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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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S25FL128SAGNFA000
S25FL128SAGNFA000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)

¥34.33135

676

5-7 工作日

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合计: ¥34.33135

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S26KS256SDGBHV030
S26KS256SDGBHV030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥126.96804

230

5-7 工作日

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合计: ¥126.96804

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S29GL064S70BHI030
S29GL064S70BHI030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥34.69349

0

5-7 工作日

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合计: ¥34.69349

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S25FS256SAGMFB000
S25FS256SAGMFB000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥49.25172

0

5-7 工作日

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合计: ¥49.25172

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CY7C1412KV18-300BZXC
CY7C1412KV18-300BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥128.19933

59

5-7 工作日

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合计: ¥128.19933

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CY62167EV30LL-45ZXI
CY62167EV30LL-45ZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥258.65853

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2-3 工作日

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合计: ¥258.65853

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CY7C1414KV18-300BZXC
CY7C1414KV18-300BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥128.19933

133

5-7 工作日

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合计: ¥128.19933

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S29GL128S10DHB020
S29GL128S10DHB020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥50.48301

0

5-7 工作日

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合计: ¥50.48301

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S71KS512SC0BHV000
S71KS512SC0BHV000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 512Mb Flash, 64Mb RAM 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥138.69318

582

2-3 工作日

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合计: ¥138.69318

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S29GL128P11FFIV10
S29GL128P11FFIV10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥139.32375

0

2-3 工作日

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合计: ¥139.32375

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S29GL128P90FAIR10
S29GL128P90FAIR10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥51.27973

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5-7 工作日

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合计: ¥51.27973

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S29JL032J70BHI320
S29JL032J70BHI320
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥36.14207

0

5-7 工作日

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CY62157G30-45ZSXI
CY62157G30-45ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥147.46544

120

5-7 工作日

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合计: ¥147.46544

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CY14V101LA-BA45XIT
CY14V101LA-BA45XIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥157.02607

1978

5-7 工作日

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合计: ¥157.02607

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CY14B101NA-ZS25XI
CY14B101NA-ZS25XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥114.15897

2256

2-3 工作日

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合计: ¥114.15897

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S70GL02GS12FHIV10
S70GL02GS12FHIV10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥192.66114

1

5-7 工作日

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合计: ¥192.66114

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CY7C1265KV18-450BZXC
CY7C1265KV18-450BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥184.91124

172

5-7 工作日

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合计: ¥184.91124

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CY14B116S-BZ25XI
CY14B116S-BZ25XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 16Mb (512K x 32) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥190.05370

261

5-7 工作日

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合计: ¥190.05370

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CY15B104Q-SXI
CY15B104Q-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2V~3.6V 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥153.28030

1745

2-3 工作日

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合计: ¥153.28030

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CY15B104Q-LHXI
CY15B104Q-LHXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2V~3.6V 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥201.64234

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