一.场效应晶体管的介绍


在电子元器件众多的品类中，晶体管是一种特别重要的半导体器件。它可以将信号放大或缩小，从而实现对电路的控制。晶体管也分为很多的种类，常见的有半导体三极管、电力晶体管、光晶体管、双极晶体管、双极结型、场效应晶体管、静电感应、单电子晶体管、IGBT。其中场效应晶体管(Field-Effect Transistor,简称FET)和双极晶体管(Bipolar Transistor,简称BJT)是最为常见的两种。它们之间有什么区别呢？

1. 工作原理

双极晶体管是由两个PN结组成的，其中一个是P型，另一个是N型。当基极施加电压时，如果电压大于阈值电压，电流可以通过这两个PN结流过负载；反之，如果电压低于阈值电压，电流无法通过这两个PN结。因此，双极晶体管具有放大和开关功能。

场效应晶体管则是由金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)和金属半导体场效应管(MESFET)两种类型组成。它们的共同特点是不需要pn结来实现单向导电。MOSFET是通过栅极电压控制漏极电流，而MESFET是通过栅极电压控制源极电流。这使得场效应晶体管具有更高的输入阻抗和噪声容限。

2. 应用领域

由于双极晶体管需要大量的PN结来实现信号放大和开关功能，所以它的体积较大，功耗较高。而场效应晶体管则具有较小的体积和较低的功耗，因此应用场景非常多，比如手机、电视、电脑等。

3. 驱动能力

双极晶体管需要外部电源提供足够的驱动力才能正常工作，而场效应晶体管可以通过栅极电压直接驱动。这使得场效应晶体管具有更强的驱动能力，可以用于驱动高增益放大器和其他复杂的电路。

二.场效应晶体管的种类

场效应晶体管按照结构的不同，可以分为以下几种类型：

1. 金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET):这是最常见的场效应晶体管类型。它的主要特点是输入电阻高，噪声低，速度快。

2. 氮化硅场效应晶体管(Silicon Nitride Field-Effect Transistor,SNFET):SNFET的主要优点是在低电压下有良好的导电性，但其缺点是噪声大，速度慢。

3. 功率场效应晶体管(Power Field-Effect Transistor,PFET):PFET主要用于高电压、高电流的应用场合，如电源管理、电机驱动等。

4. 增强型沟道场效应晶体管(Enhanced Gate Field-Effect Transistor,GEFT):GEFT是一种结合了MOSFET和GTR特性的新型场效应晶体管。


三.对晶体管如何进行选择


晶体管的选择主要主要从以下几个因素考虑：

1. 工作电压：根据电路的工作电压选择合适的场效应晶体管。例如，如果电路的工作电压较低，那么应选择低功耗的MOSFET;如果电路的工作电压较高，那么应选择高电压承受能力的PFET或GEFT。

2. 最大电流：根据电路的最大电流需求选择合适的场效应晶体管。一般来说，应确保所选场效应晶体管的额定电流大于电路的最大电流需求。

3. 噪声敏感度：如果你的电路对噪声非常敏感，那么应选择噪声低的场效应晶体管，如MOSFET。

4. 开关速度：如果你的电路需要快速切换，那么应选择开关速度快的场效应晶体管，如MOSFET。

5. 成本：根据你的预算选择合适的场效应晶体管。一般来说，MOSFET的价格相对较低，而GEFT的价格相对较高。