品牌介绍
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日，注册资本4.72亿元人民币。2014年1月，公司在深交所创业板挂牌上市，股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类型：1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：56@5mA,5V | ¥0.25603 | 4040 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.25603 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 暂无 | ¥0.22670 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.22670 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 暂无 | ¥0.21656 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.21656 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：1个PNP-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.17285 | 320 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.17285 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 暂无 | ¥0.15603 | 660 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15603 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 暂无 | ¥0.15427 | 1300 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15427 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 暂无 | ¥0.13318 | 2880 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.13318 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：30@10mA,5V | ¥0.18380 | 2900 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.18380 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 暂无 | ¥0.16386 | 80 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.16386 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：1个PNP-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：30mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.15461 | 1220 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15461 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：1个PNP-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：100nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：30@20mA,10V | ¥0.19592 | 2380 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.19592 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：1个PNP-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：100nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：33@5mA,5V | ¥0.20280 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.20280 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：33@10mA,5V | ¥0.16858 | 1740 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.16858 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：1个PNP-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：100nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：30@10mA,5V | ¥0.19436 | 660 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.19436 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：1个PNP-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：100nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：30@10mA,5V | ¥0.13885 | 40 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.13885 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 暂无 | ¥0.16731 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.16731 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：2个NPN-预偏置 功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：56@5mA,5V | ¥0.18218 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.18218 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：1个PNP-预偏置 功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：100nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：30@10mA,5V | ¥0.16738 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.16738 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 暂无 | ¥0.31286 | 5360 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.31286 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A | ¥0.17021 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.17021 | 立即购买 加入购物车 |