亚德诺(ADI)_ADG419BRZ介绍_规格参数_工艺优势_引脚_工作原理_封装_使用限制
ADG419BRZ是一款由亚德诺(ADI)生产的单刀双掷(SPDT)开关,采用增强型LC2MOS工艺,具有超低功耗,是便携式和电池供电设备的理想选择
ADG419BRZ器件介绍
ADG419BRZ是一款由亚德诺(ADI)生产的单刀双掷(SPDT)开关,采用增强型LC2MOS工艺,具有超低功耗,是便携式和电池供电设备的理想选择。
ADG419BRZ具有低导通电阻,支持单电源操作。同时,该器件具有高开关速度和先开后合式开关动作,可以实现快速转换和精确控制。该器件的工作电压范围为0V至12V,其额定阻值为25欧姆,并采用SOIC封装,引脚数为8个,主要应用包括信号切换和信号路径选择。
规格参数
- 电源电压:0V至12V
- 供电电流100 pA
- 电路数:1
- 工作温度(Max):125 ℃
- 工作温度(Min):-40 ℃
- 安装方式:Surface Mount
- 引脚数:8
- 封装:SOIC-8
ADG419BRZ的LC2MOS工艺有什么优势?
- 低功耗:LC2MOS工艺优化了电路的功耗,使得ADG419BRZ在保持高性能的同时具有较低的功耗,非常适合便携式和电池供电的仪器。
- 高开关速度:LC2MOS工艺提高了ADG419BRZ的开关速度,使得ADG419BRZ能够实现高速信号切换,传输速度更快,提高了系统的响应性能。
- 低导通电阻:LC2MOS工艺降低了ADG419BRZ的导通电阻,减小了信号在传输过程中的损耗,提高了信号的质量和传输效率。
- 低噪声:LC2MOS工艺在低噪声性能方面具有优势,可以减少信号中的噪声和失真,从而提高信号质量。
- 集成度高:LC2MOS工艺可以实现高集成度,使得ADG419BRZ具有较小的体积和重量,方便集成到各种系统中。
- 低泄漏电流:LC2MOS工艺优化了ADG419BRZ的泄漏电流,减小了信号在开关过程中的泄漏,提高了信号的稳定性。
引脚介绍
以下是ADG419BRZ器件的8个引脚的详细介绍:
- D(Data):数据输入引脚,用于接收控制信号,以控制开关的导通和关断。
- S1(Switch 1):主开关引脚,当D引脚的信号为高电平时,S1引脚与VSS引脚导通;当D引脚的信号为低电平时,S1引脚与VL引脚导通。
- S2(Switch 2):次级开关引脚,当D引脚的信号为高电平时,S2引脚与VSS引脚导通;当D引脚的信号为低电平时,S2引脚与IN引脚导通。
- GND:地线引脚,与系统的地线连接,为器件提供参考电平。
- VDD:正电源引脚,与系统的正电源连接,为器件提供工作电压。
- VSS:负电源引脚,与系统的负电源连接,为器件提供工作电压。
- VL:低电平引脚,VL电压应低于VDD电压。
- IN:输入引脚,用于接收控制信号,以控制开关的导通和关断。
原理图及工作原理
ADG419BRZ器件的工作原理,主要是基于输入控制信号来切换输出信号的路径。
当输入信号连接到数据输入引脚D时,该信号控制主开关引脚S1和次级开关引脚S2的导通状态。如果D引脚的信号为高电平,则S1引脚与VSS引脚导通,S2引脚与VSS引脚也导通,此时输出信号通过S2引脚和VSS引脚传输。如果D引脚的信号为低电平,则S1引脚与VL引脚导通,S2引脚与IN引脚导通,此时输出信号通过S2引脚和IN引脚传输。
ADG419BRZ器件采用CMOS工艺制造,具有低功耗和高速度的特性。此外,该器件还具有低导通电阻、低泄漏电流、高线性度、低失真等特点,使其适用于各种需要高精度信号处理的场合。在关闭状态下,信号电平被阻断,无法通过开关传输。
封装图
ADG419BRZ器件的封装为SOIC-8。封装图如下所示:
ADG419BRZ在信号切换中有哪些限制?
- 电压范围限制:ADG419BRZ的电压范围有限制,需要根据器件规格书中的推荐电压范围进行使用。如果超出推荐电压范围,可能会导致器件损坏或性能下降。
- 电流限制:ADG419BRZ的开关电流有限制,需要根据规格书中的推荐电流范围进行使用。如果通过开关的电流过大,可能会导致器件发热、性能下降甚至损坏。
- 隔离要求:在某些应用中,需要将输入信号与输出信号隔离,以避免信号之间的干扰。ADG419BRZ虽然具有低导通电阻、低泄漏电流等特点,但仍需要采取适当的隔离措施来确保信号的稳定性和准确性。
- 信号质量要求:ADG419BRZ具有低失真、高线性度等特点,但仍然需要注意输入信号的质量和稳定性。如果输入信号存在噪声、干扰等问题,可能会导致输出信号的质量下降。
- 控制信号的稳定性:ADG419BRZ的开关状态由控制信号决定,如果控制信号不稳定或存在噪声,可能会导致开关状态的误判或切换不稳定。因此,需要保证控制信号的稳定性和噪声抑制能力。