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品牌介绍

1976年,德昌企业公司于香港正式注册成立,主力从事电子产品国际贸易。为配合业务不断发展,于1985年更名为德昌电子有限公司。经不断努力,公司逐步将业务扩展至半导体制造领域。为融合制造业务的扩展及集团化的发展方针,于1997年更名为德昌电子(集团)有限公司,成为一家集生产和贸易为一体的综合性国际企业,全资附属机构包括汕尾德昌电子有限公司和德昌半导体有限公司。

英文全称: TC

中文全称: 德昌

英文简称: TC

品牌地址: http://www.takcheong.com

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品牌型号
描述
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ESD5Z5V0
ESD5Z5V0
种类: Zener 典型反向偏差电压: 5V 最大钳位电压: 11.6伏 供应商设备包装: SOD-523 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) 安装类别: 表面安装

¥0.07243

1250

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.17287

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BAW56T
BAW56T
二极管种类: 标准 二极管架构(配置): 1对公共阳极 最大直流反向电压 (Vr): 85 V 单二极管整流平均值 (Io): 75毫安 供应商设备包装: SOT-523 工作结温: 125摄氏度(最高)

¥0.11567

2950

2-3 工作日

- +

合计: ¥137.64611

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CDSQR4148
CDSQR4148
二极管种类: 标准 最大直流反向电压 (Vr): 75 V 整流平均值 (Io): 150毫安 反向恢复时长 (trr): 4纳秒 供应商设备包装: 0402/SOD-923F 工作结温: 125摄氏度(最高)

¥0.14044

2050

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.14044

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1N4728A
1N4728A
标称齐纳电压 (Vz): 3.3伏 最大功率: 1 W 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-41 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度

¥0.23974

1000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.23974

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1N4742A
1N4742A
标称齐纳电压 (Vz): 12伏 最大功率: 1 W 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-41 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥0.27088

1323

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,354.42000

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MM5Z4V7B
MM5Z4V7B
标称齐纳电压 (Vz): 4.7伏 最大功率: 200毫瓦 公差: ±2% 供应商设备包装: SOD-523 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.17102

50620

2-3 工作日

- +

合计: ¥8.55095

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1N4746ATA
1N4746ATA
标称齐纳电压 (Vz): 18伏 最大功率: 1 W 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-41 工作温度: 200摄氏度

¥0.43287

10110

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,559.61260

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1N4752ATA
1N4752ATA
标称齐纳电压 (Vz): 33伏 最大功率: 1 W 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-41 工作温度: 200摄氏度

¥0.39814

5640

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.39814

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1N4732ATA
1N4732ATA
标称齐纳电压 (Vz): 4.7伏 最大功率: 1 W 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-41 工作温度: 200摄氏度

¥0.35626

39820

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.35626

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1N4753ATA
1N4753ATA
标称齐纳电压 (Vz): 36伏 最大功率: 1 W 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-41 工作温度: 200摄氏度

¥0.39868

7230

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.39868

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1N4735ATA
1N4735ATA
标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 1 W 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-41 工作温度: 200摄氏度

¥0.38333

6620

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.38333

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1N4744ATA
1N4744ATA
标称齐纳电压 (Vz): 15伏 最大功率: 1 W 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-41 工作温度: 200摄氏度

¥0.22381

1000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.22381

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1N4756ATA
1N4756ATA
标称齐纳电压 (Vz): 47伏 最大功率: 1 W 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-41 工作温度: 200摄氏度

¥0.38261

8000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.38261

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2N7002T
2N7002T
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 115毫安(Ta) 最大功耗: 200mW(Ta) 供应商设备包装: SC-89-3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.73153

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.73153

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2SK3019
2SK3019
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100mA 功率(Pd):150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@4V,10mA

¥0.14490

3980

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.14490

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2SC4617R
2SC4617R
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,6V

¥0.12555

7250

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12555

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DTA114EE
DTA114EE
晶体管类型:1个PNP-预偏置 功率(Pd):150mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.16942

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.16942

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ESD5Z5.0VC
ESD5Z5.0VC
极性:双向 反向截止电压(Vrwm):5V@Max 击穿电压:5.6V 最大钳位电压:12V

¥0.15090

6100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.15090

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MM3Z12VCW
MM3Z12VCW
二极管配置:独立式 稳压值(标称值):12V 稳压值(范围):11.4V~12.6V 精度:±5% 功率:200mW

¥0.13552

5500

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.13552

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TCZM4742ATR
TCZM4742ATR
二极管配置:独立式 稳压值(标称值):12V 精度:±5% 功率:1W

¥0.21439

975

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.21439

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