近日，中国存储芯片领军企业长江存储（YMTC）已在美国法院正式起诉美光科技有限公司（以下简称“美光”）及其全资子公司美光消费产品集团有限责任公司，涉及专利侵权。此次起诉引起了业界广泛关注。


根据长江存储在11月9日提交的起诉书，他们指控美光侵犯了公司的8项美国专利，这些专利涉及3D NAND技术的设计、制造和运营。长江存储表示，此举是为了制止美光未经授权地使用长江存储的专利创新。长江存储在起诉书中指出，美光未经授权就使用了长江存储的创新技术。


11月13日，长江存储科技有限责任公司通过声明回应称：“虽然我们无法讨论未决诉讼的细节，但我可以确认，长江存储最近在美国加州北区地方法院提起诉讼，指控美光科技公司侵犯了我们公司与3D NAND技术的设计、制造和运营相关的专利。正如我们致力于追求进步和产品创新一样，我们坚定地致力于保护我们的知识产权。我们相信这件事会很快得到解决。”


长江存储

长江存储是中国最大的闪存芯片（3D NAND Flash）制造商，成立于2016年，总部位于湖北武汉。根据其官网，长江存储总投资额达2200亿元，专利申请数超过8000项，拥有逾6000位工程师。据高榕资本2021年的投资意向信息显示，长江存储投前估值达1600亿元。在2021年，长江存储在全球闪存芯片市场的份额已达4%，在国内仅次于三星、SK海力士和美光科技等竞争对手。


此次起诉中，长江存储指控美光侵犯了8项专利，分别为：

  1. US10,950,623：3D NAND存储器件及其形成方法
  2. US11,501,822：非易失性存储装置及控制方法
  3. US10,658,378：三维存储器件的直通阵列接触(TAC)
  4. US10,937,806：三维存储器件的直通阵列接触(TAC)
  5. US10,861,872：三维存储器件及其形成方法
  6. US11,468,957：NAND存储器操作的体系结构和方法
  7. US11,600,342：三维闪存的读取方法
  8. US10,868,031：多层堆叠三维存储器件及其制造方法

被控侵权的美光产品包括96层、128层、176层和232层的3D NAND产品，覆盖了存储技术的多个方面，包括存储器件的形成、控制、读取以及多层堆叠等关键领域。


目前，美光尚未对起诉作出回应。专利侵权纠纷常常需要经过漫长的法律程序，考虑到当前中美半导体之争愈演愈烈的大背景下，在美国控诉美光很难得到公平的审判，其象征意义大于实际意义。