SN74HC595DR器件介绍

 

 

 

SN74HC595DR德州仪器 (Texas)生产的一款8位移位寄存器,具有3态输出寄存器馈送至D型存储寄存器,存储寄存器具有并行3态输出。移位寄存器具有单独的时钟,移位寄存器具有直接覆盖清除(SRCLR)输入、串行(SER)输入以及串行输出,用于级联。当输出启用(OE)输入为高电平时,输出处于高阻态。该器件具有宽工作电压范围,高电流三态输出可驱动多达15个LSTTL负载,低功率消耗,13ns TPD(典型值),5V时,±6mA输出驱动,绿色产品,无Sb/Br。该器件广泛应用于工业、通信与网络等领域。

 

 

规格参数

 

  • 工作电压范围:2V至6V
  • 最大时钟频率:100MHz
  • 输出驱动能力:6mA
  • 工作温度范围:-40℃至85℃
  • 封装形式:SOIC-16
  • 逻辑系列/类型:74HC系列
  • 输出类型:三态门
  • 存储器类型:寄存器
  • 最大功耗:150mW
  • 最大延迟时间:15ns
  • 输入偏置电流:100nA
  • 输出电容:15pF
  • 逻辑电平-输出:3.3V
  • 逻辑电平-输入:3.3V
  • 工作延迟时间-移位:15ns
  • 工作延迟时间-预置:7ns

 

 

SN74HC595DR器件的优缺点

 

优点:

SN74HC595DR器件具有8位移位寄存器和一个存储器,三态输出功能。其中,移位寄存器和存储器是分别的时钟。数据在SCHcp的上升沿输入,在STcp的上升沿进入的存储寄存器中去。如果两个时钟连在一起,则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。移位寄存器有一个串行移位输入(Ds),和一个串行输出(Q7'),和一个异步的低电平复位,存储寄存器有一个并行8位的,具备三态的总线输出,当使能OE时(为低电平),存储寄存器的数据输出到总线。

 

缺点:

SN74HC595DR没有明确指出支持热插拔功能,需要进一步确认。在高负载条件下该器件的功耗较大,在长时间使用后可能会出现稳定性问题。在一些特定应用中可能不如其他器件表现出色。在某些应用中,可能需要更多的电路板空间和电源电压。

 

引脚图及引脚介绍

 

 

 

 

 

QA--QH:八位并行输出端,可以直接控制数码管的8个段;QH′:级联输出端。

SER:串行数据输入端。

GND:接地引脚,接电源负极。

VCC:接电源正极。

OE:输出有效(低电平触发)--默认接GND,若接到5V上,Q0--Q7输出都是0。

RCLK:存储寄存器时钟输入端,上升沿时移位寄存器的数据进入数据存储寄存器,下降沿时存储寄存器数据不变。

SRCLK:移位寄存器时钟输入端,上升沿时数据寄存器的数据移位。

SRCLR:清除引脚,低电平时将移位寄存器的数据清零。

 

 

原理图及原理介绍

 

 

SN74HC595DR器件是一种8位移位寄存器,具有3态输出寄存器馈送至D型存储寄存器。该器件的工作原理如下:

 

移位寄存器:SN74HC595DR器件包含8个移位寄存器,用于存储数据。移位寄存器通过单独的时钟输入进行控制,可以按任意顺序读取数据。

直接覆盖清除输入:当直接覆盖清除(SRCLR)输入为高电平时,移位寄存器中的所有数据将被清除。

串行输入/输出:SN74HC595DR器件支持串行输入和输出,可以通过SER引脚实现。

输出启用输入:当输出启用(OE)输入为高电平时,存储寄存器的输出处于高阻态。

存储类型:SN74HC595DR器件采用D型存储寄存器,可以在多个时钟周期内保持数据。

低功耗输入:SN74HC595DR器件包含多个低功耗输入,可以在低功耗模式下降低功耗。

宽工作电压范围:SN74HC595DR器件具有宽工作电压范围,适用于各种应用场景。

 

封装图

SN74HC595DR的封装/规格是16Pin,高度是1.75mm,长x宽的尺寸是9.90x3.90mm,封装图如下所示:

 

 

SN74HC595DR器件的应用领域

 

SN74HC595DR器件可以广泛应用于数字电路中,如LED显示屏、数码管、驱动器、计数器、时序控制器等。它可以将串行输入的数据转换为并行输出,实现多路数据的控制和传输。同时,它还可以通过级联连接,扩展输出端口数量,提高系统的灵活性和可扩展性。以下是SN74HC595DR器件的一些典型应用领域:

 

1. 作为存储器使用,用于存储数字信号或程序代码;

2. 作为数据寄存器使用,用于存储和处理数字信号;

3. 作为数据寄存器使用,用于存储和处理数字信号;

4. 作为模式发生器使用,用于产生数字信号的特定模式或序列;

5. 作为模数转换器使用,将模拟信号转换为数字信号;

6. 作为通信接口使用,用于数字信号的传输和接收。