赋能未来,勇往直前:SiC MOSFET问世10周年的思索
在SiC MOSFET问世10周年之际,作者回顾科锐公司十年歷史所经歷的关键时刻,并认为未来的发展会比过去曾经歷的增长还要巨大,也为下一步即将增长的产业曲缐提出卓见。...
在SiC MOSFET问世10周年之际,本文作者回顾科锐公司十年歷史所经歷的关键时刻,并且认为未来的发展会比过去曾经歷的增长还要巨大,因此为下一步即将增长的产业曲缐提出卓见。
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处于像我这样的位置,能够有幸参与到一个改变行业的重要产品的问世,感觉就是一生一遇的机会。所以通过回顾我们公司歷史十年前的关键时刻,发现我所能看到的,对于今天Wolfspeed将迈向何方,也会显得特別地有意义。
在2011年,在经过了将近二十年的研发之后,科锐推出了全球首款SiC MOSFET。尽管业界先前曾十分怀疑这是否可能实现。在成功发佈之前,普遍的观点是SiC功率电晶体是不可能实现的,因为太多的材料缺陷使其不可行。先前普遍的看法是不可能开发出可用的SiC MOSFET,因为SiC的氧化物绝缘体是不可靠的。我们的友商试图尝试用JFET和BJT等其他器件来绕开这个问题,而我们则始终坚持自己的信仰。因为我们知道MOSFET才是客户最终想要的。我们坚信,我们可以通过採用SiC,开发出市面上最为强大和可靠的半导体。
在歷盡千辛和百折不挠的努力之后,我们成功做到了。
我们探索了三种不同晶体结构。我们竭盡全力在降低成本的同时提高安培容量….提高了1000倍甚至更多!最初的晶圆尺寸仅有我的小指指甲大小。之后,我们终于将3 吋晶圆的SiC MOSFET推向市场。同时,以科锐的行事风格,我们并沒有停歇下来去庆祝第1代SiC MOSFET的推出,而是迅速投入到了第2代产品的开发。
最初的阶段并非沒有彷徨。但我们知道要想推动产业更多的採用,我们就必须不断地在降低成本的同时提升性能。在那段时间里,我们让许多原先认为不可能实现的人改变了观点。我们目睹了友商公司放弃了其他器件结构的选择,而开始朝向MOSFET迅速迈进。随着各个产业开始认识到SiC MOSFET可以适用于不同应用,我们看到了新的市场和垂直领域。
但即便是我自己,当时也沒能全面意识到某些市场将来会变得多么巨大。我们认识到SiC MOSFET能在巨量的工业应用领域发挥关键作用,而电动汽车会是一个重要的赛道。我们知道这产业有潜力,但是我们很难想像这个机遇会有多么巨大,以及我们将助力电动汽车产业的塑造。
在採用SiC逆变器的特斯拉Model 3的推出之后,一切都发生了改变。在看到了採用SiC器件所能实现的功率密度和续航里程,各家汽车OEM厂商都开始争相研究如何在他们的汽车之中採用该项技术。
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今天电动汽车产业的蓬勃发展,让我想到了我们公司歷史上的另一个关键时期。我记得目睹了科锐LED业务的巨大发展浪潮。从90年代中期科锐LED在大众汽车仪錶盘上的首次採用,到全行业对于固态照明的拥抱。我见证了公司之前的爆发式增长 – 而这一幕在今天又开始重现。
我相信,对于Wolfspeed,未来的发展会比我们过去曾经歷的增长还要巨大。爆发式增长既令人愉悦,却也充满挑战。我们需要相互扶持,在成为行业引领者的道路上不断前行。
十年之前,我们身处一生一遇的增长曲缐的初期阶段。现在,我们又迎来了这样的机遇。我迫不及待地想要看到未来十年我们将达到怎样的高度。