NTH4L060N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET提供优越的开关性能和更高的可靠性。MOSFET具有低ON电阻，其紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅电荷。因此，系统的好处包括最高的效率、更快的操作频率、增加的功率密度、减少的电磁干扰和减小的系统大小。


特性

  • Typ。RDS(on) = 44m @ VGS = 18V

  • Typ。RDS(on) = 60m @ VGS = 15V

  • 超低门电荷(QG(tot) = 74nC)

  • 低电容(Coss = 133pF)

  • 100%雪崩测试

  • TJ = 175°C

  • 本设备无铅，符合RoHS标准


应用程序

  • 开关模式电源

  • 太阳能逆变器

  • UPS(不间断电源)

  • 能源存储