超越5G时代的射频前端模组
透过整合深宽比捕捉（ART）技术与奈米嵴型工程，爱美科成功在300mm硅基板上成长出砷化鎵或磷化铟鎵的异质接面双极电晶体，实现5G毫米波频段的功率放大应用。...
透过整合深宽比捕捉（ART）技术与奈米嵴型工程（nano-ridge engineering），爱美科成功在300mm硅基板上成长出砷化鎵（GaAs）或磷化铟鎵（InGaP）的异质接面双极电晶体（HBT），实现5G毫米波频段的功率放大应用。
前四代的行动通讯技术在传输频率方面的变革，一向呈现逐步演进，而非革命性的。操作频率从仅不到十亿赫（GHz），跃升至好几十亿赫，而频宽也从几十千赫（kHz）扩展至几十百万赫（MHz）。
从这些传输特性来看，第五代行动通讯技术（5G）可说是脱离过往所有技术的激进变革。5G的部分传输工作仍会使用一些GHz频率—也就是sub-6 GHz频段，但除此之外，它还使用了毫米波频段，也因此，现行的网路频段需要处理相关的频宽限制问题。
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使用毫米波的缺点之一，例如以28GHz与39GHz为主的频段，在于讯号功率会出现明显衰减。为了解决这项痛点，5G网路开始出现部署小型基地站的需求，还需开发全新的行动装置设计，使得元件的前端设计变得更加复杂。
以砷化鎵（GaAs）或磷化鎵铟（InGaP）制成的异质接面双极电晶体（HBT），是目前行动装置的关键元件，其成长于造价不菲的GaAs基板上。这类电晶体被用来制造功率放大器，该元件特色是具备多个独立模组，不同模组处理不同频段。
随着5G网路开始支援毫米波频段，HBT元件的射频性能势必要维持水准，甚至进一步提升，同时还要降低成本、增加电路设计弹性、减少功率耗损与元件尺寸。不幸的是，目前的商用技术还在努力开发出优良的射频前端模组，满足上述所有需求，因此改用创新材料与元件架构，成为时势所需。
爱美科已经开发出异质三五族CMOS技术，能够满足毫米波射频应用的小尺寸、低成本需求。这项技术在高频状态下操控三五族元件系统的功率负载（图二）以及缐性度，并利用先进的CMOS后段制程来制造复杂的控制电路。
此外，多亏了共整合（co-integration）技术，这项技术还有可能进一步改善整体电路的能耗效率，实现可供量产的高能耗效率、低成本的毫米波技术。
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要将像是GaAs的三五族材料与硅材整合，其中一项的最大挑战，就是严重的晶格不匹配。在晶格不匹配的硅基板上进行磊晶成长会产生缺陷—多半是穿隧差排（threading dislocation）。这些缺陷会导致不被乐见的漏电流，折损元件性能。
有些研究团队在硅基板与元件之间导入一层应力松弛的缓冲层，持续努力降低这些缺陷密度。但是增加元件层就会加诸庞大的成本。这些增设的元件层以硅锗（SiGe）、锗或三五族变晶堆叠制成，且堆叠厚度需达至少10μm，才能有效将缺陷密度降至可接受的数值。
事实是，不论要用什么方法来开发CMOS三五族技术，为了控制元件的复杂度与制造成本，势必要採用标准硅基板。
深宽比捕捉技术
爱美科的解决方法是结合深宽比捕捉技术与奈米嵴型工程，前者将缺陷侷限在窄沟底部，后者可实现零缺陷且可增加产量的三五族元件制造（图三）。随后採用完全相容于CMOS的制程来进一步处理奈米嵴结构，制出最终的元件，并实现与硅基CMOS元件的共整合。
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这项作法的优势之一是，能在不需成长厚缓冲层或使用昂贵基板的情况下，将硅基版与三五族材料进行整合。况且爱美科还能善用其以300mm晶圆制造三五族元件（III-V-on-300 mm）的专业技术—当初开发是为了要持续微缩CMOS技术和研究硅基CMOS元件。
为了制造奈米嵴，爱美科将三五族材料成长于300mm的(001)硅晶圆上，採用双层氧化层的结构（图四）。第一层二氧化硅（SiO2）层是400nm的浅沟隔离（shallow trench isolation；STI）模板，其特色在于80nm宽的窄沟图形，且底部有｛111｝硅晶向的V型槽，间隙为800nm。
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在这之上，爱美科加了第二层氧化层，厚度为1000nm，成长出600nm宽的沟槽，位于下层窄沟的中间。
之后，运用选区成长（selective-area growth）技术，爱美科将三五族材料沉积在窄沟内。三五族材料与硅材之间的严重晶格不匹配会产生缺陷，但这些缺陷，因为高深宽比的结构，会被侷限在沟槽底部。这就确保了窄沟外成长的材料能免除穿隧差排的缺陷。
接下来是进行奈米嵴型工程，藉由拓宽奈米嵴来维持（001）长晶面，制出平坦的接面。倘若奈米嵴型工程能成长出独立式的元件架构，会导致大的盒型图形。为了避免这个现象，爱美科加了第二层氧化层模板。一旦奈米嵴碰到第二层氧化层，就会减少元件主动区的侧壁沉积。
爱美科在低压的金属有机化学气相沉积（MOCVD）腔体中，在300mm硅晶圆上成长出这些三五族材料，由于反应物来源是三五族材料，因此使用传统的液相前驱物。另加入四溴化碳（carbon tetrabromide）与硅烷（silane）进行掺杂。
要注意的是，奈米嵴型工程不仅能制造传统三五族上硅元件的盒形成长（box-like growth），还能透过仔细调整成长条件来制出不同图形，进而能以奈米等级准确操控奈米嵴的轮廓。
缺陷的特徵分析
为了评估这套方法的有效性，爱美科进一步分析奈米嵴内的缺陷密度。而检视材料最常用的技术之一，就是穿透式电子显微镜（TEM）。爱美科使用的是TEM中的高角度环型暗场扫描（high-angle annular dark-field scanning），它能揭露沟槽内的缺陷。结果显示，爱美科的三五族堆叠中并沒有错合差排（misfit dislocation）（图五、图六）。
虽然传统的TEM能提供更准确的缺陷侦测，但其扫瞄范围很小，若要以此取得可靠的缺陷密度，过程会相当繁琐。
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另一项常用来检视材料的技术是电子通道对比影像（electron channeling contrast imaging），它能相对迅速地产生具备统计相关意义的资料集。藉此，爱美科发现，在GaAs奈米嵴表面的穿隧差排密度低于3x106 cm2。由于缺陷密度的数值受限于扫描区的大小，爱美科预计，GaAs奈米嵴内的穿隧差排密度，实际上还会比上述数值更低。
基于这项研究结果，可以知道爱美科开发的奈米嵴，穿隧差排密度低，足以防止元件受到重大的负面影响。
晶格常数不匹配的磊晶系统，也可能会因为面缺陷（planar defect）而佈满孔洞。爱美科的方法，是将这类缺陷捕捉在与侧壁平行的｛111｝晶面上，但是当面缺陷与侧壁垂直时，面缺陷有可能会落入元件堆叠内。这个情况下，密度可能介于0.14μm-1~0.45μm-1。庆幸的是，由于面缺陷不包含开放的晶体键（open crystal bond）或应变场，因此对元件性能的影响比差排缺陷小。
300mm硅上HBT元件
爱美科利用其零缺陷硅上三五族元件层的成长技术，已经展出以单晶整合于300mm标准硅基板上的GaAs/ InGaP材料HBT元件，成功在超越5G时代的应用中，为基于InGaAs的元件提供技术跳板。
这项技术取得重大进展的基础，在于採用n-InGaP／p-GaAs／n-GaAs架构的一组堆叠，其展现了HBT的元件特性。该堆叠的射极-基极二极体，以及基极-集极二极体，理想因子分別约为1.2和1.4，显现了在接面与成长材料方面的优异品质。此外，其DC电流增益可高于110，集极-基极的崩溃电压为10V，也能证明这个架构具备优良的材料品质。
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为了衡量元件的标准，爱美科针对元件转换特性，比较这款HBT元件与採用类似设计的其他HBT元件；参考元件在2吋GaAs基板上制造，其应力松弛且厚的缓冲层，具备与爱美科HBT元件相似的缺陷密度（图七）。结果令人振奋，爱美科元件的性能胜过具备厚缓冲层的参考元件，且爱美科元件的性能特点，与成长于2吋高品质GaAs基板的元件极为相似（图八）。
这项研究结果与爱美科所言相符，其提出的奈米嵴型工程，以300m硅基板制造，能充分提供所需的材料品质—也就是说，不论是应力松弛且厚的缓冲层，或昂贵的基板，其实都不需要。
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爱美科的硅上三五族元件成功取得了优异的研究成果，因此对这项技术抱持了高度期待。这项技术的优势之一，展现在三五族材料与CMOS硅基制程的整合能力，进而实现5G与毫米波应用。它可以在300mm硅基板上成长出採用InGaAs材料的HBT元件，部署在5G世代之后的射频应用中。
爱美科的异质三五族CMOS技术，从初期的元件性能表现，逐渐改良至现今堪比高品质GaAs基板制成的元件性能。爱美科将持续开发奈米嵴型工程技术，充分发挥其潜力。
（本文由爱美科授权刊登；作者Amhitosh Vais为爱美科研究员／编译：吴雅婷）
**刊头图（source：imec-int.com）