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品牌介绍

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(SoC)技术的前沿,其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。

英文全称: STMicroelectronics

中文全称: 意法半导体

英文简称: STMicroelectronics

品牌地址: http://www.st.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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M58LW032D110ZA6
M58LW032D110ZA6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-TBGA (10x13)

¥86.19051

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5-7 工作日

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合计: ¥86.19051

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M48Z512AY-70PM1
M48Z512AY-70PM1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PMDIP Module

¥122.40501

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合计: ¥122.40501

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M58LW064D110N6
M58LW064D110N6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥35.64955

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合计: ¥35.64955

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M58LW064D110ZA6
M58LW064D110ZA6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-TBGA (10x13)

¥30.52158

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合计: ¥30.52158

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M68AW128ML70ZB6
M68AW128ML70ZB6
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (7x12)

¥45.41298

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M68AW256ML70ZB6
M68AW256ML70ZB6
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (7x12)

¥35.57713

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合计: ¥35.57713

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M68AW512ML70ND6
M68AW512ML70ND6
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥58.63852

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合计: ¥58.63852

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M29F010B70K6T
M29F010B70K6T
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC (11.35x13.89)

¥43.67469

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合计: ¥43.67469

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M29F040B45K1T
M29F040B45K1T
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC (11.35x13.89)

¥36.79393

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合计: ¥36.79393

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M29W800DB90N6T
M29W800DB90N6T
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥523.63270

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合计: ¥523.63270

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M68AW031AM70N6T
M68AW031AM70N6T
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 28-TSOP

¥15.51429

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合计: ¥15.51429

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M24256-BWMN6T
M24256-BWMN6T
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥21.81562

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合计: ¥21.81562

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M24C01-WMN6T
M24C01-WMN6T
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Kb (128 x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥43.79057

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合计: ¥43.79057

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M24C02-MN6T
M24C02-MN6T
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (256 x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥76.57194

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M24C02-RDW6T
M24C02-RDW6T
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (256 x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥47.51342

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合计: ¥47.51342

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M24C02-WDW6T
M24C02-WDW6T
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (256 x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥71.35705

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M24C04-MN6T
M24C04-MN6T
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥51.07693

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合计: ¥51.07693

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M24C04-WDW6T
M24C04-WDW6T
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥15.68812

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合计: ¥15.68812

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M24C04-WMN6T
M24C04-WMN6T
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥92.79604

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合计: ¥92.79604

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M24C16-WMN6T
M24C16-WMN6T
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥28.82674

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