无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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暂无 | ¥8.06075 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8.06075 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥4.13021 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.13021 | 立即购买 加入购物车 | ||
驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET 电源电压:6V~20V | ¥0.69170 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.69170 | 立即购买 加入购物车 |