A4950ELJTR-T器件介绍

A4950ELJTR-T是一款由Allegro设计生产的电机驱动器。它的功能包括全集成、控制和功率级。该器件采用DMOS技术，接口为模拟，输出配置为半桥（2），电源电压为8V~40V。它的工作温度范围为-40°C~150°C，封装/外壳为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）裸露焊盘。输出电流为3.5A，负载电压为8V~40V。主要用于电机驱动和控制，可以应用于激励器、电机马达、传感器、电源开关和截止阀等自动化控制模块。

A4950ELJTR-T器件特点

  1. 低RDS（ON）输出：这意味着它在导通状态下的电阻较小，有助于减少能量损失和增加效率。
  2. 过载保护（OCP）：该保护可以防止电机在过载情况下运行，从而保护电机免受损坏。
  3. 低功耗待机模式：在这种模式下，器件的功耗较低，有助于节省能源。
  4. 可调脉宽调制（PWM）电流限制：通过调整PWM信号的占空比，可以控制电机的电流，从而实现精确的速度和力矩控制。
  5. 同步整流：该功能有助于进一步降低功耗。
  6. 内部欠压锁定（UVLO）：当电源电压低于一定阈值时，器件将停止工作，以防止电路受损。
  7. Crossover-current保护：这是一种保护功能，可以防止电机驱动器在启动或停止过程中出现电流峰值。
  8. A4950K AEC-Q100 1级合格：这表明该器件符合汽车电子委员会（AEC）制定的质量标准，适合用于汽车应用。
  9. 商业温度等级（-40°C到85°C）和汽车温度等级（-40°C到125°C）：这表明该器件可以在较宽的温度范围内工作，适用于各种不同的应用场景。

引脚图及引脚介绍

A4950ELJTR-T器件的8个引脚介绍如下：

  • GND：接地引脚，用于将整个电路接地，为参考电位。所有需要接地的信号或部分都应该连接到这个引脚上。
  • IN1和IN2：输入引脚，用于接收PWM信号，以控制电机。IN1和IN2之间的信号差控制电机旋转方向和速度。当IN1的电平高于IN2时，电机向一个方向旋转；当IN1的电平低于IN2时，电机向另一个方向旋转。通过调整PWM信号的占空比，可以控制电机的速度。
  • OUT1和OUT2：输出引脚，是DMOS管Q1和Q4的漏极，用于驱动电机。当PWM信号为高电平时，Q1和Q4导通，电机得到电源并开始旋转；当PWM信号为低电平时，Q1和Q4截止，电机停止旋转。通过调整PWM信号的占空比，可以控制电机的速度和方向。
  • VREF：参考电压引脚，用于提供一个参考电压，通常用于误差放大器等需要参考电压的电路部分。
  • VBB：电源电压引脚，提供电源电压，通常为+15V。
  • LSS：低侧同步整流控制引脚，用于控制低侧同步整流管的开关状态。当LSS引脚的电平低于VBB时，低侧同步整流管导通；当LSS引脚的电平高于VBB时，低侧同步整流管截止。通过调整LSS引脚的电平，可以控制低侧同步整流管的开关状态，从而实现低功耗运行。

原理图及工作原理

A4950ELJTR-T是一款全桥DMOS PWM电机驱动器，采用8引脚SOIC封装，设计用于DC电机的脉宽调制（PWM）控制。

当PWM信号输入到IN1和IN2引脚时，控制电路会根据PWM信号的占空比来决定Q1和Q4的导通时间，从而控制电机的旋转速度。同时，通过调整IN1和IN2之间的信号差，可以控制电机的旋转方向。

当PWM信号为高电平时，Q1和Q4导通，电机得到电源并开始旋转；当PWM信号为低电平时，Q1和Q4截止，电机停止旋转。通过改变PWM信号的占空比，可以连续调节电机的速度。

封装图

A4950ELJTR-T器件的封装为SOIC-8。封装图如下所示：

关于DMOS技术，以及A4950ELJTR-T采用该技术的原因

DMOS（Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor）是一种金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的制造技术。它通过在硅衬底中扩散两种不同的杂质来形成PN结，从而实现高电压和高电流的处理能力。DMOS技术的主要优点包括高电压承受能力、高电流密度和低导通电阻。

A4950ELJTR-T采用DMOS技术的原因如下：

  1. 高电压承受能力：DMOS技术可以提供较高的电压承受能力，适用于高压应用。A4950ELJTR-T的工作电压范围为8V~40V，这得益于DMOS技术的高电压承受能力。
  2. 高电流密度：DMOS技术可以实现较高的电流密度，使得A4950ELJTR-T能够处理较高的负载电流。该器件的输出电流为3.5A，这得益于DMOS技术的高电流密度特性。
  3. 低导通电阻：DMOS技术可以实现较低的导通电阻，从而降低功耗和提高效率。A4950ELJTR-T的导通电阻较低，这得益于DMOS技术的低电阻特性。
  4. 集成度高：DMOS技术可以实现较高的集成度，使得A4950ELJTR-T能够将控制和功率级集成在同一芯片上，减小了器件的体积和成本。