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品牌介绍

安世 是分立、逻辑和 MOSFET 器件领域的全球领导者。这家新公司在 2017 年初成为一家独立的公司。 安世 专注于效率,并始终如一生产令客户信赖的高容量半导体元件:每年 850 亿。该公司广泛的产品组合符合汽车行业设定的严格标准。本公司的制造工厂生产的行业领先的小型封装融合了功率和热效率与一流的质量水平。 安世 已从事本专业领域半个多世纪,在亚洲、欧洲和美国拥有 11,000 名员工为全球客户提供支持。

英文全称: Nexperia

中文全称: 安世

英文简称: Nexperia

品牌地址: http://www.nexperia.cn

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描述
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操作
BCM847DS,115
BCM847DS,115
晶体管类别: 2 NPN(双)配对 集电极击穿电压: 45伏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 380mW 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.49566

17

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.49566

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PBSS4160DSH
PBSS4160DSH
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 870毫安 最大功率: 290毫瓦 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.44568

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.44568

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BCM857BS,115
BCM857BS,115
晶体管类别: 2 PNP(双)匹配对 集电极击穿电压: 45伏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.82062

94

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.82062

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BCM857BS,135
BCM857BS,135
晶体管类别: 2 PNP(双)匹配对 集电极击穿电压: 45伏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.67576

784

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.67576

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BC817DPN,125
BC817DPN,125
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 45伏 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 600mW 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.95679

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,870.36100

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BCV63,215
BCV63,215
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 30V, 6V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SOT-143B 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.44425

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.44425

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PUMD3,135
PUMD3,135
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.55744

4880

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,574.35000

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PUMD3,125
PUMD3,125
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.37263

860

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,353.62500

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PUMD3,115
PUMD3,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.16586

1789

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.16586

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PUMD3,165
PUMD3,165
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.49817

3945

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.49817

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PUMD15,115
PUMD15,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.43820

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.43820

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PUMD12,115
PUMD12,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 230MHz、180MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.17673

2750

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17673

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PUMD10,115
PUMD10,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.32303

710

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.32303

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PUMD2,125
PUMD2,125
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.19483

2

2-3 工作日

- +

合计: ¥584.50200

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PUMD2,115
PUMD2,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.32955

1399

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.32955

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PUMD2,165
PUMD2,165
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.13414

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,341.39000

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PUMH9,115
PUMH9,115
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.22236

15

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.22236

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PUMH2,115
PUMH2,115
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.42733

30

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.42733

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PUMH10,115
PUMH10,115
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.29189

770

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.29189

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PIMD2,115
PIMD2,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 600mW 供应商设备包装: 6-TSOP

¥0.20956

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥628.67700

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