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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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TT92N12KOFHPSA1
TT92N12KOFHPSA1
构造: 串联-所有SCR 断态电压: 1.2千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 160 A 可控硅数量 / 二极管数量: 2个SCR 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~130摄氏度

¥308.69674

0

2-3 工作日

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合计: ¥308.69674

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T2810N18TOFVTXPSA1
T2810N18TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 2.2千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 5800 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AE 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥6,089.10603

0

5-7 工作日

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合计: ¥6,089.10603

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T2160N20TOFVTXPSA1
T2160N20TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 2.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 4600 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AE 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥6,188.33376

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,188.33376

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TT92N14KOFHPSA1
TT92N14KOFHPSA1
构造: 串联-所有SCR 断态电压: 1.4千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 160 A 可控硅数量 / 二极管数量: 2个SCR 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~130摄氏度

¥1,801.80175

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,801.80175

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T3160N18TOFVTXPSA1
T3160N18TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 7000 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AE 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥6,244.46624

2

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,244.46624

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TT92N16KOFKHPSA1
TT92N16KOFKHPSA1
构造: 公共阴极-所有SCR 断态电压: 1.6千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 160 A 可控硅数量 / 二极管数量: 2个SCR 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~130摄氏度

¥663.59450

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,654.37799

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TT162N08KOFHPSA1
TT162N08KOFHPSA1
构造: 串联-所有SCR 断态电压: 800 V 可控硅数量 / 二极管数量: 2个SCR 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,540.77802

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,540.77802

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T2160N22TOFVTXPSA1
T2160N22TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 2.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 4600 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AE 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥6,469.57557

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,469.57557

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T640N18TOFXPSA1
T640N18TOFXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 1.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 1250 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AA,A-PUK 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥983.87554

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥983.87554

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TZ600N12KOFHPSA1
TZ600N12KOFHPSA1
构造: 单个的 断态电压: 1.2千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 1050 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~135摄氏度

¥1,987.29456

0

2-3 工作日

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合计: ¥3,974.58912

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T2810N22TOFVTXPSA1
T2810N22TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 2.2千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 5800 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AE 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥6,668.97260

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,668.97260

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TZ530N36KOFS01HPSA1
TZ530N36KOFS01HPSA1
构造: 单个的 断态电压: 3.6千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 1500 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥6,683.02383

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,683.02383

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TT162N12KOFHPSA1
TT162N12KOFHPSA1
构造: 串联-所有SCR 断态电压: 1.2千伏 可控硅数量 / 二极管数量: 2个SCR 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥720.01669

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,880.06676

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T2160N24TOFVTXPSA1
T2160N24TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 2.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 4600 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AE 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥6,750.81737

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,750.81737

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TT162N12KOFKHPSA1
TT162N12KOFKHPSA1
构造: 公共阴极-所有SCR 断态电压: 1.2千伏 可控硅数量 / 二极管数量: 2个SCR 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥784.68735

0

5-7 工作日

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合计: ¥784.68735

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TT60N16SOFB01HPSA1
TT60N16SOFB01HPSA1
构造: 串联-SCR/二极管 断态电压: 1.6千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 90 A 可控硅数量 / 二极管数量: 2个SCR 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥159.23516

19

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,910.82188

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TTW3C85N16LOFHOSA1
TTW3C85N16LOFHOSA1
构造: 桥接,三相-所有SCR 断态电压: 1.6千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 75 A 可控硅数量 / 二极管数量: 6 SCRs 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥1,830.19933

189

2-3 工作日

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合计: ¥3,660.39867

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TT305N16KOFHPSA1
TT305N16KOFHPSA1
构造: 串联-所有SCR 断态电压: 1.6千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 520 A 可控硅数量 / 二极管数量: 2个SCR 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~130摄氏度

¥537.95046

0

5-7 工作日

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合计: ¥537.95046

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T2160N26TOFVTXPSA1
T2160N26TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 2.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 4600 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AE 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥7,032.13161

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合计: ¥7,032.13161

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T2480N26TOFVTXPSA1
T2480N26TOFVTXPSA1
构造: 单个的 断态电压: 2.8千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 5100 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: DO-200AE 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥7,074.50258

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