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品牌介绍

安世 是分立、逻辑和 MOSFET 器件领域的全球领导者。这家新公司在 2017 年初成为一家独立的公司。 安世 专注于效率,并始终如一生产令客户信赖的高容量半导体元件:每年 850 亿。该公司广泛的产品组合符合汽车行业设定的严格标准。本公司的制造工厂生产的行业领先的小型封装融合了功率和热效率与一流的质量水平。 安世 已从事本专业领域半个多世纪,在亚洲、欧洲和美国拥有 11,000 名员工为全球客户提供支持。

英文全称: Nexperia

中文全称: 安世

英文简称: Nexperia

品牌地址: http://www.nexperia.cn

久芯自营
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描述
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PEMH9,115
PEMH9,115
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥0.89016

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.89016

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PEMD2,115
PEMD2,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥0.42977

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.42977

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NHUMH13F
NHUMH13F
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥7.64037

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥7.64037

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NHUMH2X
NHUMH2X
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.36987

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.36987

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NHUMD3F
NHUMD3F
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz、150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥7.25152

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥7.25152

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PQMD13Z
PQMD13Z
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 350mW 特征频率: 230MHz、180MHz 供应商设备包装: DFN1010B-6

¥0.71298

4340

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.71298

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NHUMH13X
NHUMH13X
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥7.25152

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥7.25152

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PBLS1502Y,115
PBLS1502Y,115
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、500毫安 集电极击穿电压: 50V, 15V 最大功率: 300mW 特征频率: 280兆赫 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.34562

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,036.85100

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BC847BPN,135
BC847BPN,135
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 45伏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.37022

10150

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.37022

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BC847BPN,115
BC847BPN,115
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 45伏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.33100

34

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.33100

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PUMD6,135
PUMD6,135
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.26001

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,600.13000

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PUMD6,125
PUMD6,125
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35178

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,055.34000

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PUMB11,115
PUMB11,115
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.29913

500

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.29913

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PUMD6,115
PUMD6,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.44296

160

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.44296

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PUMB9,115
PUMB9,115
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.31961

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.31961

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PUMD9,115
PUMD9,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.24481

30

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.24481

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PUMD9,165
PUMD9,165
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.26222

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,622.15000

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BC846S,115
BC846S,115
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 65V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.14993

4

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.14993

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PBLS4001Y,115
PBLS4001Y,115
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、500毫安 集电极击穿电压: 50V, 40V 最大功率: 300mW 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.34562

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.34562

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PUMH16,115
PUMH16,115
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35826

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.35826

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