LDO即low dropout regulator，是一种低压差线性稳压器。这是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78XX系列的芯片都要求输入电压要比输出电压至少高出2V~3V，否则就不能正常工作。LDO看似简单，在实际选型应用中还是有很多需要注意的地方。本文将简述LDO与升压芯片的主要选型要点，如果你对本文即将要涉及的内容存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。

先从源头说起吧：

LDO 包含三个基本功能元件：一个参考电压、一个通路元件和一个误差信号放大器。

正常工作期间，通路元件充当LDO的电流通路。

通路元件由来自误差信号放大器的补偿控制信号驱动，误差信号放大器可感测输出电压并将其与参考电压进行比较。

这些参数就是影响LDO性能的部分。

LDO 稳压器设计中通常有四种不同的通路元件：基于 NPN 型晶体管的稳压 器、基于 PNP 型晶体管的稳压器、N 通道基于 MOSFET 的稳压器和 P 通道基于 MOSFET 的稳 压器。

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显然 ，用MOS时要比用三极管时，静态电流要小。

主要的性能参数：

1、压差：进一步减小输入电压会造成输出电压失稳时的输入电压与输出电压之差。一般来说，输入电压要比输出电压高些，这个压差越小，说明后端跟随性越好，电压输出越稳定。同时，随着压差进一步变小，后端输出电流的能力也会变小，所以一般都用在某个压差下电流，来表示LDO的稳定供电的能力。如MST5333参数

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在30~300mV下，可以稳定输出电流都是100mA,同时输出电压跌落 3.3*2%=0.066V。看DataSheet时主要的就是看这一项。

2、负载调整率是指在给定负载变化下的输出电压变化，这里的负载变化通常是从无负载到满负载。负载调整率体现了通路元件的性能和稳压器的闭环DC增益。闭环DC增益越高，负载调整率越好。电压变化越小，说明芯片性能越好。

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手册中一般体现在这一项，如以HT7533-1为例：

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而MST5333中这一值仅为20mV,可以看出这要比HT7533要好一些。

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 3、线性调整率是指在给定输入电压变化下的输出电压变化。一般线性调整率的最小输入电压都是高于压差。这样就排除了压差时的情形。也是衡量芯片稳压能力的一个参数。

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 如HT7533-1中所述：

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 4、静态电流：是通路元件的偏流和驱动电流的组合，通常保持尽可能低的水平。静电电流越小，说明芯片是越省电，效率也相对越高。MST5333中所示。

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升压芯片应用很多，对于升压芯片，其原理并不难。升压芯片在应用时，往往令人纠结之处在于升压芯片的选型。总体来说，升压芯片在选型时主要从输入与输出电压入手。输入电压尽量接近于实际值，这样效率较高。

还是从源头说起：升压电路可以简化为：包含储能电感、控制电路、输出电容几个部分

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在充电过程中，开关S闭合，等效电路如图1，开关处用导线代替。这时，输入电压流过电感。二极管防止电容对地放电。由于输入是直流电，所以电感上的电流以一定的比率线性增加，这个比率跟电感大小有关。随着电感电流增加，电感里储存能量。

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放电过程如图3所示，这是当开关S断开时的等效电路。当开关断开（三极管截止）时，由于电感的电流保持特性，流经电感的电流不会马上变为0，而是缓慢的由充电完毕时的值变为0。而原来的电路已断开，于是电感只能通过新电路放电，即电感开始给电容充电，电容两端电压升高，此时输出电压已经高于输入电压了。

选择方案时需要关注最低启动电压、输出电压、输出电流、转换效率等参数。

如TLV61220为例：启动电压及输出电压

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输出电流及效率是以图的形式，如下图

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从图中可以看出，输出电流与前级的开关电流及输入电压有关，前级的功率一般要大于后级的功率，效率如下图:

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可以看出，输出电压固定，输出电流大于1mA 到100ma时，转换效率基本上都大于90%。

总结:可见此芯片还是不错的,这些就是整理汇总的“LDO与升压芯片”相关内容，通过本文，希望大家对本文讲解的内容具备一定的认知，并且希望本文对常见升压芯片选型真的能够真实地帮助到大家。