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品牌介绍

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(SoC)技术的前沿,其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。

英文全称: STMicroelectronics

中文全称: 意法半导体

英文简称: STMicroelectronics

品牌地址: http://www.st.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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M27C4001-45XF1
M27C4001-45XF1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.75伏~5.25伏 供应商设备包装: 32-CDIP Frit Seal with Window

¥512.17443

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合计: ¥512.17443

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M27W512-100K6TR
M27W512-100K6TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-PLCC (11.35x13.89)

¥510.76931

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合计: ¥510.76931

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NAND512W3A0AN6E
NAND512W3A0AN6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥91.01428

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合计: ¥91.01428

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M95010-RMN6P
M95010-RMN6P
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Kb (128 x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥27.01602

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合计: ¥27.01602

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NAND512W3A0AV6E
NAND512W3A0AV6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-WSOP (12x17)

¥76.54297

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合计: ¥76.54297

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M95040-RMN6P
M95040-RMN6P
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥22.16327

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合计: ¥22.16327

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M95080-RMN6P
M95080-RMN6P
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥34.14303

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合计: ¥34.14303

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M95M01-RMW6G
M95M01-RMW6G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 16兆赫 供应商设备包装: 8-SO

¥130.38669

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合计: ¥130.38669

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M27C4002-10C1
M27C4002-10C1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-PLCC (16.51x16.51)

¥63.98378

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合计: ¥63.98378

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M34D64-WMN6P
M34D64-WMN6P
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥28.18937

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合计: ¥28.18937

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M36DR432AD10ZA6T
M36DR432AD10ZA6T
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 66-LFBGA (12x8)

¥50.12087

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合计: ¥50.12087

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M36W432T85ZA6T
M36W432T85ZA6T
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.3伏 供应商设备包装: 66-LFBGA (12x8)

¥98.67727

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合计: ¥98.67727

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M29W128FT70N6E
M29W128FT70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥68.17018

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合计: ¥68.17018

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NAND01GW3B2AZA6E
NAND01GW3B2AZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥80.83076

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NAND512W3A2BN6E
NAND512W3A2BN6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥482.20331

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合计: ¥482.20331

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NAND512W3A2BZA6E
NAND512W3A2BZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (8.5x15)

¥41.77705

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合计: ¥41.77705

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M27C2001-12C1
M27C2001-12C1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC (13.96x11.46)

¥51.56945

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合计: ¥51.56945

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M27C801-55K1
M27C801-55K1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC (11.35x13.89)

¥65.85245

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合计: ¥65.85245

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M95320-WDW6TG
M95320-WDW6TG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥38.90886

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合计: ¥38.90886

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M95640-MN6P
M95640-MN6P
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥124.63582

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