L6561D013TR器件介绍

L6561D013TR是一款由意法半导体（ST）制造的电源管理芯片，这款芯片属于PowerTrench® MOSFET系列，设计用于最大限度地降低导通电阻并保持低栅极电荷以实现卓越的开关性能。

该芯片电流-启动为50µA，电压-电源为11V ~ 18V，工作温度为-25°C ~ 125°C，封装/外壳为8-SOP，适用于仪器应用领域。其主要特点包括小栅极电荷(QG)、小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管的优化功率开关，有助于AC/DC电源同步整流的快速开关。

规格参数

  • 电源电压：11V至18V
  • 工作温度(Max)125 ℃
  • 工作温度(Min)-25 ℃
  • 安装方式：Surface Mount
  • 引脚数：8
  • 封装：SOIC-8

L6561D013TR器件的优缺点

优点：

  1. 设计用于最大限度地降低导通电阻并保持低栅极电荷，从而实现卓越的开关性能。
  2. 采用先进的封装技术，具有良好的散热性能和可靠性，能够满足各种高功率应用的需求。
  3. 功率开关优化有助于AC/DC电源同步整流的快速开关。

缺点：

  1. 与其他电源管理芯片相比，它的价格可能较高，这可能会增加整个系统的成本。
  2. 在极端恶劣的工作环境下，其可靠性可能会受到影响。

引脚图及引脚介绍

L6561D013TR器件的8个引脚如下所示：

  • INV：反相输入引脚，用于接收反相输入信号。当INV引脚与GND之间的电压超过某个阈值时，MOSFET将导通；当电压低于该阈值时，MOSFET将关断。
  • COMP：比较器输出引脚，用于驱动外部MOSFET的栅极。当INV引脚的电压超过阈值时，COMP引脚将输出高电平，使外部MOSFET导通；当INV引脚的电压低于阈值时，COMP引脚将输出低电平，使外部MOSFET关断。
  • MULT：多功能输入引脚，可以用于设置MOSFET的导通时间。通过将MULT引脚连接到不同的电压源，可以调整MOSFET的开关速度和导通时间。
  • CS：电流感测输入引脚，用于检测流过MOSFET的电流。通过将CS引脚连接到一个外部电阻器，可以实现对MOSFET电流的感测和调节。
  • ZCD：零电流检测输入引脚，用于检测流过MOSFET的电流是否为零。在某些应用中，ZCD引脚可以用于检测电流过零点，从而实现更精确的控制。
  • GND：接地引脚，用于连接电路的参考电平。
  • GD：漏极引脚，用于连接外部MOSFET的漏极。当COMP引脚输出高电平时，GD引脚将为高电平，使外部MOSFET导通；当COMP引脚输出低电平时，GD引脚将为低电平，使外部MOSFET关断。
  • VCC：电源输入引脚，用于为内部电路供电。VCC引脚需要连接到一个稳定的电源电压，以确保器件的正常工作。

原理图及工作原理介绍

L6561D013TR器件的工作原理，是通过控制开关管的栅极电压来实现开关管的开通和关断。

当GD引脚上的电压为高电平时，开关管导通，电流可以通过开关管流过；当GD引脚上的电压为低电平时，开关管关断，电流停止流动。

通过COMP引脚的电压比较器，可以比较输入电压与内部参考电压，当输入电压高于参考电压时，COMP引脚输出高电平，控制开关管关断；当输入电压低于参考电压时，COMP引脚输出低电平，控制开关管开通。

MULT引脚用于调整输出电压的大小，通过在MULT引脚上施加一个适当的电压，可以改变输出电压的大小。而CS引脚用于电流检测，当电流流过CS引脚时，芯片内部检测到的电流值可用于控制开关管的开通和关断。

ZCD引脚用于检测输入电压的零交叉点，当输入电压达到零交叉点时，ZCD引脚输出低电平，控制开关管的开通和关断。

封装图

L6561D013TR器件的封装类型是SOIC-8。封装图如下所示：

L6561D013TR器件都有哪些应用场景？

  1. 可用于开关电源的初级或次级侧，实现对电源的高效转换和控制。在开关电源中，L6561D013TR器件可以用于驱动外部MOSFET，实现PWM（脉冲宽度调制）控制，从而调整输出电压和电流。
  2. 可用于电机驱动电路，实现对电机的启动、停止、调速等控制。在电机控制应用中，L6561D013TR器件可以用于驱动MOSFET，实现对电机电流和速度的精确控制。
  3. 可用于电池充电器，实现对电池的恒流、恒压充电。
  4. 可用于电能转换系统，如逆变器、斩波器等，实现对电能的高效转换和控制。
  5. 还可用于电源管理系统，实现对电源的监控、保护和控制。