IR2103STRPBF器件介绍

IR2103STRPBF是一款英飞凌(Infineon)生产的高性能、高速度的功率MOSFET和IGBT驱动器，采用先进的高压集成电路（HVIC）和闩锁免疫CMOS技术，实现坚固的单片结构。主要用于驱动MOSFET或IGBT的半桥拓扑电路，在各种工业和消费电子应用中发挥着重要作用。

IR2103STRPBF器件特点

  1. 高电压、高速度：IR2103STRPBF可驱动高电压、高速度的功率MOSFET和IGBT，适用于高压、高功率的电力电子设备。
  2. 独立的高、低侧参考输出通道：该器件具有独立的高、低侧参考输出通道，可实现高效、稳定的驱动性能。
  3. 逻辑输入兼容：IR2103STRPBF的逻辑输入兼容标准CMOS或L...，易于与各种逻辑电路接口。
  4. 高压集成电路（HVIC）和闩锁免疫CMOS技术：采用先进的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，实现坚固的单片结构，提高驱动器的稳定性和可靠性。
  5. 宽工作温度范围：IR2103STRPBF可在-40℃至125℃的温度范围内正常工作，适用于各种恶劣环境。
  6. 封装形式：IR2103STRPBF采用SOIC-8封装，尺寸紧凑，易于安装。
  7. 高度集成：IR2103STRPBF集成了高电压、高速度的功率MOSFET和IGBT驱动器，以及逻辑输入电路，降低了系统复杂性，提高了可靠性。

引脚图及引脚介绍

IR2103STRPBF器件的8个引脚分别如下：

  • VCC：电源供电引脚，用于为IR2103STRPBF提供工作电压。通常，VCC应连接到适当的电源，以确保器件的正常运行。
  • HIN：高侧输入引脚。它接收来自控制器的逻辑信号，用于控制高侧MOSFET或IGBT的开关状态。
  • LIN：低侧输入引脚。同样接收来自控制器的逻辑信号，用于控制低侧MOSFET或IGBT的开关状态。
  • COM：公共接地引脚。它是IR2103STRPBF内部的参考地，通常与外部电路的接地相连。
  • LO：低侧输出引脚。它连接到低侧MOSFET或IGBT的栅极，用于控制其开关状态。
  • VS：低侧电源引脚。这是低侧电路的供电引脚，用于为低侧MOSFET或IGBT提供工作电压。
  • HOM：高侧输出引脚。它连接到高侧MOSFET或IGBT的栅极，用于控制其开关状态。
  • VB：自举电源引脚。这是一个特殊的引脚，用于为高侧驱动器提供工作电压。在应用中，通常会通过自举电容来连接此引脚，以实现高侧驱动器的悬浮供电。

原理图及工作原理介绍

IR2103STRPBF采用先进的高压集成电路（HVIC）和闩锁免疫CMOS技术，实现坚固的单片结构。其工作原理主要包括以下几个方面：

  • 输入信号处理：IR2103STRPBF的输入端接收高、低侧驱动信号，这些信号经过内部电路处理后，转换为适合驱动功率MOSFET或IGBT的驱动信号。
  • 高、低侧驱动信号生成：根据输入信号处理的结果，IR2103STRPBF在内部生成高、低侧驱动信号。这些信号通过高侧输出端VS和低侧输出端LO输出，驱动功率MOSFET或IGBT的栅极。
  • 高、低侧输出使能控制：IR2103STRPBF通过高侧输出使能端HOM控制高侧驱动信号的输出，实现高侧功率MOSFET或IGBT的开关控制。低侧驱动信号的输出则通过内部电路自动控制。
  • 电源供电：IR2103STRPBF需要两个电源供电，一个是正极电源VCC，另一个是负极电源VB。这两个电源为驱动器提供工作电源，确保其正常工作。
  • 保护功能：IR2103STRPBF还具有过热保护、欠压保护等功能，能够在出现异常情况时，保护功率MOSFET或IGBT以及驱动器本身不受损坏。

封装图

IR2103STRPBF器件的封装为SOIC-8。封装图如下所示：

什么是高压集成电路（HVIC）和闩锁免疫CMOS技术？

高压集成电路（HVIC）是一种能够在高压环境下工作的集成电路技术。HVIC技术可以实现高电压、高速度的功率MOSFET和IGBT驱动器，以及其它高压应用。它通常采用双极-互补金属氧化物半导体（BCD）工艺，该工艺结合了双极型晶体管、互补金属氧化物半导体（CMOS）和功率DMOS晶体管的优点，以实现高压、高功率和低功耗的集成电路。

闩锁免疫CMOS技术是一种增强型CMOS工艺，具有对闩锁效应的免疫力。闩锁效应是CMOS工艺中一种严重的失效机理，它会在Vdd和Vss之间产生大电流，从而导致电路失效，甚至损坏芯片。闩锁免疫CMOS技术通过在电路设计和工艺结构上的改进，提高了CMOS电路对闩锁效应的抵抗能力，使得采用该技术的集成电路能够在高压环境下稳定工作。