深圳市萨科微半导体有限公司,产品专注于功率器件,扎根中国服务全球。经过多年的积累和发展,从最初的纯IP设计公司,逐渐发展成集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高科技企业。萨科微公司“立志成为中国功率器件的领导者”,专属“SLKOR”品牌在半导体行业声誉日隆。 萨科微半导体产品线日益丰富,目前可用于工业军工产品有:碳化硅SiC二极管、碳化硅SiC MOS管、IGBT等,广泛应用在新能源汽车、通讯设备、电力设备、太阳能光伏、UPS电源、医疗设备等领域;民用级消费类产品有:可控硅、桥堆、高中低压MOS管、霍尔HALL传感器、高速光耦、肖特基二极管、静电保护ESD二极管、瞬态抑制TVS二极管、通用二极管、三极管、电源管理IC等,广泛应用在智能手机、手提电脑、智能机器人、智慧家电、LED照明、3C数码产品等领域。萨科微将推出更多的产品,为客户提供更全面更优质的服务。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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暂无 | ¥3.41557 | 5749 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.41557 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥2.28055 | 937 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.28055 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥8.22890 | 12 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8.22890 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥2.06640 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.06640 | 立即购买 加入购物车 | ||
可控硅类型:四端双向可控硅 通态RMS电流(It(rms)):1A 浪涌电流(Itsm@f):12A@20ms 门极平均耗散功率(PG(AV)):500mW 门极触发电流(Igt):35mA | ¥0.61752 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.61752 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.27161 | 3 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.27161 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥1.87591 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.87591 | 立即购买 加入购物车 | ||
开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic):3V@2V,300mA 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic):1.2V@500uA,350mA | ¥0.63013 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.63013 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.75189 | 2269 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.75189 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥1.02849 | 5 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.02849 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW | ¥0.04636 | 2620 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.04636 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):150mA 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,6V hFE(H:200-400) | ¥0.05722 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.05722 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):150mA 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,6V BA 200-400 | ¥0.05287 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.05287 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V | ¥0.04201 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.04201 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V | ¥0.04201 | 2981 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.04201 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.13762 | 1858 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.13761 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):12@3A,2V | ¥0.40610 | 3390 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.40610 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.28175 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.28175 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):1.5W | ¥0.29189 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.29189 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):150mA 功率(Pd):150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@2mA,6V | ¥0.09866 | 11950 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.09866 | 立即购买 加入购物车 |