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品牌介绍

时科,源自台湾,全球知名的半导体分立元器件厂商之一,主要提供工程师与设计人员各种半导体产品与软件,为汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、航空及电源应用等产品带来更优质的感知体验。 自创办以来,在“让产品拥有良芯”的核心理念指导下,以安全、低能耗、高性能为宗旨,时科半导体的研发战略从来没有动摇过,近四分之一的员工在研发与产品设计领域工作,每年研发费用占总收入的22%左右,加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗,时科迅速发展,产品远销到北美、欧洲和亚太地区,被认为是半导体行业最具创新力的公司之一。 时科将会在安全、能耗和性能方面不断优化,更加灵活地满足设计工程师和不断变化的市场需要,从概念设计到生产制造,我们将提供全程支持。展望未来,我们将立足创新,不断为客户、员工和全社会创造价值,通过降低能耗、改善安全,提升性能,重点关注如何利用技术研发改善公众生活品质,我们将全力以赴,践行承诺。

英文全称: SHIKUES

中文全称: 时科

英文简称: SHIKUES

品牌地址: http://www.shikues.com/

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ES3GF
ES3GF
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.25V@3A 反向恢复时间(trr):35ns

¥0.27012

5200

2-3 工作日

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ES3JF
ES3JF
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.7V@3A 反向恢复时间(trr):35ns

¥0.27541

930

2-3 工作日

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合计: ¥0.27541

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ES3AF
ES3AF
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):50V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1V@3A 反向恢复时间(trr):35ns

¥0.28992

5450

2-3 工作日

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合计: ¥0.28992

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ES3GBG
ES3GBG
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.25V@3A 反向恢复时间(trr):35ns

¥0.26997

4920

2-3 工作日

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合计: ¥0.26997

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ES1GW
ES1GW
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.25V@1A 反向恢复时间(trr):35ns

¥0.07243

400

2-3 工作日

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US2JF
US2JF
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.65V@2A 反向恢复时间(trr):75ns

¥0.15997

540

2-3 工作日

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RS2MBG
RS2MBG
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.3V@2A 反向恢复时间(trr):500ns

¥0.16856

3260

2-3 工作日

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RS3MBG
RS3MBG
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.3V@3A 反向恢复时间(trr):500ns

¥0.23957

3320

2-3 工作日

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RS2JF
RS2JF
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.3V@2A 反向恢复时间(trr):250ns

¥0.12466

3320

2-3 工作日

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US3MF
US3MF
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.7V@3A 反向恢复时间(trr):63ns

¥0.23747

0

2-3 工作日

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RS1GF
RS1GF
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V@1A 反向恢复时间(trr):150ns

¥0.09230

3100

2-3 工作日

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ES2JW
ES2JW
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.68V@2A 反向恢复时间(trr):35ns

¥0.12096

10

2-3 工作日

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合计: ¥0.12096

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ES3DF
ES3DF
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1V@3A 反向恢复时间(trr):35ns

¥0.26751

1430

2-3 工作日

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ES3DBF
ES3DBF
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1V 反向恢复时间(trr):35ns

¥0.20531

3140

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ES1AG
ES1AG
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):50V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1V@1A 反向恢复时间(trr):35ns

¥0.09009

3050

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ES2JG
ES2JG
暂无

¥0.12977

5000

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ES2ABF
ES2ABF
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):50V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1V@2A 反向恢复时间(trr):35ns

¥0.24207

4630

2-3 工作日

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合计: ¥0.24207

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ES2DG
ES2DG
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):950mV@2A 反向恢复时间(trr):35ns

¥0.12458

4700

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ES1JG
ES1JG
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向恢复时间(trr):35ns

¥0.10370

4550

2-3 工作日

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US2ABF
US2ABF
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):50V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1V@2A 反向恢复时间(trr):50ns

¥0.22652

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