英飞凌(Infineon) CY62167EV30LL-45ZXA 器件介绍_规格参数_引脚图_优缺点
CY62167EV30LL-45ZXA是一款16Mb的异步静态随机存取存储器（SRAM）
CY62167EV30LL-45ZXA器件介绍
英飞凌 (Infineon) 的 CY62167EV30LL-45ZXA 是一款高性能的异步静态随机存取存储器（SRAM），存储容量16Mb，可按 100 万字 16 位或 200 万字 8 位组织。访问时间约45ns。采用MoBL超可靠技术，结合了快速的访问时间和超低功耗的PowerSnooze模式。具有超低有功电流，还具有自动关机功能，在地址不切换时可将功耗降低 99%。
CY62167EV30LL-45ZXA规格参数
- 制造厂商: 英飞凌 (Infineon)
- 产品种类: 静态随机存取存储器
- 系列: CY62167EV30LL
- 储存接口: 并联
- 存储格式: SRAM
- 工作温度: -40℃ ~ 85℃
- 安装类别: 贴片 SMD/SMT
- 封装: 48-TFSOP
- 电源电压: 2.2V ~ 3.6V
- 单字、单页写入耗时: 45ns
- 访达时期: 45ns
- 位数: 8, 16
- 针脚数: 48
- 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16)
- RoHS标准: 符合
- 含铅标准: 无铅
CY62167EV30LL-45ZXA引脚定义
| 参数 | 说明 |
|---|---|
| 读取周期 | |
| tRC | 读取周期时间 |
| tAA | 地址到数据有效 |
| tOHA | 从地址变化到数据保持 |
| tACE | CE1 低电平和 CE2 高电平至数据有效 |
| tDOE | OE 低至数据有效 |
| tLZOE | OE 低至低 Z [20] |
| tHZOE | OE 高电平至高电平 Z [20, 21] |
| tLZCE | CE1 低电平和 CE2 高电平至低电平 Z [20］ |
| tHZCE | CE1 高电平和 CE2 低电平至高电平 Z [20，21］ |
| tPU | CE1 低电平和 CE2 高电平至开机状态 |
| tPD | CE1 高电平和 CE2 低电平时断电 |
| tDBE | BLE / BHE 低电平至数据有效 |
| tLZBE | BLE / BHE 低电平至低电平 Z [20］ |
| tHZBE | BLE / BHE 高电平至高电平 Z [20, 21] |
| 存储周期 | |
| tWC | 写入周期时间 |
| tSCE | CE1 低电平和 CE2 高电平至写入结束 |
| tAW | 地址设置到写入结束 |
| tHA | 地址保持至写入结束 |
| tSA | 地址设置到写入开始 |
| tPWE | WE 脉冲宽度 |
| tBW | BLE / BHE 低至写入结束 |
| tSD | 数据设置至写入结束 |
| tHD | 写入结束时的数据保持 |
| tHZWE | WE 低电平至高电平 Z [20, 21] |
| tLZWE | WE 高电平至低电平 Z [20] |
工作原理
CY62167EV30LL-45ZXA是一种异步SRAM，它的工作原理是利用静态存储单元来存储数据。每个存储单元由四个或六个晶体管组成，形成一个双稳态触发器，可以保持一个逻辑0或逻辑1的状态。当需要读取或写入数据时，通过地址线和控制线来选中相应的存储单元，并通过数据线来传输数据。异步SRAM的特点是不需要时钟信号来同步操作，而是根据控制线的变化来执行读写操作。因此，CY62167EV30LL-45ZXA的访问时间只取决于电路的延迟，而不受时钟频率的限制。
CY62167EV30LL-45ZXA的优缺点
优点：
具有快速的访问时间，只有45ns，可以实现高速数据传输。
采用了 MoBL 超可靠技术，可以在低电压和低功耗的条件下工作，还有 PowerSnooze 模式可以进一步降低功耗。
支持并行接口，可以选择2M x 8或1M x 16的组织方式，方便与不同的系统兼容。
缺点：
存储容量相对较小，只有16Mb，可能不足以存储大量的数据。
是一种易失性的存储器，如果断电，会丢失存储的数据。
主要应用领域
CY62167EV30LL-45ZXA 是一种高速低功耗的异步SRAM，可以应用于各种领域，例如：
- 智能装备：可以作为自动识别设备、人机交互系统、工业机器人和数控机床等的存储器，提高数据处理速度和效率。
- 智能工厂：可以作为智能设计、智能生产、智能管理及集成优化等的存储器，支持并行接口和高速数据传输。
- 智能服务：可以作为个性化定制、远程运维及预测性维护等的存储器，实现低电压和低功耗的操作。