“IGBT是一项相对成熟的技术，”该公司表示。“尽管如此，随着太阳能电池板和电动汽车充电器的普及，这些设备的市场预计将增长。Nexperia 的 600V IGBT 采用载流子存储沟槽栅极场截止结构，可在高达 175°C 的温度下运行，提供低传导损耗和开关损耗，并且坚固耐用。”

    NGW30T60M3DF 是 30A 器件，针对硬开关低频工业电源逆变器和伺服电机驱动器（5 – 20kW，高达 20kHz）中的低关断损耗进行了优化。短路承受时间为5μs。
    预定的 600V 部件为：NGW40T60H3DF (40A)、NGW50T60M3DF (50A) 和 NGW75T60H3DF (75A)，其中“M3”表示中速（30A 版本 = 60ns 开启，~200ns 关闭），H3 表示高速（40A 版本） = 32ns 开启，~100ns 关闭）。
    Nexperia 表示：“这些 IGBT 的设计具有严格的参数分布，允许多个设备安全地并联连接。” 这些 IGBT 也完全被评为软快速反向恢复二极管。这意味着它们适用于整流器和双向电路应用，或用于防止过流情况。”
    封装采用无铅 TO247-3L，部件符合 HV-H3TRB 标准，适合户外应用。
    据该公司称，还将推出1,200V IGBT，但尚未发布其他信息。