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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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CY7C1366B-166BGC
CY7C1366B-166BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥111.61309

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5-7 工作日

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合计: ¥781.29162

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CY27C256-45JC
CY27C256-45JC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC(13.97x11.43)

¥23.03242

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5-7 工作日

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合计: ¥1,266.78321

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S26KS512SDABHI030
S26KS512SDABHI030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥86.69751

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合计: ¥146,518.79697

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S70FL01GSAGMFI011
S70FL01GSAGMFI011
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥112.55467

4287

5-7 工作日

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合计: ¥112.55467

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S70FL01GSDPMFI010
S70FL01GSDPMFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 16-SOIC

¥112.55467

3520

5-7 工作日

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合计: ¥112.55467

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CG4158AM
CG4158AM
SPECIAL

¥112.84438

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合计: ¥1,918.35449

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S26KS256SDPBHV020
S26KS256SDPBHV020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥70.54585

47

5-7 工作日

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合计: ¥2,186.92123

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CY7C1380BV25-200AC
CY7C1380BV25-200AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥115.66911

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5-7 工作日

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合计: ¥115.66911

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CY62167EV18LL-55BVXI
CY62167EV18LL-55BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.25伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥23.28882

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2-3 工作日

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合计: ¥535.64288

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S29GL01GT12DHVV20
S29GL01GT12DHVV20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥94.51985

170

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合计: ¥2,173.95644

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S26KS512SDGBHV030
S26KS512SDGBHV030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥94.19392

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合计: ¥159,187.71635

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S26KS512SDABHB030
S26KS512SDABHB030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥97.77915

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合计: ¥2,248.92045

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S26KS512SDPBHB020
S26KS512SDPBHB020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥97.77915

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5-7 工作日

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合计: ¥1,466.68725

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S70FL01GSDPMFV010
S70FL01GSDPMFV010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 16-SOIC

¥94.73713

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5-7 工作日

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合计: ¥45,473.82336

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CY7C199D-10VXI
CY7C199D-10VXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥15.15462

1586

2-3 工作日

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合计: ¥30.30925

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CY62147GN18-55BVXIT
CY62147GN18-55BVXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥30.32313

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5-7 工作日

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合计: ¥60,646.25000

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CY7C1041GE30-10ZSXI
CY7C1041GE30-10ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥57.50863

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5-7 工作日

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合计: ¥57.50863

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CY7C1041GE30-10VXI
CY7C1041GE30-10VXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥57.50863

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5-7 工作日

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合计: ¥57.50863

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S29GL064S70DHI030
S29GL064S70DHI030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥26.35633

484

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合计: ¥13,705.29368

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S29GL064S80DHIV20
S29GL064S80DHIV20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥26.35633

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合计: ¥13,705.29368

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