统提供

 

根据GaN Systems的说法，这种新设备的目标是用于100W-800W适配器和工业电源等应用，在这些应用中，用GaN替代品取代硅晶体管可以带来更高的功率效率和更轻的系统。

 

EPC的Rad硬报价

6月中旬，高效功率转换（EPC）将一种新型GaN FET推向市场。

EPC的最新设备称为EPC7018，是一种辐射硬化（rad hard）FET，专为空间电子应用而设计。根据数据表，EPC7018是一种100 V的设备，能够持续90 a或脉冲345 a，同时提供RDS在为3.9 mΩ。尺寸为13.9毫米2.该设备针对太空应用进行了优化，并提供了辐射强化功能，如1 Mrad的总剂量辐射额定值和85 MeV/（mg/cm）LET的SEE免疫力2.).

 

The EPC7018’s package.

EPC7018的包装。图片由EPC提供

 

根据EPC，EPC7018的RDS在3.9 mΩ标志着市场上rad硬解决方案的最低导通电阻。随之而来的是节能和缓解热管理挑战。总的来说，EPC列出了DC-DC功率转换、电机驱动、激光雷达、卫星EPS等。更多信息可从EPC7018的数据表中获取。

 

Finwave的3D GaN FinFET

我们在本综述中的最后一条GaN新闻来自Finwave Semiconductor，该公司（同样在6月中旬）宣布打算使用GaN来瞄准5G应用。

据之前被称为剑桥电子公司的Finwave称，5G面临的最大挑战之一是当前的硬件方法无法提供在毫米波频率下有效运行所需的高线性。在这些应用中，RF功率放大器能够提供高效率、输出功率和线性度至关重要。为了实现这一点，该行业最近转向了RF-SOI技术，但Finwave认为即使这样也不够。

 

3D rendering of Finwave’s 3DGaN device.

Finwave的3DGaN设备的3D渲染。图片由Finwave提供

 

相反，Finwave打算通过硅上GaN解决方案解决5G设计挑战，实现CMOS逻辑与GaN放大器的接口。为此，Finwave的专有技术是他们的3DGaN技术，这是一种硅上GaN FinFET结构，旨在提供具有GaN性能的硅成本模型。

Finwave表示，其3DGaN技术能够在毫米波功率放大器中实现高线性、高功率和高效率。最终的希望是，它的技术可以帮助实现下一代更便宜、更高性能的5G系统，用于视频流、自动驾驶汽车等应用。

 

通往更多氮化镓的道路创造动力

随着几款令人印象深刻的新型GaN产品进入市场，很明显，GaN背后有着相当大的势头。GaN曾经是学术界的一个主题，现在终于成为主流，它带来的性能在很大程度上是无与伦比的。

 

 

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